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HgTe/CdS/ZnS多壳层量子点的制备与表征
1
作者
胡军
秦瑞飞
金崇君
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第3期272-278,共7页
采用一种简单的方法合成Hg Te/Cd S/Zn S多壳层量子点。首先,以1-硫代甘油为稳定剂,在水相溶液中制备出Hg Te核量子点;然后,采用外延生长法依次在Hg Te核量子点表面包覆Cd S和Zn S壳层,合成出最终具有稳定近红外发光的Hg Te/Cd S/Zn S...
采用一种简单的方法合成Hg Te/Cd S/Zn S多壳层量子点。首先,以1-硫代甘油为稳定剂,在水相溶液中制备出Hg Te核量子点;然后,采用外延生长法依次在Hg Te核量子点表面包覆Cd S和Zn S壳层,合成出最终具有稳定近红外发光的Hg Te/Cd S/Zn S多壳层量子点。该合成方法仅需3个步骤,具有操作简单、成本低廉的优点。实验结果显示,当反应温度为90℃、反应溶液p H为11.0、反应加热回流时间为4 min时,Hg Te/Cd S/Zn S多壳层量子点具有最高荧光量子产率36%。
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关键词
HgTe/CdS/ZnS量子点
外延生长
荧光量子产率
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职称材料
题名
HgTe/CdS/ZnS多壳层量子点的制备与表征
1
作者
胡军
秦瑞飞
金崇君
机构
中山大学物理科学与工程技术学院
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第3期272-278,共7页
基金
国家自然科学基金(11374376
11174374)
广东省教育厅科研项目(2012CXZD0001)资助
文摘
采用一种简单的方法合成Hg Te/Cd S/Zn S多壳层量子点。首先,以1-硫代甘油为稳定剂,在水相溶液中制备出Hg Te核量子点;然后,采用外延生长法依次在Hg Te核量子点表面包覆Cd S和Zn S壳层,合成出最终具有稳定近红外发光的Hg Te/Cd S/Zn S多壳层量子点。该合成方法仅需3个步骤,具有操作简单、成本低廉的优点。实验结果显示,当反应温度为90℃、反应溶液p H为11.0、反应加热回流时间为4 min时,Hg Te/Cd S/Zn S多壳层量子点具有最高荧光量子产率36%。
关键词
HgTe/CdS/ZnS量子点
外延生长
荧光量子产率
Keywords
HgTe/CdS/ZnS quantum dots
epitaxial growth
fluorescence quantum yield
分类号
O842.31 [理学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
HgTe/CdS/ZnS多壳层量子点的制备与表征
胡军
秦瑞飞
金崇君
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015
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职称材料
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