HgTe/CdS/ZnS多壳层量子点的制备与表征

采用一种简单的方法合成Hg Te/Cd S/Zn S多壳层量子点。首先,以1-硫代甘油为稳定剂,在水相溶液中制备出Hg Te核量子点;然后,采用外延生长法依次在Hg Te核量子点表面包覆Cd S和Zn S壳层,合成出最终具有稳定近红外发光的Hg Te/Cd S/Zn S多壳层量子点。该合成方法仅需3个步骤,具有操作简单、成本低廉的优点。实验结果显示,当反应温度为90℃、反应溶液p H为11.0、反应加热回流时间为4 min时,Hg Te/Cd S/Zn S多壳层量子点具有最高荧光量子产率36%。