二氧化钛超滤膜的制备及其渗透性能

用溶胶-凝胶工艺在涂覆两层ZrO2中间层的堇青石多孔陶瓷管上制备TiO2超滤膜。通过X射线衍射、扫描电子显微镜、孔隙度分析仪及原子力显微镜分析膜材料的形貌、厚度和孔隙率与结构。结果表明:所制备的各层膜结构完整、厚度合适且孔径分布均匀呈阶梯式递减;主晶相为锐钛矿的TiO2超滤膜,厚度为50nm,最可几孔径为15nm左右。对薄膜的渗透性能测试结果表明:所制样品对纯水的平均渗透率为131.6L/(h·m2·MPa),0.2MPa工作压力下对分子量580000右旋糖苷的截留率为94.76%。

金属网栅电磁屏蔽窗口薄膜的设计与制备

通过光刻掩膜技术、电阻热蒸发沉积技术制备电磁屏蔽窗口金属网栅薄膜,研究金属网栅的红外透射率和电磁屏蔽效能。为了能有效地屏蔽电磁波,使用CST Studio Suite电磁仿真软件设计不同周期、线宽的金属网栅,采用光刻掩膜技术、电阻热蒸发技术在双面抛光单晶硅基片上完成线宽为30μm,周期分别为350μm、450μm、550μm、650μm、750μm的金属网栅薄膜的制备。采用真空型傅立叶红外光谱仪和矢量网络分析仪分别对不同结构参数金属网栅薄膜的光谱特性和电磁屏蔽效能进行测试。结果:实现在双面抛光单晶硅基底上制备的网栅在12~18 GHz频段内,网栅的电磁屏蔽效能均达到12 dB以上。在3~5μm波段的透射率损失仅为8%。为了得到既具有高透光率,又具有强电磁屏蔽效能金属网栅薄膜需要合理设计金属网栅的线宽和周期。制备过程中网栅的光学-电学特性不仅受周期和线宽影响,掩膜板的加工精度、金属网栅的加工缺陷等也会造成不同程度的影响。

激光衍射法测量表面波的衰减系数与频率的关系

对于频率为几百赫兹的液体表面波,实验上观察到稳定、清晰、反衬度非常高的衍射图样。理论上得到了衍射条纹间距、表面波波矢量与衰减系数之间的解析关系,并建立了表面波衰减特性的检测方法和实验装置。观察到表面波的衰减效应及衰减系数的色散效应,结果表明衰减系数随频率几乎成线性关系,与理论值吻合。

N掺杂对非晶C薄膜的电子结构与光学性质的影响

用直流磁控溅射法制备了非晶C薄膜及N掺杂非晶C(a-C∶N)薄膜,用紫外-可见分光光谱仪、椭圆偏振仪、俄歇电子能谱(AES)等对薄膜进行了检测。结果表明:随源气体中N气含量的增加,透过率和折射率变小,而光学带隙先增大后减小;当薄膜中N的含量很少,N的掺入对sp3杂化C起稳定作用,使得薄膜光学带隙Eg增大。而较高量N的掺入抑制了sp3杂化C的形成,提高了薄膜中sp2键含量,使得薄膜光学带隙变小。参数D定义为俄歇电子能谱(AES)中最大正峰和最低负峰之间的距离,用俄歇电子能谱中的D值来计算薄膜的sp2键的百分含量,俄歇电子能谱(AES)表征也表明:较高量的N的掺入抑制了sp3杂化C的形成。所以应该考虑在较低N分压条件下掺N来改善非晶C薄膜的光学性能。

超薄层SiO_xN_y栅介质薄膜的制备与研究进展

在0.1μm级的Si_CMOS器件及其集成电路中,作为替代传统SiO2栅介质的首选材料,超薄SiOxNy膜已被广泛研究和应用.本文介绍了近几年SiOxNy栅介质制备技术的研究进展,讨论了各种方法的优缺点,并展望了SiOxNy栅介质制备技术的未来发展趋势.

衬底材质及表面粗糙度对SnO_2薄膜结构的影响

SnO2透明导电膜的光学、电学特性与它的结构密切相关.研究了衬底材质及表面粗糙度对薄膜结构的影响.结果表明:衬底材质影响薄膜晶粒大小、致密度及优势面;表面粗糙度影响薄膜结晶难易程度和致密度.

分子沉积膜摩擦学研究进展

概述了近十年来分子沉积膜在摩擦学领域的研究进展,包括分子沉积膜的纳米摩擦性能、粘附特性、磨损性能和力学特性,以及采用分子动力学模拟对摩擦产生机制、粘滑现象的理论分析,肯定了分子沉积膜的减摩润滑性能,在此基础上提出了今后的主要研究方向。

Ag/La_(0.67)Sr_(0.33)MnO_3薄膜电阻开关特性的研究

采用脉冲激光沉积技术在SrTiO3(001)单晶衬底上制备出钙钛矿结构La0.67Sr0.33MnO3薄膜,利用X射线衍射仪与原子力显微镜表征其晶体结构与微观形貌,并对Ag/La0.67Sr0.33MnO3/SrTiO3结构的室温电脉冲诱发可逆变阻效应进行了分析讨论。该效应表现出良好的非挥发多值存储特性,有望应用于新型存储器、传感器、可变电阻等电子元器件的研制。

铌酸锶钡薄膜制备及椭偏光谱研究

用溶胶-凝胶法成功地制备出了退火温度分别为500、600、700、800、900℃的铌酸锶钡(SBN)薄膜;对制备出SBN薄膜分别进行了椭偏光谱测量研究,得到了不同退火SBN薄膜椭偏光谱参数曲线;并对测得的椭偏光谱进行了数值反演计算,得到了不同退火温度的SBN薄膜的光学常数谱.结果发现SBN薄膜的折射率和消光系数都随着退火温度的增高而增大.