氧化物透明导电膜的研究进展

介绍了透明导电薄膜主要的种类及发展过程,对氧化物透明导电薄膜的不同的制备工艺作了比较,并概括了氧化物透明导电薄膜的应用领域;在对氧化物透明导电薄膜的最新研究进展进行综合评述的同时,提出了透明导电薄膜的研究方向和目前亟待解决的问题.

SiN_x:Tb^(3+)薄膜中Tb^(3+)与银表面等离激元耦合

本文采用PECVD方法在石英衬底上生长不同剂量比的氮化硅薄膜SiNx,并利用离子注入方法在SiNx中注入Tb3+离子。然后通过在SiNx薄膜表面沉积银岛膜,研究了银表面等离激元和SiNx:Tb3+发光的相互作用。研究发现,银岛膜的存在降低了SiNx:Tb3+发光荧光寿命,而且SiNx:Tb3+发光荧光寿命随着银岛膜厚度的增加而减小。而氮化硅薄膜中的硅纳米晶也会影响Tb3+的光模密度,并对SiNx:Tb3+发光荧光寿命产生影响。

温度和存储周期对聚(偏氟乙烯-三氟乙烯)超薄膜极化性能的影响

研究不同存放周期条件下聚(偏氟乙烯-三氟乙烯)(P(VDF-TrFE))电容器样品的极化反转性能,分析温度和存放周期对极化反转性能的影响规律。研究结果表明,存放5个月的样品,经过60℃,106次化反转测试,其相对剩余极化强度Pr/Pr0仍高达0.70以上,表现出良好的时效稳定性。通过研究P(VDF-TrFE)样品极化反转性能的演化规律,预测了极化反转调控的P(VDF-TrFE)样品时效稳定性模型。通过模拟P(VDF-TrFE)分子链微观结构演变过程,给出了电活性界面层对分子链中氟化氢气体形成的抑制模型,建立存放周期和测试温度对样品极化性能影响的分子链微观结构机制,进一步验证了界面层作用的陷阱电荷密度减小,同时关联的时效稳定性微观动力学行为。本工作的研究结果为柔性电子器件的应用提供理论参考。