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题名负载金属卟啉用于催化氧化反应的进展
被引量:2
- 1
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作者
侯卫华
李文娟
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机构
滨州市技术学院
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出处
《化学世界》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第8期504-507,共4页
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文摘
综述了近年来国内外金属卟啉在固载催化领域应用进展,包括:分子筛,蒙脱石,高岭石,硅胶,玻璃,炭黑,金等无机载体,以及聚苯乙烯,树脂,橡胶,高分子多糖,金属卟啉聚合物等有机载体。固载金属卟啉模拟酶催化剂在催化氧化反应中将有更大的应用前景。
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关键词
金属卟啉
固载
催化氧化
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Keywords
metalloporphyrin
supponed
catalytic oxidation
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分类号
TG127.2
[金属学及工艺—金属学]
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题名硅橡胶机械强度改进方法的研究
被引量:6
- 2
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作者
赵华
蔡晓明
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机构
南阳理工学院机电工程系
河南金冠王码信息产业股份有限公司
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出处
《新技术新工艺》
2006年第7期64-65,共2页
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文摘
使用以硅橡胶为绝缘材料的新一代高压复合绝缘子是解决输变电线路污闪问题行之有效的方法,针对复合绝缘子用硅橡胶生产和运行中存在的主要问题,从添加补强材料白炭黑(最佳用量在35份左右)和改变硫化时间(最佳硫化时间8min)两方面入手进行试验,研究如何改善硅橡胶的机械强度尤其是抗撕裂强度。
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关键词
复合绝缘子
硅橡胶
机械强度
抗撕裂强度
白碳黑
硫化
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Keywords
composite insulator, silicone rubber(SIR), mechanical strength, tear strength
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分类号
TG113.251
[金属学及工艺—物理冶金]
TG127.2
[金属学及工艺—金属学]
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题名300mm Si外延片表面颗粒缺陷的研究
被引量:3
- 3
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作者
刘大力
冯泉林
周旗钢
何自强
常麟
闫志瑞
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机构
北京有色金属研究总院有研半导体材料股份有限公司
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出处
《稀有金属》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第3期446-449,共4页
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基金
国家科技重大专项(200802401)资助项目
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文摘
研究了不同拉晶速率对300 mm硅外延片表面缺陷的影响,SP1(表面激光颗粒扫描仪)测试结果表明:较低的拉晶速率下,外延片表面出现环状颗粒缺陷分布带;较高的拉晶速率下,外延片表面的环形缺陷带消失。利用Femag-CZ软件模拟了不同速率下晶体的生长结果,结合其ci-cv分布图,分析出这种环状分布的颗粒缺陷是由于晶体中间隙原子富集区产生的微缺陷,在外延过程中(1050℃)聚集长大,从而在界面处造成晶格畸变引起的。随着衬底拉速的降低,间隙原子富集区的面积增大,硅片外延后越容易出现环状分布的颗粒缺陷。因此在单晶拉制过程中,为了避免这种环状缺陷的产生,应适当提高晶体的拉速。
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关键词
颗粒缺陷
外延
SP1
拉速
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Keywords
particle defects
epitaxy
SP1
pulling rate
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分类号
TG127.2
[金属学及工艺—金属学]
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