有源光缆的硅基90°转向芯片设计与制备

从垂直腔激光器阵列到光纤阵列的高效耦合一直是高速有源光缆制备过程中的挑战。基于界面光波传输的相位匹配,根据界面的折射率的分布及波动传输方程,设计了41°转向角度的微反射镜。基于各向异性晶体蚀刻仿真,得到具有特定晶体取向的硅基微结构。在研究制备工艺的方法中,通过在含异丙醇有机添加剂的氢氧化钾溶液中硅各向异性湿法蚀刻制备了具有41°微反射镜的V型槽阵列,异丙醇表面活性剂在氢氧化钾溶液蚀刻硅过程中起关键作用。然后对获得的芯片进行表面粗糙度、轮廓和反射率的表征及测试,探索了膜层(TFCalc)的SiO_(2)/Si高反射率介电膜的作用及效果,测试结果表明:所研制的芯片的反射率近100%,最高耦合效率在762 nm处,达92%。