多晶硅太阳电池PECVD氮化硅钝化工艺的研究

介绍等离子体化学气相淀积(PECVD)制备减反射钝化膜。将PECVD设备运用于太阳电池生产线上,发现通过PECVD设备可以对多晶硅太阳电池有很好的钝化效果。分析PECVD对多晶硅太阳电池钝化机理。

一种薄膜太阳能电池的制备及参数测定

分析了染料敏化TiO2纳米晶薄膜太阳能电池的基本结构和发电原理,介绍了在实验室制备染料敏化电池的方法,并对制得的电池进行了相关的参数测定。对染料敏化电池与硅太阳能电池进行了对比分析,总结了其优、缺点,并指出了未来的研究方向。

太阳能电池用高温烧结炉传动系统的设计计算

介绍了太阳能电池生产线用高温烧结的特点、传动原理,提出了网带驱动力及其传递功率的理论计算方法,利用该方法进行设计计算,可在保证传动可靠的前提下,选择最合适的电机、减速机,减少安装位置,节约设备制造成本。作者根据计算结果应用到实际的生产中,较好的指导了生产。

晶体硅太阳能电池PECVD SiNx:H薄膜工艺研究

通过在工业化生产线上研究了PECVD法沉积Si Nx:H薄膜过程中工艺温度和气体流量对其厚度和折射率的影响、工艺气体流量和射频功率对晶体硅太阳能电池光电转换效率、开路电压以及短路电流的影响,最后研究了PECVD对不同类型晶体硅电池的钝化效果。结果表明,随着气体Si H4流量增加,Si Nx:H膜的厚度和折射率上升;随着温度上升,Si Nx:H膜的厚度先上升后下降,折射率无明显变化规律;对于多晶硅太阳能电池,工艺气体NH3与Si H4流量比为11时,光电转换效率最高,随着射频功率从2800W增至4200W,光电转换效率先上升后下降,3700W时达到峰值;Direct Plasma PECVD对多晶硅太阳能电池的钝化效果好于对单晶硅太阳能电池。

太阳能电池的种类

介绍了太阳能电池的种类,并重点对单晶硅、多晶硅和非晶硅薄膜太阳能电池的制备和结构特点进行了介绍。

白光有机电致发光器件发光稳定性研究

基于红绿/蓝双发光层,制作了结构为ITO/MoO3(10nm)/NPB(40nm)/TCTA(10nm)/CBP:R-4B(2%):GIR1(14%,X nm)/mCP:Firpic(8%,Y nm/BCP(10nm)/Alq3(40nm)/LiF(1nm)/Al(100nm)的白色全磷光有机电致发光器件(OLED),通过调节红绿发光层的厚度X与蓝光发光层的厚度Y,研究了不同发光层厚度器件发光性能的影响。研究发现:当X为23nm、Y为7nm时,器件的光效和色坐标都具有很高的稳定性,在电压分别为5、10和15 V时,色坐标分别为(0.33,0.37)、(0.33,0.37)和(0.34,0.38);在电压为5V时,电流密度为0.674mA,亮度为158.7cd,最大电流效率为26.87cd/A;利用电子阻挡材料TCTA和空穴阻挡材料BCP能够显著提高载流子的复合效率。分析认为:发光层顺序为红绿/蓝时,更有利于蓝光的出射,从而使白光的色坐标更稳定。