关于金属端帽压电复合换能器Cymbal的研究

研究了金属端帽尺寸对压电复合换能器Ｃｙｍｂａｌ位移的影响。Ｃｙｍｂａｌ由在厚度方向极化的压电陶瓷片（ＰＺＴ－５Ａ）夹在两个薄的黄铜端帽之间，每一个端帽的内表面都有一个圆台形空穴。在施加交流电场下，陶瓷径向收缩，端帽弹性运动，在法向于端帽的方向产生一个放大的位移。Ｃｙｍｂａｌ换能器比相同尺寸的陶瓷元件的位移要高出近４０倍。

0-3型压电复合材料的电晕放电极化

金属单针电晕放电极化０—３型压电复合材料的工艺条件是：电晕放电电压Ｖ＝８．５ｋＶ，极化温度Ｔ＝１３０℃，极化时间ｔ≥４０ｍｉｎ。利用旋转电晕放电对大面积０—３型压电复合材料进行极化。结果表明：这种极化方法可达到普通油浴高压直接极化的效果，而且可以对大面积压电复合材料进行极化。对于７０μｍ厚的大面积０—３型压电复合材料，极化后，其压电系数ｄ３３值达到３５ｐＣ／Ｎ。

低Qm 压电振子机电耦合系数的标准计算方法的原理误差分析

压电材料的机电耦合系数通常由谐振及反谐振频率之间的相对间隔确定。常用的ＩＥＥＥ标准计算公式，是由描述理想无损压电振子的电行为方程推导得出的。本文给出了压电材料的固有损耗产生的谐振及反谐振频率的偏移及由此引起的标准公式的误差。代替以往分析时常用的等效电路方法，本文采用把损耗考虑在内的严格的压电振子导纳或阻抗模型。分析结果表明：由测得的谐振及反谐振频率用标准公式得出的耦合系数小于材料的固有耦合系数；误差随固有损耗的增加及耦合的减弱而增加。文中给出了较为详细的分析结果。

偏铌酸铅陶瓷低频内耗的研究

用低频倒置扭摆对改性偏铌酸铅铁电陶瓷的内耗进行了研究．在新加工的样品中发现了六个内耗峰，分别位于７０℃（Ｐ１峰）、 ９０℃（Ｐ２峰）、２００℃（Ｐ３峰）、２６０℃（Ｐ４峰）、４３０℃（Ｐ５峰）和５１０℃（Ｐ６峰）处．对引起Ｐ３、Ｐ１、Ｐ２和Ｐ４峰的物理机制进行了详细探讨．分析结果表明，Ｐ３峰的本质是一定化的 Ｄｅｂｙｅ弛豫内耗峰。相应的激活能和指前因子分别为１．０１４Ｖ和 ２．４×１０－１４ｓ．它源于氧空位与畴壁的相互作用． Ｐ１、 Ｐ２和 Ｐ４峰与试样的切割加工密切相关，可归结为点缺陷与位错的交互作用．

铁电薄膜的材料系统与功能性质

集成铁电体把铁电材料与集成半导体技术联合起来，以发展出一批新的电子器件。铁电薄膜在其中发挥着非挥发性记忆、热释电、压电、光折变、抗辐射、声学的和／或介电的功能性质。在不同的器件应用中，铁电薄膜的材料体系是不相同的。在非挥发性存贮器（ＮＶＲＡＭ）中，ＰＺＴ薄膜面临着ＳｒＢｉ２Ｔａ２Ｏ９（ＳＢＴ）系列铁电体的强力挑战；Ｂａ１－ｘＳｒｘＴｉＯ３（ＢＳＴ）则可能出现在下一代高密度动态随机存贮器（ＤＲＡＭ）中。金属氧化物电极和／或过渡层可以克服Ｐｔ电极面临的一些问题。

压电体的远程探测

提出用核四极共振谱仪对材料的压电效应进行远程的无线测量新方法，研究了石英晶体的共振谱线强度随激发脉冲功率、激发脉冲宽度以及激发频率偏置等参数的变化情况。实验结果显示，用该方法能够在时间为秒的尺度内在几十厘米的范围内方便地检测到压电共振信号，为压电材料更广泛的研究与应用提供了可能。