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Y掺杂钛酸钡薄膜的Sol-Gel法制备及PTC效应 被引量:4
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作者 龚健 符小荣 +2 位作者 宋世庚 谭辉 陶明德 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第3期246-249,共4页
本文采用 Sol- Gel法在 Pt/Ti/Si( 1 0 0 )衬底上制备了 Y掺杂半导化 Ba Ti O3的 PTC薄膜 ,前驱物为醋酸钡、钛酸四丁酯 ,溶剂体系选用乙二醇 -乙二醇甲醚 -甲醇 -水 ,添加乙酰丙酮作为螯合剂及聚乙二醇作为表面活性剂 .其 R- T特性转... 本文采用 Sol- Gel法在 Pt/Ti/Si( 1 0 0 )衬底上制备了 Y掺杂半导化 Ba Ti O3的 PTC薄膜 ,前驱物为醋酸钡、钛酸四丁酯 ,溶剂体系选用乙二醇 -乙二醇甲醚 -甲醇 -水 ,添加乙酰丙酮作为螯合剂及聚乙二醇作为表面活性剂 .其 R- T特性转变温度约为 1 38℃ ,升阻比达 4个数量级 ,转变温区约 2℃ . 展开更多
关键词 钛酸钡薄膜 铁电材料 掺杂 PTC效应
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