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Y掺杂钛酸钡薄膜的Sol-Gel法制备及PTC效应
被引量:
4
1
作者
龚健
符小荣
+2 位作者
宋世庚
谭辉
陶明德
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999年第3期246-249,共4页
本文采用 Sol- Gel法在 Pt/Ti/Si( 1 0 0 )衬底上制备了 Y掺杂半导化 Ba Ti O3的 PTC薄膜 ,前驱物为醋酸钡、钛酸四丁酯 ,溶剂体系选用乙二醇 -乙二醇甲醚 -甲醇 -水 ,添加乙酰丙酮作为螯合剂及聚乙二醇作为表面活性剂 .其 R- T特性转...
本文采用 Sol- Gel法在 Pt/Ti/Si( 1 0 0 )衬底上制备了 Y掺杂半导化 Ba Ti O3的 PTC薄膜 ,前驱物为醋酸钡、钛酸四丁酯 ,溶剂体系选用乙二醇 -乙二醇甲醚 -甲醇 -水 ,添加乙酰丙酮作为螯合剂及聚乙二醇作为表面活性剂 .其 R- T特性转变温度约为 1 38℃ ,升阻比达 4个数量级 ,转变温区约 2℃ .
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关键词
钛酸钡薄膜
铁电材料
掺杂
PTC效应
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职称材料
题名
Y掺杂钛酸钡薄膜的Sol-Gel法制备及PTC效应
被引量:
4
1
作者
龚健
符小荣
宋世庚
谭辉
陶明德
机构
中国科学院新疆物理研究所
中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999年第3期246-249,共4页
文摘
本文采用 Sol- Gel法在 Pt/Ti/Si( 1 0 0 )衬底上制备了 Y掺杂半导化 Ba Ti O3的 PTC薄膜 ,前驱物为醋酸钡、钛酸四丁酯 ,溶剂体系选用乙二醇 -乙二醇甲醚 -甲醇 -水 ,添加乙酰丙酮作为螯合剂及聚乙二醇作为表面活性剂 .其 R- T特性转变温度约为 1 38℃ ,升阻比达 4个数量级 ,转变温区约 2℃ .
关键词
钛酸钡薄膜
铁电材料
掺杂
PTC效应
分类号
TM223.013 [一般工业技术—材料科学与工程]
TN305.3 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
Y掺杂钛酸钡薄膜的Sol-Gel法制备及PTC效应
龚健
符小荣
宋世庚
谭辉
陶明德
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999
4
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