自蔓延高温合成Ti_2SC材料

以钛粉、硫粉和石墨粉体为原料,采用自蔓延高温合成技术(SHS)制备钛硫碳(Ti2SC)陶瓷材料,研究不同原料配比和助剂对反应合成Ti2SC的影响。利用X射线衍射仪和扫描电镜对合成产物进行物相组成和形貌分析,探讨反应合成Ti2SC材料的反应机制。研究结果表明,2Ti/S/C粉体自蔓延高温合成的产物中主相为Ti2SC,还包括少量的TiC与Ti3S4。主产物Ti2SC的晶粒有片状和板条状2种形貌。原料中添加过量的S,可抑制TiC形成,促进Ti3S4合成;添加适量的Al助剂可促进Ti2SC合成,抑制TiC和Ti3S4形成。2Ti-S-C体系的绝热燃烧温度达2 398 K。Ti2SC的形成机制是:在Ti-S-C反应体系中,Ti与S首先反应形成液相Ti-S,然后Ti与C反应形成TiC,最后,液相Ti-S与TiC反应形成Ti2SC。

Ti/Al/TiN体系自蔓延高温合成钛铝氮复合材料

以Ti,Al和TiN粉体为原料,采用自蔓延高温合成技术制备Ti_2AlN材料,研究原料配比对反应合成Ti_2AlN的影响,并分析Ti_2AlN的形成机制。结果表明:Ti/Al/TiN体系自蔓延高温合成产物主要由TiN,Al_3Ti和Ti_2AlN组成。原料中适当添加过量的Al或Ti,均可显著促进Ti_2AlN的合成,其中添加过量Ti对促进Ti_2AlN合成的作用更明显。而降低TiN的用量对促进Ti_2Al N合成的作用最明显,可获得高Ti_2AlN含量的钛铝氮材料。自蔓延高温合成Ti_2AlN的反应机制为Ti和Al反应合成Ti-Al化合物,同时形成Ti-Al液相;然后Ti-Al液相包裹住TiN晶粒;最后以TiN晶粒为核心,TiN晶粒逐渐与周围的Ti-Al液相反应合成板条状Ti_2AlN。

燃烧反应合成钒铝碳材料

以V、Al和C粉末为原料,采用燃烧反应合成技术制备V2AlC材料,比较了2种燃烧合成方式,即热爆合成与自蔓延高温合成工艺对反应合成V2AlC的影响。对V-Al-C体系进行热力学分析,利用X射线衍射和扫描电镜对合成产物进行物相组成和产物形貌分析,探讨反应合成V2AlC材料的反应机制。研究结果表明,2V/Al/C粉体热爆合成产物的主相为V2AlC和少量的VCx和AlV3。2V/Al/C的热爆产物中V2AlC晶粒呈板条状形貌,长度约为10μm。原料中添加过量的Al,可消除AlV3副产物,并可显著促进V2AlC的合成,但不会形成单相V2AlC。添加适量的Sn可促进单相V2AlC的合成。2V/Al/C粉体自蔓延高温合成的产物的主相为V2AlC,少量为VC0.75。原料中添加过量的Al,可促进V2AlC单相反应合成。2V-Al-C体系的绝热燃烧温度达2 767 K。并提出反应合成V2AlC的反应机制,即VC与V-Al液相反应合成板条状晶粒的V2AlC材料。

热爆反应合成钒铝碳材料

以V、Al和C粉体为原料,采用热爆合成技术制备V2AlC材料,并对V-Al-C体系进行了热力学分析,利用X射线衍射和扫描电镜对合成产物进行了相组成和产物形貌分析,探讨了热爆反应合成V2AlC材料的反应机制。结果表明,V-Al-C体系的绝热燃烧温度达2767K;2V/Al/C粉体热爆合成产物的主相为V2AlC,并含有少量的VCx和AlV3;原料中添加过量的Al,可消除AlV3副产物,并显著地促进V2AlC反应合成;2V/1.3Al/C热爆产物中V2AlC呈片状和板条状两种晶体形貌,长度大约为10μm;热爆反应合成V2AlC的机制为VC与V-Al共晶液相反应合成V2AlC。

石墨烯/金属氧化物电极材料制备研究

以石墨烯和金属盐为原料,采用溶剂热法制备了石墨烯/金属氧化物纳米复合材料G/MnO_2、G/Fe_2O_3、G/Co_3O_4和G/NiO,并利用傅里叶红外光谱和扫描电子显微镜对其结构、微观形貌进行了表征。采用循环伏安法和恒流充放电法研究了四种样品的电化学性能。在1A/g的电流密度,G/MnO_2、G/Fe_2O_3、G/Co_3O_4和G/NiO的比电容分别为242,169,181和178F/g。结果表明,G/MnO_2复合材料的比电容远大于其他三者,具有更好的电化学性能。

一种基于DRNN神经网络的自适应控制算法

现在很多实际系统很难用线性方程来描述,DRNN神经网络在处理非线性问题上具有很大的优势,具有较强的信息处理能力。论文提出了一种基于DRNN神经网络的自适应PID控制算法,仿真结果显示出:该控制算法在较短的时间内可以使系统获得较好的动态性能,过渡过程的时间较短,具有较强的鲁棒性。

Ti_2SC陶瓷粉体的制备及其机理研究

以TiS2、Ti、C为原料,利用无压烧结方法制备Ti2SC陶瓷粉体。研究了组成和烧结温度对试样物相组成的影响。利用XRD、SEM、差热分析和热力学分析方法对样品的物相和反应路径进行表征分析。结果表明：当原始组分中S过量10at%时,样品主相为TiS,只有少量目标相Ti2SC存在。随着S过量的增加,目标相含量随之增加,但C含量减少。当S过量30at%时,样品中主相为Ti2SC,只有微量的C,TiC和TiS存在。当原料比为1.15TiS2/2.85Ti/2C时,烧成温度为1 600℃,氩气气氛下合成了纯度较高的Ti2SC陶瓷粉体,其晶粒尺寸为510μm。在TiS2-Ti-C体系中,由TiS和TiC反应生成目标相Ti2SC。

光子晶体的制备及应用

光子晶体 (PC)是具有光子带隙的周期性电介质结构 ,频率落在光子带隙中的光将被禁止传播。本文对光子晶体的能带结构、带隙的产生、制备方法及应用作了简要的介绍 ,重点介绍了光子晶体的制备技术及其在光电领域中的应用前景。