城市污水污泥的燃烧动力学特性研究

利用热重分析仪研究了污泥在空气气氛下以不同升温速率(20 ℃/min、30 ℃/min、50 ℃/min)从50～950 ℃的燃烧特性,并通过最小二乘法计算得出由3个独立的、连续的平行反应组成的燃烧动力学模型,模型计算结果与实验结果吻合较好。

钙钛矿型氧化物Ln_(0.5)Sr_(0.5)CoO_3的制备与电输运性能

采用固相反应法合成钙钛矿氧化物材料Ln0.5Sr0.5CoO3(Ln=La,Pr,Nd,Sm,Eu)的超细粉体,研究了不同稀土元素掺杂时的晶体结构和电输运性能,分析了该钙钛矿体系结构的形成过程。实验表明,当烧结温度达到1200℃时,通过固相反应法可以形成稳定的单一的钙钛矿相。样品电导率在700℃附近出现最大值,低温段的导电行为符合小极化子导电机制,La0.5Sr0.5CoO3材料的电导率在中温范围内最大,适合作为中温固体燃料电池的阴极材料。

Bi系超导块材织构性和临界电流与成形压力关系的研究

研究了固态反应法制备 Bi_(2-x)Pb_xSr_2Ca_2Cu_3O_(10+y)超导体材料的成形压力与材料织构和临界电流的关系。随单向成形压力的提高,样品织构增强,在垂直于压力方向上临界电流密度 J_c 急剧增大而在平行于压力方向上 J_c 逐渐减小,表现出明显的各向异性特征。

铋系超导体熔融织构生长工艺的研究

研究了连续区熔定向凝固工艺对铋系织构生长的影响。结果表明：选择合适的粉末名义配比，在最高熔化温度为880℃、样品移动速度为8mm／h的条件下处理样品，能够制得高度取向的Bi－2212晶体。但通过对该工艺Bi－2223相织构生长过程的研究，发现这种方法不利于2223相织构的生成。

用粘着法制作带底盖的Tl_2Ba_2Ca_2Cu_3O_(10)屏蔽筒及其屏蔽性能

介绍一种用粘着法制造带底盖的Ｔｌ２Ｂａ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏ１０屏蔽筒的方法，这种带底盖的屏蔽筒可增加其有效长度。屏蔽性能的测量表明：经再一次煅烧后，粘着部位的约瑟夫森结型弱联接可以得到很好的恢复。

Bi 系高温超导带材冷压工艺优化的试验研究

采用套管法（ＰＩＴ）制备Ｂｉ系高温超导带材，进行了冷压工艺的优化研究。试验结果表明，Ｂｉ系带材所能承受的压力有一个限值，若超过这个限值后，密度虽可提高，但晶粒破碎严重，ＪＣ值反而降低。带材优化的冷压工艺参数是８３８℃／６０ｈ＋冷压＋８３８℃／６０ｈ＋冷压＋８３８℃／６０ｈ；第一次压力为２ＧＰａ，第二次为２．５ＧＰａ；冷压压下速率为１．７５×１０－４ｍｍ／ｓ。同时研究还表明，冷压的主要作用是提高带材的致密度和晶粒取向度，从而最终改善带材的超导性能。

熔化浇铸法Bi系块材超导体制备及其性能研究

研究采用不同名义配比制备前驱粉未，利用熔化浇铸工艺制备ＢｉＳｒＣａＣｕＯ高温超导体。经高温退火处理后，获得超导转变温度均为１００Ｋ左右的两种超导体，其在自场下临界电流密度最高可达１ｋＡ／ｃｍ２（７７Ｋ，０Ｔ），并检测了样品在磁场下的电流传输性能，对样品的微观形貌进行了观察分析。

高温超导薄膜的激光制备技术及其展望

本文评述了激光溅射方法制备高温超导薄膜的特点和优势,探讨了溅射和成膜过程的基本机理,展望了激光技术在高温超导薄膜的低温制备、显微制版等超导微电子工艺中的广阔应用前景。

高T_c氧化物超导薄膜的分子束外延研究综述

高临界温度（Ｔｃ）氧化物超导体的研究日新月异。作为高Ｔｃ超导研究重要组成部分的氧化物超导薄膜物理和技术也得到了飞速发展。分子束外延（ＭＢＥ）作为一项高级精密的真空镀膜技术，也跟其它镀膜技术一样，在高Ｔｃ超导薄膜的研究中发挥了独特的作用并取得了许多重要成就。本文结合作者近年来在高温超导体ＭＢＥ研究方面的工作，对这一新兴领域的进展和概况作一综述性介绍。

Y_2BaCuO_5垫片对YBa_2Cu_3O_（7－δ）织构生长的影响

通过组织形貌观察和磁性能测量研究了Ｙ＿２ＢａＣｕＯ＿５（２１１相）垫片对ＹＢａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿（７－δ）（１２３相）织构生长和性能的影响。结果表明２１１相垫片可以有效地减少熔融生长过程中支撑材料Ａｌ＿２Ｏ＿３对１２３相样品的污染，同时增加１２３相基体中２１１沉淀相的量，从而提高样品的磁通钉扎能力。

BiSrCaCu_2 O_y超导体的研究

本文研究了BiSrCaCu_2Oy(1112)超导体不同的制备条件对80—90K低温相和100—110K高温相形成的影响。通过对样品的电学和磁学性质的测量、x光衍射和扫描电镜的分析,指出了适当的高温、长时间的保温和淬火有利于高温相的形成。

高温超导Bi_2Sr_(1.6)La_(0.6)CuO_6外延薄膜生长模式的AFM研究

利用ＡＦＭ对在（１００）和与（１００）有６°切偏角的ＳｒＴｉＯ３基片上用射频溅射方法制备的高温超导Ｂｉ２Ｓｒ１．６Ｌａ０．４ＣｕＯ６＋δ（Ｂｉ２２０１）薄膜的生长模式进行了系统地研究。对应以上两类不同切割的基片，实验观察到两种不同的薄膜生长模式。对切偏角小于０．４°的（１００）ＳｒＴｉＯ３基片，本征的生长模式是梯田岛模式（Ｖｏｌｍｅｒ－Ｗｅｂｅｒ模式），每层的厚度为ｃ／２（１．２５ｎｍ）；在切偏角为６°的衬底上沉积的Ｂｉ２２０１薄膜则以台阶流模式（Ｓｔｅｐ－ｆｌｏｗｍｏｄｅ）生长。Ｂｉ系高温超导体的本征的二维特性决定了薄膜的生长模式。

空气气氛高温超导体YBa_2Cu_3O_(7-δ)的制备

介绍了在空气气氛中制备YBa2Cu3O7-δ超导样品的实验方法.经样品超导体输运特性测定和形貌结构分析,表明烧结温度在950℃左右,烧结时间12h制备的 YBa2Cu3O7-δ超导样品,其超导转变温度为92K,具有完全抗磁性（迈斯纳效应）,同时表明样品晶粒发育良好,且具有良好的单相性和正交结构.

具有c轴丝结构的YBa_2Cu_3O_(7-δ)体材料的制备

本文在采用干压成型的工艺条件下,研究了基料的物相组成及平均晶粒度、成型压力、烧结温度和恒温时间对 YBa_2Cu_3O_(7-δ)体材料择优取向的影响。结果表明,平均晶粒度为数十微米量级的纯 YBa_2Cu_3O_(7-δ)组成的基料,采用高于0.5GPa 的成型压力,在低于990℃的烧结温度下可获得具有 C 轴丝织构显著的体材料。临界电流密度 J_c>10~3A/cm^2。

BaO-CaO-CuO三元系相图及其在Hg-系超导体合成中的应用

简要介绍了 Hg-系高温超导体的特性、合成技术、Ba O-Ca O-Cu

双粉法制备高性能Bi-2223/Ag多芯带材

采用主相为２２１２＋ＣａＣｕＯ２的所谓双粉作为前驱粉，用标准的粉末套管（ＰＩＴ）工艺制备了３７芯、６１芯和８５芯Ｂｉ－２２２３银包套多芯带材．研究发现：采用双粉装管缩短了２２２３成相时间，仅用４０ｈ即获２２２３纯相．前驱粉中较大尺寸２２１２片状晶的存在有益于Ｃａ，Ｃｕ传质和２２２３织构的提高．通过对加工工艺的精确控制，可有效防止芯丝的不均匀，清除妨碍长带制备的芯丝“香肠”状现象．首次实现了双粉法制备高性能的Ｂｉ－２２２３／Ａｇ长带，长带性能的均匀性和重复性都有较好保证．所制备的０．２４ｍｍ×４ｍｍ尺寸短样在７７Ｋ时Ｉｃ＝５３Ａ（Ｊｃ约为２．７×１０４Ａ／ｃｍ２），达国际先进水平，２０ｍ长样Ｉｃ＝３５Ａ，并实现批量化生产．

磁控溅射法在立方织构镍基底上制备CeO_2缓冲层

论述了具有立方织构的金属镍基底上 ,采用射频磁控溅射的方法制备CeO2 缓冲层。以Ar/H2 混合气体作为溅射气体 ,有效地抑制了NiO的形成 ,获得纯c轴取向的CeO2 薄膜。X射线 φ扫描、ω扫描和极图的测试分析表明 ,CeO2 薄膜在平面内和垂直于膜面方向晶粒都是有序排列的 ,具有良好的立方织构。

MgB_2超导体块材的高压合成

利用高压烧结的方法成功地合成出块状MgB2 超导体。所获得的样品具有良好的单相性。低温磁性测量实验和电阻测量实验均表明样品具有高于 39K的超导转变温度。实验结果表明 ,高压合成是制备和研究MgB2

磁体用多芯Bi-2223/Ag超导带材的制备和性能

研究了用粉末装管技术制备磁体用多芯Bi－2223／Ag超导带材的工艺和性能。结果表明，得到的氧化物芯丝均匀的多芯Bi－2223／Ag超导带材，其Bi－2223单相性较好巨晶粒具有c轴取向。在77K，OT下，短带的临界电流密度Jc达2．2×104A／cm2（判据1μV／cm）。用此带制做的小型超导磁体（外径为85mm，内径10mm，高60mm），在4．2K和77K下，磁体通过的；临界电流Ic分别为135A和17A（判据1μV／cm），对应此电流，该磁体产生的磁场分别为1．04T和0．13T。

热中子辐照提高掺硼YBaCuO超导体Jc的研究

掺杂天然硼的熔融织构生长（Ｍｅｌｔ－ｔｅｘｔｕｒｅｄＧｒｏｗｔｈ）的ＹＢｘＢａ２Ｃｕ３Ｏｙ（ｘ＝０．０１５，０．０３５）超导体经注量为５×１０１７ｃｍ－２的热中子辐照后，磁临界电流密度Ｊｃ增至３．８倍。１０Ｂ（ｎ，α）７Ｌｉ、７Ｌｉ＊（Ｑ＝＋２．７９ＭｅＶ）核反应出射的高能粒子能在超导体中产生均匀分布的、可以作为磁通钉扎中心的辐照损伤，以便提高Ｊｃ。掺硼超导体热中子辐照后放射性副产物的半衰期较短，剂量较小，使得这项技术很有应用前景。