Mn在SrTiO_3功能陶瓷中的作用

从实验结果出发，通过微观分析研究了Ｍｎ在ＳｒＴｉＯ３双功能陶瓷中的作用以及它对电性能的影响。热重分析和Ｘ光衍射的结果说明了ＭｎＯ２在加热过程中物相和Ｍｎ离子价态的变化，得出Ｍｎ２＋、Ｍｎ３＋、Ｍｎ４＋共存的结论。并指出Ｍｎ在此为受主杂质，过量的Ｍｎ使晶粒电阻率增大，损耗增加，它促进晶粒生长，却又使气孔率上升。适量的Ｍｎ含量可明显地提高非线性特性，这是在ＳｒＴｉＯ３双功能陶瓷中添加Ｍｎ的主要原因。

PLZT陶瓷的晶界现象

利用显微技术，研究了ＰＬＺＴ陶瓷的显微结构及它在外电场作用下的行为。制备粗晶粒及单个晶粒厚的抛光薄片， 利用十字形电极， 观察在电场作用下， 电畴运动的动态过程。讨论所观察到的一些晶界有关现象，如： 晶界平滑区， 晶界区的电光性， “壳－芯”结构， 析出物在晶界区的沉积， 电畴在该区的成核和生长， 空间电荷在该区的积累等等。认为存在高应变能的晶界区，

铁电陶瓷的极化运动学模型

铁电陶瓷中两种机电耦合效应的相互关系及机理是一个引入注目的研究课题。本文从经典的固有偶极子取向极化模型出发，考虑固有偶极子取向时的弛豫现象，提出了在恒外力作用下的运动学模型，由此得到了在一定条件下铁电陶瓷中两种机电耦合效应的关系、起因和作用范围。

铌锌酸铅基铁电陶瓷的热膨胀行为

通过对铌锌酸铅基铁电陶瓷（０．９－ｘ）ＰＺＮ－０．１ＢＴ－ｘＰＴ，（ｘ＝０．０５，０．１５）在０～４５０°Ｃ热膨胀行为的详细测量，结合其相应温度范围内的介电温谱，发现一个弱的一级相变过程，进而探讨了复合钙钛矿结构弛豫型铁电体中局域极化的转变特征。

钛酸钡基陶瓷材料晶界掺杂与PTCR效应

“晶界掺杂”是一个全新的概念，它针对的是陶瓷晶界。在钛酸钡材料中，晶界掺杂能明显地改变ＰＴＣＲ效应。在晶界上，施主杂质同某些受主杂质一样，也可以明显提高材料的ＰＴＣＲ效应。通过晶界掺杂引入的Ｐｂ２＋则对ＰＴＣＲ效应有明显的损害。

氮化铝陶瓷直接覆铜技术

研制出一种直接覆铜ＡｌＮ基板。先将ＡｌＮ 陶瓷基板作表面氧化处理， 然后在１ ０６３～１ ０７０℃下， 氮气氛中煅烧， 使铜箔直接焊敷在ＡｌＮ基板上。铜箔的剥离强度可达到８５３．２ Ｐａ， 厚度为０．１～０．５ ｍ ｍ ， 最大基板面积可达５０ ｍ ｍ ×５０ ｍ

云纹干涉法测量铁电陶瓷的离面位移

文章采用反射式高灵敏度离面云纹干涉法测量了铁电陶瓷的离面位移。在铁电陶瓷上复制了每毫米１２００位相型闪耀光栅的试件栅；采用迈克尔逊干涉光路、全息干版照相、ＣＣＤ摄像机及其微机实时图像处理系统获取了试件表面的离面位移场的干涉条纹图。

电子陶瓷用Al_2O_3粉体及其技术发展动态

本文综述了几十年来Al_2O_3粉体在冶铝工业、电瓷和电子陶瓷上的应用状况,特别论述了电子陶瓷领域所应用Al_2O_3粉体的技术条件和存在问题。

铁电钛酸铋超微粉及陶瓷的研究

采用类溶胶－凝胶方法制备了铁电Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２超微粉，分别用Ｘ射线衍射、透射电子显微镜、激光散射粒度仪和差热分析仪对其结构、形貌、粒度和相变特性进行了测试分析。结果表明，超微粉形成了正交晶系Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２结构，晶粒尺寸为１０～５０ｎｍ。由微粉制备了Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２陶瓷，其介电常数和损耗角正切分别为ε＝１０５．６和ｔｇδ＝０．０５２（１００Ｈｚ）及ε＝９７．２和ｔｇδ＝０．０００３６（４ＭＨｚ），铁电参数矫顽电场Ｅｃ为２．９１×１０６Ｖ／ｍ，剩余极化强度Ｐｒ为７×１０－３Ｃ／ｍ２。

LTCC基板抗折强度的研究

抗折强度是反映低烧基板性能的一个非常重要的技术指标。通过试验找出了粉料粒度及配方、热压工艺条件、烧成曲线等与抗折强度的关系，并分析了其机理。试验得到的最佳工艺参数为：粉料粒度ｄ＝１．０～１．５μｍ；ＳｉＯ２／玻璃＝４５／５５；热压条件：Ｐ＝２０ＭＰａ，θ＝１１０℃，ｔ＝４０ｍｉｎ；烧成条件：θｐ＝８５０～９００℃，升温速度＝２．５℃／ｍｉｎ，ｔｋ＝３０ｍｉｎ。采用该工艺可将抗折强度提高到１５３Ｎ／ｍｍ２。

添加剂对Fe-Cu系陶瓷材料负阻特性的影响

文章介绍了以Ｆｅ２Ｏ３和Ｃｕ２Ｏ为主成分的陶瓷材料的负阻特性，分析论述了Ｃｏ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３以及ＭｎＯ２掺杂对Ｆｅ－Ｃｕ系陶瓷材料负阻性能的影响，实验制得负阻系数ｎ＞１０，电压Ｖｐ＞２００的负阻性能良好的陶瓷材料。

喷雾包覆法制备镍电极X7R瓷料

以水溶性硝酸盐为原料,通过喷雾包覆的方法,实现了掺杂材料对BaTiO3的均匀包覆,得到了符合EIA—X7R规范的镍电极MLCC瓷料。用SEM、EDX对包覆粉体进行了表征,分析了包覆掺杂机理。通过制作圆片和Ni-MLCC进行电性能验证。结果表明,所得Ni-MLCC,εr达3 075,tanδ为1.16×10–2,最大容量温度变化率为10.61%,特别适合于大规模生产。

BaTiO_3晶相对X7R介质瓷电性能的影响

着重讨论ＢａＴｉＯ３细粉体的晶相对Ｘ７Ｒ介质瓷的电气性能的影响。通过Ｘ射线衍射谱分析该细粉体的晶相结构，结果表明：立方相的ＢａＴｉＯ３介电常数很低；四方相的ＢａＴｉＯ３介电常数高，介质的电性能也好。所以我们用四方相ＢａＴｉＯ３的含量来衡量Ｘ７Ｒ介质瓷的质量。ＢａＴｉＯ３四方相含量越高，Ｘ７Ｒ介质瓷电性能越好。

气密性陶瓷管壳

本发明披露了制造气密性陶瓷管壳的方法。这种方法包括如下几个步骤：先在管状陶瓷零件开口端面上涂复由Ｔｉ和／或Ｚｒ组成的活性金属，其涂复的数量为０．１－１０ｍｇ／ｃｍ＾２，这样，就形成了一系列支，然后把钎焊放置于活性金属层上，再放置画住管状陶瓷零件开口部分的金属罩，而金属罩端面圆周应与钎焊料相接触，于是，卞把罩钎焊到了管状陶瓷零件的开口端面上。

国外电子陶瓷的发展及应用

全面介绍了国外电子陶瓷材料及应用的发展现状；叙述了电子陶瓷制备新工艺、新技术；简介了电子陶瓷材料及器件的发展前景。

电感耦合等离子体发射光谱法测定钛酸钡中杂质钙、钠元素不确定的评定

本文用电感耦合等离子体发射光谱法(ICP-OES)测定了钛酸钡中杂质钙、钠元素,并对其不确定度进行了评定。结果表明,利用ICP-OES测量钛酸钡中钙、钠的相对扩展不确度分别为1.46%和4.94%,处于较好水平,可满足钛酸钡日常检测较高精度的质量控制要求。其中,校准工作曲线线性回归和测量重复性对ICP-OES测试钛酸钡杂质成分含量的不确定度贡献最大。

X射线荧光光谱法测定锆钛酸钡元素摩尔比的不确定度评定

用X射线荧光光谱仪(XRF)测定锆钛酸钡中Ba、Ti、Zr各元素的含量,并对锆钛酸钡中Ba/(Ti+Zr)和Zr/(Ti+Zr)摩尔比进行了不确定度评定。结果表明利用XRF测定的Ba/(Ti+Zr)和Zr/(Ti+Zr)摩尔比具有较小的不确定度,其中校准曲线的回归对Ba/(Ti+Zr)和Zr/(Ti+Zr)摩尔比不确定度的影响最大。