中温烧结PZN-PZT系陶瓷的压电性能研究

在多层压电器件的研制过程中，为实现压电陶瓷和Ａｇ／Ｐｄ内电极的共烧结，本文对中温１１００～１１４０℃范围烧成的ＰＺＮ－ＰＺ－ＰＴ系压电陶瓷的电性能进行了研究，结果表明，保温时间对该组成的压电介电性能有重要的影响，随保温时间的延长，ｄ３３从４２０×１０－１２Ｃ／Ｎ增加到 ５６０×１０－１２Ｃ／Ｎ， Ｔ３３从 ２１８０增加到 ２９００。

化学共沉淀粉体制备ZnO压敏电阻

本文采用化学共沉淀法制备了颗粒细、活性好的ZnO压敏电阻粉体，表征了粉体的性能．利用共沉淀粉体制备了α＝50、压敏电压高、通流能力大的压敏电阻．与传统氧化物机械混合粉体制得的压敏电阻比较，共沉淀粉体获得的压敏电阻微观结构均匀．

一种压电陶瓷降压变压器材料的研究

研制了一种新型的添加CaCO3,Bi(Cd1/2 Ti1/2 )O3,MnO2 的改性PbTiO3压电陶瓷材料 .从压电活性、压电各向异性、介电常数、介电损耗、机械品质因数及Curie点等综合参数看 ,该材料可用来开发压电陶瓷降压变压器 .实验确定其典型配方为Pb0 .73Ca0 .2 7TiO3+4 % (inmole)Bi(Cd1/2 Ti1/2 )O3+1 % (inmole)MnO2 ;在优化后的制备工艺条件下 ,其主要参数为 :εT33/ε0 =1 87,d33=60× 1 0 - 12 C·N- 1,Kt=0 .4 9,Kp=0 .0 52 ,Qm=560 ,tanδ=0 .7% ,θC=3 1 7℃ .

提高ZnO压敏电阻片能量耐受能力的方法与途径

综述了近来国内外提高ZnO压敏电阻片能量耐受能力的方法和途径，其中改善ZnO电阻片的结构均匀性和成分均匀性是提高能量耐受能力的关键，电流密度分布的均匀性有一定影响。因此，为了改善结构均匀性和成分均匀性，必须开展粉料和浆料制备技术的深入细致的研究工作。

流延成膜技术制备高性能多层片式压电陶瓷微驱动器研究

采用压电陶瓷流延厚膜成型技术以及厚膜与金属内电极共烧技术制备了逆压电效应下工作的多层片式压电陶瓷微位移驱动器． 该器件具有工作电压低、功耗小、响应快、器件尺寸微小型化等特点，适合于微电子及微型机械应用．本课题对该器件与应用密切相关的位移－ 电压关系及位移蠕变性能、驱动力和使用寿命等性能进行测试和研究．

改性 PbTiO_3 压电陶瓷工艺的研究

针对改性ＰｂＴｉＯ３压电陶瓷制造过程中ＰｂＯ挥发严重的问题，通过降低烧结温度和增加ＰｂＯ气氛两种方法对系统的压电性能进行了研究，得到了烧结温度低、ＰｂＯ挥发量低、压电性能优良的改性ＰｂＴｉＯ３陶瓷．

热压法制备0.3PZN-0.7PZT压电陶瓷研究

研究了热压法制备０．３ＰＺＮ－０．７ＰＺＴ系压电陶瓷过程中，铅含量以及热压和退火工艺对材料性能的影响．实验结果表明，适当降低铅含量、提高退火温度和退火时间可得到性能优良的压电陶瓷．制得的压电陶瓷密度接近理论密度，电性能指标为： ｄ_（３３）＝７１５ ｐＣ／Ｎ， Ｋ_ｐ＝０．６５， ｔｇδ＝２．９％， εｒ＝３４５７， Ｑ_ｍ＝５０．１．

初探化学合成制粉工艺对ZnO压敏电阻U_(1mA)/mm值的影响

用电子探针对比观测了采用化学共沉淀法制粉和机械混合法制粉的压敏电阻的微观结构；得出化学合成制粉工艺使压敏电阻U1mA／mm升高的原因是由于粉料组分的均匀分布使得其晶界组分的浓度均匀且高于机械混合制粉阀片中的晶界组分贫化区浓度，从整体上抑制了烧结过程中的晶粒长大。

玻璃掺杂(Sr_xBa_(1-x))TiO_3陶瓷基压敏材料的制备、表征及性能

采用陶瓷工艺，制备了钙钛矿结构的（ＳｒｘＢａ１－ｘ）ＴｉＯ３粉料。利用溶胶凝胶技术合成的ＢＳｉＰｂ玻璃对（ＳｒｘＢａ１－ｘ）ＴｉＯ３进行掺杂。所制备的材料具有非线性ＶＩ特性，非线性系数在３～４之间，当ｘ≤０．３３时，其Ｖ１ｍＡ值低于２０Ｖｍｍ－１；ｘ≥０．４０时，Ｖ１ｍＡ值急剧上升。材料制备不需要经过氧化还原两步工艺过程，对于工业生产具有重要意义。

溶液反应法制取钛酸钡

介绍了溶液反应法制取钛酸钡（ＢａＴｉＯ３）的工艺，对主要的工艺条件进行了探讨，并用ＢａＴｉＯ３微粉制备了ＰＴＣ陶瓷和压电点火陶瓷，测试了有关电性能。结果表明，这种ＢａＴｉＯ３微粉具有纯度高、结构均匀、组成准确的特点。ＰＴＣ陶瓷和压电陶瓷都具有较好的性能。

PZT压电陶瓷粉体的制备工艺

综述了目前ＰＺＴ压电陶瓷粉体制备的方法、原理及其生产工艺，对各种方法的优点进行了评价；对共沉淀法制备ＰＺＴ压电陶瓷粉体的工艺进行了改进。

无团聚PbTiO_3超细粉末的制备

本文设计了一种以乙二醇和丁醇混合溶液作为溶剂,以钛酸丁酯和醋酸铅作为原料制备钛酸铅超细粉末的溶胶—凝胶新工艺。利用红外光谱分析确定了复合醇盐(C_4H_9O)_3≡Ti-O-Pb-(CH_3CO_2)的合成温度在80℃以上。凝胶在100℃下干燥仅需要1小时,经干燥后的凝胶在1500℃下热处理2小时就可以得到结晶的、粒径小于0.1μm的无团聚PbTiO_3超细粉末。

PZT陶瓷表面金属化的研究──（Ⅳ）后处理的实施及其作用

利用化学镀方法在ＰＺＴ陶瓷表面制得的镀镍层，必须经过后处理才能最后完成ＰＺＴ陶瓷表面金属化过程，以制成合用的镍电极。后处理包括电镀镍及低温、高温热处理等步骤。本文报导了这种后处理的实施过程、控制条件及其结果，并讨论了后处理对于ＰＺＴ陶瓷表面金属化及对ＰＺＴ陶瓷元器件的电学性能的影响。

低温烧结改性PbTiO_3压电陶瓷制备工艺研究

研究了添加少量低熔物SiO2 作烧结促进剂的低温烧结改性PbTiO3 压电陶瓷的制备工艺 ,确定出能充分挖掘其优良性能的较佳工艺参数 .在此工艺条件下制备的陶瓷具有低烧结温度、高压电活性、大压电各向异性、高机械品质因数等优点 ,可应用于叠层压电降压变压器、叠层压电陶瓷滤波器等叠层压电器件方面 .

一种新型改性PbTiO_3压电陶瓷材料研究

研制了一种新型的添加Pb（Mn1／3Sb2／3）O3、碱土金属CaCO3、Bi2O3、NiO的改性钛酸铅压电陶瓷材料．该材料具有高压电活性、大压电各向异性、低介电常数及小的机械品质因素．实验确定其典型配方为Pb0．80Ca0．20［（Mn1／3Sb2／3）0．05Ti0．95］3＋0．5wt％NiO＋1wt％Bi2O3；在优化后的制备工艺条件下，其主要性能参数为：d33＝70×10-12C·N-1；Kt＝60．0；Hp≈0，Qm＝43，Nt＝2004Hz·m．

水热法制备锆钛酸铅纳米粉体

以Pb (NO3) 2 、ZrOCl2 ·8H2 O和Ti (OC4H9) 4为前驱物 ,在温和水热条件下合成制得了单一物相的压电陶瓷锆钛酸铅纳米粉体。讨论了前驱物配比、反应温度、反应时间和矿化剂浓度对合成粉体的影响。在Pb/ (Zr +Ti) =1 7,Zr/Ti =0 5 2 / 0 48,NaOH的浓度为 3mol/L ,反应温度为 2 0 0℃ ,反应时间为 2小时的条件下 。

压电陶瓷的新极化工艺

本文介绍一种在谐振条件下对压电陶瓷材料进行极化的新工艺。对硬性、软性和三元系锆钛酸铅压电陶瓷材料分别进行了加高频信号、谐振信号和不加信号的极化试验。结果表明,采用加谐振信号的方法极化样品的机电耦合系数比用常规方法极化的样品有明显提高,而且在高压下极化不易击穿。

压电陶瓷研制工艺对其频率温度稳定性的影响

本文报道了通过改进压电陶瓷的研制工艺达到控制其频率温度稳定性.

压电电声陶瓷片的无垫粉叠层一次烧成

通过向实用化的压电电声瓷料中加入烧结收敛剂，减少Ａ位Ｐｂ２＋含量以及改进叠层烧结工艺等方法，实现了瓷片的无垫粉叠层一次烧成。瓷片的电性能优良，剥离率可达７０％以上，表面平整光滑。简化了生产工艺，提高了瓷片成品率，降低了生产成本。

压电陶瓷基片的流延成型工艺探讨

已摸索出一套在引进的流延设备上使用国产原料成型压电陶瓷滤波器基片的流延成型工艺。文中讨论了影响流延质量的主要因素,并给出了具有实用意义的实验结果。