MnSi_(1.7)半导体薄膜材料研究进展

本文对近年来MnSi1.7半导体薄膜的制备方法和电学性能进行了综述。与PtSi和Bi1-xSbx薄膜制备的红外探测器相比较,用MnSi1.7半导体薄膜制备的红外探测器有诸多优点。另外,MnSi1.7半导体薄膜还可以用于制造微型温差发电器件。掺杂及制备纳米尺寸的薄膜是改善其电学性能的两个方法。通过对薄膜进行掺杂,可以获得p型和n型薄膜,薄膜的电阻率明显下降;将薄膜厚度减小到14nm后,塞贝克系数在483K时可达-967μV.K-1。

基于应力差改善的SiC模块用氮化硅衬板匹配性研究

功率半导体器件的快速发展,特别是SiC功率模块的广泛应用对模块中的陶瓷覆铜衬板提出了更高要求,模块封装中陶瓷覆铜衬板的翘曲将影响其可靠性。文章研究了陶瓷覆铜衬板的应力状态以及应力与衬板翘曲的关系,并提供了包括延长冷却时间、降低峰值温度、调整铜体积比在内的减小翘曲度的改善方案,使衬板与SiC模块匹配性得到提升,从而提升了模块可靠性。

n沟道4H-SiC MESFET研究

报告了4H-SiCMESFET的研制。通过对SiC关键工艺技术进行研究,设计出初步可行的工艺流程,并且制成单栅宽120μmn沟道4H-SiCMESFET,其主要直流特性为在Vds=30V时,最大漏电流密度Idss为56mA/mm,最大跨导Gm为15mS/mm;漏源击穿电压最高达150V;微波特性测试结果在fo=1GHz、Vds=32V时该器件最大输出功率7.05mW,在fo=1.8GHz、Vds=32V时最大输出功率3.1mW。

基于电致变色材料的特高压验电标识研究

为了解决交直流特高压输变电设备的验电问题,对新型无机电致变色材料开展性能测试及可靠性分析,制备了Zn S场致发光材料和Ga N发光材料,将其封装制作为验电标识,确定了验电标识在特高压输变电设备上的涂装应用方案。现场应用结果表明,该电致变色材料验电标识在电场中能够发光变色,指示设备的带电状态,解决了特高压输变电设备的验电问题。

GaAs低噪声放大器的抗静电设计

基于提升GaAs低噪声放大器（LNA）的抗静电（ESD）能力的需求,且实现器件小型化轻量化,设计了一种S波段GaAs低噪声放大器的ESD防护电路,该电路利用1/4波长线的微波特性,通过1/4波长微带线并联在GaAs芯片的输入输出端,瞬态二极管（TVS）并联在芯片的电源端,不改变器件原有封装尺寸的条件下构成保护结构。基于ESD人体模型,运用静电模拟仪器对低噪声放大器进行了模拟试验,并对其性能进行了测试。结果表明,在6.5mm×6.5mm×2.4mm的封装尺寸下,器件的抗静电能力从250V提高到了1000V,在频率为2.6-3.7GHz,带内增益大于25dB,增益平坦度小于±0.5dB,噪声系数小于1.5dB,满足高可靠领域应用的要求。