n沟道4H-SiC MESFET研究

报告了4H-SiCMESFET的研制。通过对SiC关键工艺技术进行研究,设计出初步可行的工艺流程,并且制成单栅宽120μmn沟道4H-SiCMESFET,其主要直流特性为在Vds=30V时,最大漏电流密度Idss为56mA/mm,最大跨导Gm为15mS/mm;漏源击穿电压最高达150V;微波特性测试结果在fo=1GHz、Vds=32V时该器件最大输出功率7.05mW,在fo=1.8GHz、Vds=32V时最大输出功率3.1mW。

基于应力差改善的SiC模块用氮化硅衬板匹配性研究

功率半导体器件的快速发展,特别是SiC功率模块的广泛应用对模块中的陶瓷覆铜衬板提出了更高要求,模块封装中陶瓷覆铜衬板的翘曲将影响其可靠性。文章研究了陶瓷覆铜衬板的应力状态以及应力与衬板翘曲的关系,并提供了包括延长冷却时间、降低峰值温度、调整铜体积比在内的减小翘曲度的改善方案,使衬板与SiC模块匹配性得到提升,从而提升了模块可靠性。