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题名功率MOSFET驱动保护电路设计与应用
被引量:62
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作者
田颖
陈培红
聂圣芳
卢青春
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机构
清华大学
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出处
《电力电子技术》
CSCD
北大核心
2005年第1期73-74,80,共3页
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文摘
分析了对功率MOSFET器件的设计要求;设计了基于EXB841驱动模块的功率MOSFET驱动保护电路。该电路具有结构简单,实用性强,响应速度快等特点。在电涡流测功机励磁线圈驱动电路中的实际应用证明,该电路驱动能力及保护功能效果良好。
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关键词
模块
驱动电路/功率金属氧化物场效应晶体管
保护电路
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Keywords
module
drive circuit / power MOSFET
protection circuit
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分类号
TM386.1
[电气工程—电机]
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题名动态死区抑制MOSFET反向恢复电流的研究
被引量:3
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作者
李思奇
郭犇
蒋晓华
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机构
清华大学
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出处
《电力电子技术》
CSCD
北大核心
2010年第7期91-93,共3页
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基金
台达电力电子科教发展基金~~
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文摘
功率MOSFET器件组成桥臂式拓扑结构时,由于其内部寄生的二极管反向恢复特性较差,开关过程将产生较大的反向恢复电流,引起关断电压尖峰以及漏源极和栅源极之间的振荡。分析了桥臂上下管死区大小与反向恢复电流之间的关系,提出通过动态优化死区来减小反向恢复电流的方法。给出了死区与反向恢复电流关系的初步仿真结果,并基于两种不同反向恢复特性的MOSFET器件进行了实验研究。仿真和实验结果表明,使用动态死区可有效抑制MOSFET器件的反向恢复电流,并减小由反向恢复引起的开关损耗以及关断电压的尖峰和振荡。
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关键词
金属氧化物半导体器件
反向恢复电流
动态死区控制
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Keywords
metal-oxide-semiconduction field-effect transistor
reverse recovery current
dynamic dead time control
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分类号
TM386.1
[电气工程—电机]
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