PCM测试参数与CCD工艺关系研究

PCM(Process Control Monitor)是一种反映生产线工艺状况的质量监控技术。文章围绕影响电荷耦合器件(CCD)工艺中PCM测试结果的工艺因素展开研究,并对PCM测试结果进行统计分析,以达到测试结果用于工艺改进的目的,并最终获取最佳工艺条件。结果表明:低压化学气相沉积(LPCVD)温度为700℃、膜厚为580nm时的方块电阻为18Ω/□;孔工艺采用干法刻蚀CF4流量为15cm3/min、CHF3流量为45cm3/min下的接触电阻为7Ω;栅下埋沟注入磷离子能量为250keV、剂量为2.5×1012atom/cm2时,MOS管阈值电压为-8.5V;二次铝刻蚀主刻蚀采用Cl2流量为90cm3/min,BCl3流量为45cm3/min,N2流量为30cm3/min可有效避免因残留物引起的金属同层漏电。

线阵CDD光电参量测试系统的研究

讨论了线阵ＣＣＤ光电参量测试系统的标定、调试以及ＣＣＤ光电量的测量方法。重点进行了以下几个方面的讨论：积分球光源色温标定原理、方法及结果验证；线阵ＣＣＤ光电参量测试系统的调试与标定（用标准探测器标定辐照度，用标准探测器标定参考探测器，用参考探测器标定辐照度，积分球出射光均匀性校正）；

基于CCD线阵的立靶测量系统精度分析

根据CCD立靶测量系统的工作原理,对系统测量精度进行了理论分析,建立了系统测量精度数学模型,进行了计算机仿真计算,论述了影响测量精度的主要因素,并提出了相应对策。