恒温电容瞬态时间乘积谱

传统的深能级电容瞬态谱(DLTS)是典型的微弱信号技术,它具有极高的灵敏度,能测量比基体原子浓度小9～10个数量级的深能级杂质和缺陷.然而对于宽禁带半导体(如固体C60(C70),GaN等)深能级的测量,这种测量方法将面临高温测量的困难.本文提出的电容瞬态时间乘积谱(ICTTS),可以在室温附近测量很深的深能级,并达到和传统DLTS相近的灵敏度.文中用这一方法研究了Ti/C70固体/p-GaAs结构的深能级,结果发现C70固体膜中存在两个空穴陷阱,H1和H2,它们的能级分别为Ev+1.037eV和Ev+0.856eV,密度分别为8.6×1011/cm2和6.5×1010/cm2.

大型接地装置接地电阻测量及其影响因素

分析了接地电阻测量的基本假设 ,因土壤不均匀性、地形显著起伏与人们视觉不准均会偏离补偿法 0 .6 18d的点 ,提出了接地极与电流极之间局部测量电位分布的必要性及其方法 ,并针对普遍存在的多种影响因素给予研究 。

通风工程中新型风帽的利用

在通风工程设计中,过去常采用筒形风帽或是伞形风帽,无论是利用哪一种风帽都具有防雨功能,但都阻碍了气流的抬升,既增加了通风系统中的阻力和能耗,又不利有害气体的抬升稀释。由此提出理想的风帽设计既要具有防雨功能,又要不影响气流的抬升,同时要求其局部阻力较小。多年来通过对通风工程的设计和探索,产生了新型风帽的设计构思,并且在有关工程中加以利用,取得良好的应用效果。