高频低介电常数改性环氧树脂覆铜板的研制

介绍高频印刷电路板基材的介电性能要求和几种典型的覆铜板材的介电性能,以高溴化环氧树脂(EP)、酚醛EP、改性聚苯醚(MPPO)、酸酐固化剂、咪唑促进剂配制胶粘剂体系,经偶联剂处理的E型无碱玻璃布为增强材料,采用通用上胶与压制工艺,研制了一种适用于高频电路条件下的介电性能优异、成本低的高频覆铜板。

基于CCD技术的玻璃测厚系统

针对传统厚度测量方法的弊端,研究了利用半导体激光和线阵电荷耦合元件(CCD)组成的在600℃高温条件下的一套非接触式、在线玻璃厚度检测系统。利用几何光学中光的反射和折射原理对玻璃进行非接触测量,选用TCD1501C线阵CCD作为图像传感器,设计了CCD视频信号处理电路。玻璃厚度测量的精度能达到0.01 mm(测量范围在2～20 mm)。

纳米粉体对TiO_2压敏陶瓷晶界势垒结构的影响

采用实验方法研究了纳米粉体对TiO2压敏陶瓷晶界势垒结构的影响。采用扫描电镜测试了样品的显微结构。基于热电子发射理论和样品的电学性能计算了TiO2压敏陶瓷的势垒结构。在室温至320℃范围阿,测试TiO2压敏陶瓷样品的电阻率ρ。通过样品的lnσ-1／T曲线计算了TiO2压敏陶瓷材料的晶界势垒结构。讨论了显微结构和势垒结构对TiO2压敏陶瓷电学性能的影响。结果表明,合适的纳米TiO2加入量为x=5 mol％。

碲铌基玻璃光学透过性能

研究了碲铌基玻璃及各种离子掺杂后玻璃的线性光学性质 ,结果表明 :碲铌基玻璃的紫外吸收截止波长明显比普通钠钙硅玻璃长 ,对紫外区有很好的屏蔽作用 ;Zn2 +、B3+、Ti4+离子的引入对碲铌基玻璃的紫外截止波长没有大的影响 ,但玻璃的透光率明显增大 ;引入Ce4+、Er3+、Ho3+、Nd3+和Y3+离子后 ,随着离子含量的增加 ,玻璃的紫外吸收截止波长逐渐红移 ,而在玻璃中加入La3+和Tb3+离子后 ,玻璃的紫外吸收截止波长则产生蓝移现象 ,并且玻璃的透光率在该稀土离子的特征吸收峰处发生明显变化。

低介电损耗微晶氧化铝陶瓷研究

本文将1000 ppm的MgO烧结添加剂以镁盐的形式均匀加入到超细Al2O3粉中,采用两次烧结方法,制备出剩余气孔率接近零,晶粒尺寸在3μm^5μm之间的微晶Al2O3陶瓷。其介电损耗为1×10-5,比等静压95%Al2O3陶瓷的低近两个数量级,降至蓝宝石的水平。

AlN陶瓷的应用及其表面金属化

ＡｌＮ陶瓷由于其优良的导热性能，良好的高频性能及与ＢｅＯ相比无毒性，是一种很有潜力的微波功率器件用材料。ＡｌＮ陶瓷的许多应用都涉及到了陶瓷表面金属化技术及与金属接合技术，本文对ＡｌＮ陶瓷的应用、ＡｌＮ陶瓷表面金属化及其与金属接合技术的现状及发展进行了评述。

聚酰亚胺绝缘膜的真空性能及在电真空器件中的应用研究

利用固体质谱仪和气体质谱仪分别进行了聚酰亚胺绝缘膜的表面成分及在高温烘烤过程中的放气性能和气体成分分析。结果表明 ,聚酰亚胺材料中不存在污染阴极的有害成分 ,并且经高温烘烤后 ,在 30 0℃时的平衡压强小于 1 9× 10 -3Pa。因此 。

陶瓷胶态注射成型液固转变过程中内应力产生机制初探

陶瓷的胶态注射成型工艺适应了高性能陶瓷产业化的需要 ,其关键是要通过制备均匀性好的陶瓷坯体而保证部件的使用可靠性。本文提出在胶态注射成型液固转变过程中容易产生内应力 ,并且初步研究了陶瓷坯体中内应力的产生、遗传和变异的规律 。

镀膜玻璃屏蔽性能研究

文中采用等效传输线理论对镀膜玻璃的屏蔽性能进行了分析，重点研究了影响镀膜玻璃屏蔽性能的几个关键因素．建立了膜层表面电阻与等效电导率的关系，并将计算结果与试验数据进行对比，结果令人满意．

屏蔽电磁波干扰塑料及其开发动向

本文在分析电磁波干扰及其屏蔽作用原理的基础上，重点讨论了表层导电型屏蔽塑料和填充复合型屏蔽塑料的种类、特性、应用以及最新发展动向。

不同条件下陶瓷金属化瞬态温度场的计算

目前工业生产中,陶瓷金属化工艺条件的选择大多是经验性设定,对其如何影响金属化过程缺乏认识。针对于此,本文在前期所建立的陶瓷金属化氢炉的瞬态温度场计算模型基础上,考虑辐射和对流作用,计算陶瓷金属化过程中炉内的流动与传热问题,着重讨论了陶瓷件数量、氢气流量等条件对陶瓷金属化氢炉温度场的影响关系。结果表明,陶瓷件数量对同一位置金属化层最高温度影响较小(<2℃),但对炉温均匀性影响很大,不同位置陶瓷金属化层温度相差达到几十摄氏度。炉内加热一段时间后出现温度统一区(z<0.45 m),这一区域内的陶瓷金属化层最高温度几乎不受氢气流量的影响,金属化质量具有更好的一致性。

几种Al_2O_3陶瓷金属化产品的分析报告

本文对世界上两大著名公司生产陶瓷金属化产品连同我国同类产品进行了分析、对比。找出它们各自的特点 ,评估了其质量水平 ,对我国进一步提高产品的性能 ,起到了很好的借鉴作用。

高强度铝质电瓷材料显微结构的研究

借助于XRD、SEM等手段,系统地研究了铝质高强度电瓷材料的显微结构、物相组成 及性能与结构之间的差异特征。建立了电瓷材料力学性能与显微结构因素的关系,揭示了电 瓷材料强度和显微结构影响最敏感的因素及其先后顺序是:Al2O3含量>烧成温度T>(K2O +Na2O)含量>SiO2含量。高强度电瓷材料合理的主晶相应以刚玉、莫来石为主,而石英和 玻璃相及气孔相的量较少。

大功率真空电子器件实用的高热导率陶瓷的进展

综述了大功率真空电子器件中实用的高热导率陶瓷，叙述了三种高热导率陶瓷的各种特性，特别是比较了它们的温度－热导率关系特性，指出ＢｅＯ瓷是低温（＜１００℃）热导性好，ＡｌＮ瓷是中温（约２００℃）热导性好，而ＢＮ瓷则是高温（＞４５０℃）热导性好。笔者认为：ＢｅＯ瓷在近期相当一段时期内，仍然是大功率真空电子器件领域内最为广泛应用的高热导率陶瓷。

国内外电真空用氧化铝陶瓷金属化层显微结构分析

利用扫描电镜和能谱仪 ,分析了国内、俄罗斯、英国及德国公司生产的电真空用氧化铝陶瓷的金属化层显微结构和微区成分。比较了 4种金属化样品间的差异 。

氮化硼陶瓷和金属的接合技术

用Ｔｉ－Ａｇ－Ｃｕ活性法，对俄罗斯生产的气密ＢＮ陶瓷进行了陶瓷－金属接合技术的研究。研究表明，只要采取适当的结构和合理的工艺，即可获得高强度的接合和良好的气密性。对接合机理进行了各种分析并且进行了热力学计算，计算结果和分析数据一致，从而认为ＢＮ陶瓷和金属的高强度、气密接合是以化学反应为基础的。

Sn-Cd-W系热敏陶瓷材料的制备及其线性化机理研究

用化学共沉淀方法制备了Sn-Cd-W系热敏陶瓷材料,XRD方法测定材料的物相是CdSnO_3-CdWO_4两相的机械混合物。在控制共沉淀材料的合适成份配比的情况下,制备出的材料的电阻率-温度曲线在—20～300℃温度区间有良好的线性。探讨了阻温特性线性化的机理。热敏材料由非导体的CdWO_4大晶粒构成“棚架”结构,晶粒较小的CdSnO_3填充在CdWO_4之间。提出了由CdsnO_3晶粒和有过剩的CdO的晶界组成三维导电链的模型。由晶粒或晶界构成导电链的线化点,线化点的阻温系数凹凸互补,使得由线化点串联而成的链是线性化导电链,导电链并联交织,构成三维导电网络。三维导电链的形成是线性化的关键。

低熔、低介玻璃粉末的初步研究

通过玻璃组成与性能关系的设计研究,以及玻璃/钙长石/莫来石复合设计,研究了合适的玻璃相种类对复合材料的介电性能等的影响。通过比较其综合性能,初步确定出性能优良的低熔、低介玻璃粉末。

95%氧化铝陶瓷性能检测与评估

介绍了 95 %氧化铝陶瓷的性能的检测和质量评估 ,对检测中遇到的一些问题进行了探讨 ,并指出解决这些问题的有效方案。

高铝瓷中的玻璃相

通过对高铝瓷中玻璃相的初步研究 ,分析了玻璃相的组分及其作用、玻璃相的形成过程及玻璃相的数量分布与高铝瓷材料性能的关系 。