电真空陶瓷表面斑点新探

应用SEM微区分析和小束XRD扫描,对95%氧化铝电真空陶瓷金属化后的表面斑点等异常现象进行剖析。确认了表面黑点是由变价金属离子形成的;花斑的形貌并无异常,而其物相结构与正常陶瓷相比,缺乏硅酸铝钙相,且有少量新相生成;透光性差的陶瓷有明显的异相形成。此外,还证实了陶瓷表面的晶化现象。

磁控溅射法制备用作铜互连阻挡层的钛-铝薄膜

采用射频磁控溅射法在Si（100）基片上首先沉积了厚度40nm的非晶钛-铝薄膜，然后在其上又原位生长了厚度100nm的铜薄膜，制备了铜膜／钛-铝膜／硅试样；对试样分别在400～800℃内进行真空退火处理，用原子力显微镜、X射线衍射仪、四探针测试仪对试样的表面形貌、结晶状态及方块电阻进行了分析。结果表明：当退火温度低于750℃时，试样表面平整，表面粗糙度和方块电阻均较小且基本不随退火温度的升高而改变，此时，非晶钛-铝薄膜能够起到阻挡铜向硅中扩散的作用；当退火温度在800℃时，试样的表面粗糙度和方块电阻急剧增大，此时，非晶钛-铝薄膜已经不能起到阻挡层的作用。