环氧树脂基PDLC膜的制备及其电光性能研究

将双酚Ａ环氧树脂、环氧氯丙烷和低分子量聚酰胺和Ｍｅｒｋ－Ｅ７液晶按不同比例混合，加热固化后制得聚合物分散液晶膜。研究不同配比制成的树脂基的折光率，使之与Ｍｅｒｋ－Ｅ７液晶相匹配。进一步调节聚合物与液晶的百分比，得到对比度很高的聚合物分散液晶显示材料。并对该材料作电光性能测试，以三维图形说明该材料的对比度对电压和温度的依赖性，并用实验证实了折光率与对比度成４次指数关系。

高纯气体洁净度的控制标准

微电子技术已成为当前世界上各项尖端技术和新兴产业发展的前导与基础,只有微电子技术的超前发展,才能更好地推动各生产部门的前进和提高其生产水平,也才有可能使我们的工业生产、科学技术跨入世界先进行列。众所周知,广播、通迅卫星、资源卫星、气象卫星,以及电子对抗系统、宇航系统和空间实验站等,都离不开高度可靠、

CH_4对氧化锌场发射性能的影响

CH4是封装的氧化锌场发射器件中一种重要的残余气体成份。为了研究该残余气体成份对器件性能的影响,本文采用加速结果显示的充气试验法,即将CH4通过针阀引入安装在真空系统上的氧化锌场发射器件中。从试验结果得出CH4对氧化锌的场发射电流具有增强作用。由于CH4在ZnO表面吸附后改变了ZnO表面的电荷分布,使更多电子聚集在ZnO的表面,从而使其发射电子的能力在相同外加电场下有所增加。根据所得结果,提出通过改变器件内残余气体的方法改善氧化锌场发射器件的工作性能。即在器件排气过程中引入一定量的CH4气体,结果表明器件的发射性能有一定的改善。

彩色等离子体显示器放电气体的研究

实验研究了由He,Ne和Xe组成的放电气体的混合比例和压强对彩色等离子体显示器 (PDP)光电性能的影响。并通过解Boltzmann方程 ,从电子能量的角度对实验结果进行了理论分析。研究结果表明 ,优化的He,Ne ,Xe配比和充气压强可使彩色PDP具有着火电压适当、记忆范围大、亮度和光效高。

氩对四针状氧化锌场发射性能的影响

氧化锌是一种宽带半导体材料,由于其具有负电子亲和势,高的机械强度和良好的化学稳定性等特性,也被认为是一种很有发展潜力的场发射阴极材料。但是由于阴极材料在纳米量级,纳米材料的一些效应使其对工作的环境气体非常敏感。氩是采用薄膜型吸气剂的电真空器件中常见的残余气体成份。采用充气实验法研究了氩对氧化锌场发射的影响,得出其对氧化锌的场发射电流具有增强作用。由于氩的引入在一定程度上对系统起到了清洗的作用,系统内对氧化锌具有衰减作用的气体减少从而使得氧化锌发射电流在相同外加电压下增加。

高纯氯化氢气体的制备

简要介纲以氢气和氯气为原料制取99.995％氯化氢气体的工艺原理及工艺流程。

电子级氯化氢气体研制的进展

新型材料,其中包括高纯化学试剂和高纯化学气体等,被视为是近代新技术革命的重要标志之一。例如高纯氯化氢气体就是电子工业中用量较大的一种化学气体。英、美、德、法、日等国均有电子级氯化氢气体商品出售,但对其提纯技术和分离方法极少见有文献报道。近年来,我国电子工业所需的化学气体的研制,在技术上已有不少突破和发展。

砷烷/磷烷监测报警仪的研制

基于火焰光度法原理工作的砷烷/磷烷监测报警仪可对半导体及电子工业生产中使用的砷烷/磷烷进行TLV级的监测报警,对砷烷的最小检测浓度为0.004×10^(-6),对磷烷的最小检测浓度为0.003×10^(-6),响应时间不大于30s。该仪器不仅检测灵敏度高,响应速度快,抗干扰能力强,而且性能稳定,可连续自动监测,操作简便,能满足现场监测要求。

FLTD气体火花开关自放电特性

快脉冲直线变压器驱动源(FLTD)是目前经济、高效构建大型脉冲功率源的重要技术途径,但其多"子块"串并联的电路拓扑对开关提出极严苛的技术要求。针对多开关同步时系统自放电概率骤增的难题,开展FLTD气体火花开关自放电特性研究。选取三电极场畸变和多间隙两种典型开关结构,在±100 kV条件下研究放电电流和开关结构参数对自放电概率的影响规律。研究结果表明,29 kA脉冲电流多次作用下,三电极场畸变开关和六间隙开关自放电电压均服从Weibull分布,三电极开关放电分散性约4%,而六间隙开关放电分散性超过15%,两类开关均出现较明显的提前放电现象。分析认为开关放电分散性大与中间电极悬浮导致间隙电压分布不均有关,采用电阻强制均压的方式,三电极场畸变和六间隙多通道开关放电分散性明显减小,分别减小至2%和5%。

如何提高超纯气体输送系统的可靠性

国际半导体技术的迅猛发展 ,对超纯气体的要求越来越高 ,超纯气体输送系统是超纯气体的污染源。本文介绍如何减少超纯气体输送系统对超纯气体的污染。

用助熔剂法生长的Y2O2S：Eu^3＋红色荧光粉的形成

用硫熔法制备的三价铕激活的硫氧钇红色材料已广泛地用于彩色电视荧光屏上（ＣＴＶ），根据均匀成核理论讨论了用（多）硫化钠助熔剂并用钇和铕的氧化物生长的硫氧钇的形成过程中所获得的一些新的结果。