不同晶态比条件下氢化纳米硅薄膜光学性质的研究

利用等离子体化学气相沉积系统,在射频源和直流负偏压源的双重激励下,保持射频功率、反应室气压、衬底温度、硅烷与氢气混合比以及总流量不变,改变直流负偏压从50～250V,在康宁7059玻璃衬底上制备了本征氢化纳米硅薄膜。利用拉曼散射仪表征了不同直流负偏压条件下薄膜微结构特征;利用Shmadzu UV-2450型光谱仪测试了薄膜样品透射图谱。研究发现提高直流负偏压将导致晶态比、沉积速率发生变化。薄膜的光吸收系数和消光系数随波长增加呈下降趋势;不同晶态比薄膜的悬挂键和有效载流子浓度、致密程度、键畸变程度和悬挂键数目的差异,致使晶态比增加,薄膜的吸收系数、消光系数在波长为400nm附近依次增加,光学带隙值从1.96eV减小到1.66eV。

位置控制在HX-500E分断机中的应用

简述了HX500E玻璃分断机所以能切割特殊ITO玻璃的设计特点、工作原理及工艺过程,介绍了该机运动机构及控制组成,并以平台伺服的选型为例,介绍了伺服系统电机的选型方法,三菱定位模块FX2N-1PG的使用特点及应用,FX2N-1PG模块在位置控制中利用近点检测法和伺服编码器Z相脉冲组合完成伺服回归机械原点的方法,并指出了一些位置控制原点回归方法注意事项。

单片机在玻壳和灯芯封接机中的应用

利用8032AH单片机实现玻壳与灯芯封接机的智能控制,提出了只改变微步步长来调整定位精度和转速的方法.

基于红外光电传感器的工业设备元件表面疵病检测技术

针对传统疵病检测技术因无法量化疵病等级而产生的精度限制,提出基于红外光电传感器的工业设备元件表面疵病检测技术。采用帧差法提取表面疵病图像特征,根据阈值设定获得经过处理的二值图像,确定特征属性;基于子图像极坐标空间表示法、齐次坐标以及变换矩阵方程,使待拼接图像的坐标完成转换,选取一帧属性图像作为根节点并查找与其具有相关性的图像,进而完成下一层级的相关性图像查找,待图像拼接完全,通过计算连通区域的长宽比,得到疵病参数指标数据,根据类别的初步判定对疵病等级进行划分,完成元件表面疵病检测。仿真实验表明,所提技术可以精准检测出元件表面疵病,具有优秀的检测性能与理想的适用性。

PZP-1220B偏光片切片机的改进创新

简要阐述了切片机的基本功能和关键技术指标,工作原理,以及在实际应用中的技术解决方案,并且详细阐述了机械结构设计中切割系统,传动系统,导轨安装板,机架的一些先期存在的不足之处和后续的改进、创新以及在电器元件、控制程序方面的完善。

铂铑包复钼合金搅拌器的研制

1 前言铂铑包复钼合金搅拌器是陕西彩色显像管总厂从日本引进的彩色显像管玻壳熔炉生产线中的关键设备。它用于彩色显像管玻壳熔炉的成型通道上,下部浸没在1150～1250℃的玻璃熔液中,作常年连续的旋转和上下往复运动。最大旋转速度为20r/min,上下行程250mm,玻璃液粘度10^(3·5)～10~4泊(1泊=0.1Pa·s),上部环境温度250～350℃,

粘接炉中空气回流板的应用

把屏和锥用低熔点玻璃膏粘接起来的工艺是彩色显像管生产中的一个主要工序。在粘接的同时，把涂屏工序中所用的腊克等其它有机物烤掉，最后将屏锥粘接到一起成为玻壳。怎样依据低熔点玻璃膏的特性，控制一条保证产品质量的温度曲线是保证粘接质量、少出废品的关键。本文提出在原ＳＭＩＴＨ公司生产的粘接炉内加装回流板的措施，实现了提高产品合格率和节能的双重功效。

立式氢炉焊接技术的研究及运用

通过对立式氢炉结构特点和焊接原理进行研究,得出了立式氢炉温度场的分布和环境因素对它的影响规律,提出采用迭加原理,通过合理装架焊件和合理选用焊料,对焊接过程实施有效控制,实现多个焊件同炉焊接的新技术。以75kW立式氢炉为例,对迭加法焊接新技术的工艺可行性和可靠性进行了验证。迭加法焊接新技术,使立式氢炉的生产效率成倍提高。

单晶炉设备的保养与维修

随着太阳能、大规模集成电路的快速发展,单晶炉获得了良好发展空间。由于单晶炉运行中对于精度要求较高,设备的保养与维护显得更加重要。为此,有必要深入了解设备维护及故障现象,排查安全隐患,提升单晶炉设备稳定性。

60吨玻璃压机床身的设计

简 介 1,压机结构 本设备主要由底座(l)、滑架(11)、气缸(15)、转阀(2)及管系(13)等组成,见图1。 (1)底座是本设备的基础。由小车 (4)、顶料机构(18)等组成。其小车系供安装下模之用。小车在气缸(5)驱动下沿导轨(19)作往复直线运动。 (2)滑架上端通过横梁(12)使两导柱架设于立柱(6)之间。

对DAP—1100型可编程熔封机的一点改进

DAP—1100型可编程熔封机是生产DO—34型、DO—35型、DO—41型玻壳二极管等的关键设备,该机由美国SST公司制造,它在DAP—700型手动控制熔封机的基础上作了两大改进,一是用6502型微处理器代替继电器,精确地控制了二极管熔封时的真空度、气压、加热温度、加热时间。