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磁控管V-I特性的近似分析及其应用
被引量:
1
1
作者
冯文荃
《南京大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
1990年第4期596-602,共7页
磁控管V—I特性有三种近似等效模型。它们是由线性等效得到的静态阻抗模型,级数展开得到的偏压二极管模型及由泰勒级数展开得到的小信号模型。三种等效有着完全不同的性质,实践中相应的有不同的应用范围。本文介绍了它们各自的应用限制...
磁控管V—I特性有三种近似等效模型。它们是由线性等效得到的静态阻抗模型,级数展开得到的偏压二极管模型及由泰勒级数展开得到的小信号模型。三种等效有着完全不同的性质,实践中相应的有不同的应用范围。本文介绍了它们各自的应用限制,着重介绍了小信号模型在加速器领域的应用。
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关键词
磁控管
静态阻抗
动态阻抗
加速器
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职称材料
题名
磁控管V-I特性的近似分析及其应用
被引量:
1
1
作者
冯文荃
机构
南京大学物理系
出处
《南京大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
1990年第4期596-602,共7页
文摘
磁控管V—I特性有三种近似等效模型。它们是由线性等效得到的静态阻抗模型,级数展开得到的偏压二极管模型及由泰勒级数展开得到的小信号模型。三种等效有着完全不同的性质,实践中相应的有不同的应用范围。本文介绍了它们各自的应用限制,着重介绍了小信号模型在加速器领域的应用。
关键词
磁控管
静态阻抗
动态阻抗
加速器
Keywords
magnetron
static impedance
dynamic impedance
biased-diode
small signal model
pushing figure
分类号
TN123.01 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
磁控管V-I特性的近似分析及其应用
冯文荃
《南京大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
1990
1
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