双栅极空气计数器系统参数优化设计方法

基于金属材料微裂纹检测传感器系统放电脉冲的形成过程 ,建立了离散化放电的数学模型 ,提出了传感器系统参数优化设计的一种新方法。实验结果表明 ,采用该理论设计的传感器系统参数 ,避免了经验公式设计的片面性 ,保证了传感器系统无损检测的可靠性和精确性。

Mo-Y_2O_3阴极的热电子发射性能

利用装管发射、电子显微分析等手段系统地研究了含３％～５％（ｗｔ）Ｙ２Ｏ３的ＭｏＹ２Ｏ３热阴极丝的电子发射性能和材料显微结构。结果表明，ＭｏＹ２Ｏ３丝具有良好的热电子发射能力，与ＷＴｈＯ２阴极相比发射效率高、工作温度低。经过与ＭｏＬａ２Ｏ３丝同样的碳化处理后，用Φ０２６ｍｍ的ＭｏＹ２Ｏ３丝作阴极的实验电子管与ＭｏＬａ２Ｏ３阴极电子管相比发射性能更稳定。ＭｏＹ２Ｏ３阴极丝材的显微结构为具有亚结构的纤维状组织，碳化层为粒状晶粒结构，该结构有利于Ｙ２Ｏ３迁移和输送到阴极表面。

LaB_6-ZrB_2共晶复合材料的组织特征及控制

用电弧炉和电子束悬浮区熔炉法制备了ＬａＢ６ＺｒＢ２共晶复合材料，并用ＳＥＭ和ＴＥＭ方法对其显微组织进行了研究。结果表明，ＬａＢ６ＺｒＢ２形成纤维状共晶组织，控制凝固条件可得到定向排列的组织，ＬａＢ６基体上均匀分布着直径为０２～１２μｍ的ＺｒＢ２纤维，纤维长度可达１００μｍ以上。对于固液界面为平面生长的试样，其结晶学取向关系为［００１］ＬａＢ６∥［００１］ＺｒＢ２，（１１０）ＬａＢ６∥（０１０）ＺｒＢ２。

SiC薄膜的场致发射实验研究

利用常压化学气相淀积（ＡＰＣＶＤ）设备，在单晶Ｓｉ片上淀积出了一层ＳｉＣ薄膜．这种ＳｉＣ薄膜可以用作场致发射的阴极，该文报道了其场致发射的Ｉ～Ｖ特性测试结果．结果表明，该薄膜的场致发射具有Ｆｏｗｌｅｒ－Ｎｏｒｄｈｅｉｍ的指数形式，而其发射场强的阈值约为１Ｖ／μｍ．在测试出的Ｉ～Ｖ特性曲线上，发现了共振隧穿特征．

X射线管中95Al_2O_3和Kovar合金的活性钎焊

通过润湿性实验、钎焊接头性能实验,系统地研究了95Al_2O_3和Kovar合金在不同形态Ag-Cu-Ti活性钎料作用下的润湿钎焊机制.实验发现钎焊合金与陶瓷发生了界面反应,生成Ti_3Al、TiAl等相.采用Ag-Cu—5Ti非晶钎料时,接头四点弯曲强度可达270MPa.

YAG投影管屏锥封接的原理与工艺

提出了利用低熔点玻璃进行ＹＡＧ投影管的ＹＡＧ屏与玻璃锥体封接的思想：分析了该封接工艺中材料膨胀系数的匹配、浸润性以及再结晶等问题；简要介绍了所用低熔点玻璃的物化性质，以及包括低熔点左玻璃膏剂调制、涂覆和焙烧在内的具体工艺规范。结果证实该封接性能良好，实现了ＹＡＧ投影管全玻结构的技术飞跃。

XAFS光束线的安装调试

最近第一条Ｘ射线光束线在合肥光源上安装调试成功，表明同步辐射一个极为重要的研究领域——ＸＡＦＳ测量在国家同步辐射实验室建成，即将向用户开放。本文从安装基准、工艺要求、试验方法、测量结果描述了光源前端区的安装、光束线上各光学元件的准直及双晶单色仪的调整。

钡钨阴极-热子组合件

文章着重介绍钡钨阴极-热子组合件试用于 D1006、D2013、D3024管型中。由于阴极形状和管结构的差异,降低热子加热功率各不相同。组合件正式投入 D2013管型中应用。

发动机ECU输入信号的电磁兼容设计

针对发动机ECU输入信号的电磁兼容问题,深入探讨了汽车上的几种电磁干扰发生机理。通过采用滤波、旁路、去耦等抗干扰设计的方法,对发动机氧传感器、磁电式转速传感器和爆震传感器输入ECU内部的电信号进行了抗干扰电路设计,该ECU输入信号抗干扰设计达到了国家标准的相关要求,同时对发动机ECU进行了实车装车运行测试,运行稳定表明该设计的ECU输入信号抗干扰电路满足电磁兼容性能要求。

25英寸QPF动态聚焦电子枪的计算和分析

采用动态聚焦电子枪是提高ＣＲＴ全屏分辨率的有效手段。本文对一种应用于２５英寸彩色显像管的动态聚焦电子枪进行了设计、计算和分析，并且对实验枪进行了测试和分析。

同轴电流注入法测试制导武器系统的电磁易损性

针对传统发射机和天线模式进行电磁环境效应试验耗资巨大、在甚低频以下频段天线尺寸太大、试验操作困难等难题,根据电磁场理论中的等效原理,提出了应用电流注入法测试制导武器(制导导弹、制导炸弹和火箭弹)电磁易损性(EMV)的试验方法。通过应用同轴线复电位理论进行了推导,并应用电磁场仿真软件进行了仿真验证,给出了适用频率上限的计算方法。本文提出的这种测试方法具有试验设施造价低廉,试验方法简单的特点,适用于常规兵器的电磁境效应测试。

四电极低压电子枪的实验研究

本文研制了一种低电压、高亮度的四电极电子枪。将双光阑法改进为“光阑-刀口”法,测量了四电极低压电子枪的亮度特性。

氧化物阴极的多次曝大气应用

本文从氧化物阴极的工作机理出发，分析了氧化物阴极在使用时出现的异常现象和消除办法。讨论了如何正确的使用氧化物阴极，延长其使用寿命。根据动态发射中心理论提出了在动态真空系统中工作的电子枪多次曝露大气使用的方法，使在动态真空系统应用中阴极的使用寿命大大地延长。

ITO阻值的精确计算及影响因素

论述了ITO、方块电阻的定义及ITO阻值的精确计算 ,并结合实际应用讨论了影响ITO阻值的因素 ,对版图设计和LCD生产的过程控制有一定的借鉴意义。

高分辨率CRT聚焦的自动调节

使用超声马达自动调节ＣＲＴ聚焦，效果极好。聚焦调节系统由超声马达，驱动电位器，驱动电路和ＣＣＤ摄像器组成。它能精确调节聚焦到０．３ｍｍ，在１０ｓ内完成。整个聚焦系统很简单，成本也低。

MCRT的特点及其扫描电路的设计

ＭＣＲＴ 是一种多枪结构的ＣＲＴ，是大屏幕扁平ＣＲＴ的经典模式之一。它是由多个小尺寸（如１０ 厘米左右）的ＣＲＴ，采用低熔点玻璃粉的封接技术，做成一个具有较大显示面积（如大于１００ 厘米）的ＣＲＴ。ＭＣＲＴ 具有一些优良的特性如：较大的显示屏幕、较小的厚度、良好的电子束光点、较高的亮度和对比度以及较高的分辨率等，它非常适合于户外使用。ＭＣＲＴ的整幅图像是由一些单元图像所组成的。拼接的图像往往会在单元图像之间形成一些亮带或黑带。这种亮黑带现象是ＭＣＲＴ应用中的一大严重缺陷。本文简要地介绍了ＭＣＲＴ及其扫描电路的基本特性，并且探讨了消除ＭＣＲＴ亮黑带现象的电路设计办法。本文也介绍了一种适用于双峰结构ＣＲＴ 的新的扫描电路模式并且给出了一些实验结果，双峰结构的ＣＲＴ 常被作为ＭＣＲＴ的原理性测试样管。

动态消像散的闭环控制

笔者首次利用计算机控制，使动态电磁消像散形成一闭环系统。避开输出的饱和区和截止区。

InAs/GaSb超晶格/GaSb体材料中短波双色红外探测器

采用GaSb体材料和InAs/GaSb超晶格分别作为短波与中波吸收材料,外延生长制备了NIPPIN型短中双色红外探测器。HRXRD及AFM测试表明,InAs/GaSb超晶格零级峰和GaSb峰半峰宽FWHM分别为17.57 arcsec和19.15 arcsec,10μm×10μm范围表面均方根粗糙度为1.82Å。77 K下,SiO_(2)钝化器件最大阻抗与面积乘积值RA为5.58×10^(5)Ω∙cm^(2),暗电流密度为5.27×10^(-7) A∙cm^(-2),侧壁电阻率为6.83×10^(6)Ω∙cm。经阳极硫化后,器件最大RA值为1.86×10^(6)Ω∙cm^(2),暗电流密度为4.12×10^(-7)A∙cm^(-2),侧壁电阻率为4.49×10^(7)Ω∙cm。相同偏压下,硫化工艺使器件暗电流降低1-2个数量级,侧壁电阻率提高了1个数量级。对硫化器件进行了光谱响应测试,器件具有依赖偏压极性的低串扰双色探测性能,其短波通道与中波通道的50%截止波长分别为1.55μm和4.62μm,在1.44μm、2.7μm和4μm处,响应度分别为0.415 A/W、0.435 A/W和0.337 A/W。

高电流密度氧化物阴极进展

氧化物阴极直流运用的发射电流密度为0．5A／cm^2，如使用Sc2O3分配式氧化物阴极，可使发射电流密度提高到2A／cm^2，而使用Ba2Sc2O5分配式氧化物阴极则有进一步提高到3．8Am／cm^2的可能。若采用Sc2O3的钨薄膜分配式氧化物阴极，则可进一步达到4A/cm^2不掺杂物质，仅将(Ba,Sr，Ca)O制成亚微米氧化物阴极也可将电流密度从0．5A／cm^2提高到2A／cm^2。

CRT改进与新技术

本文从未来市场对ＣＲＴ，特别是对彩管的需要出发论述了该项技术的改进。