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a-Si:H TFT有源矩阵制造技术的研究 被引量:2
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作者 张少强 徐重阳 +3 位作者 王长安 周雪梅 邹雪城 赵伯芳 《光电子技术》 CAS 1997年第1期9-14,共6页
对a-Si:HTFT有源矩阵的一些关键制造工艺进行了研究。研究了Ta2O5/a-SiNx双绝缘层的制备技术,提出了一种新的双有源层结构a-Si:HTFT来降低背光源对器件特性的影响,研制的a-Si:HTFT有源矩阵实现了彩色视频信号的动态显示。
关键词 有源矩阵 液晶显示器 光敏性
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染色法制作液晶显示用彩色滤色器的研究 被引量:2
2
作者 陈嵘 《光电子技术》 CAS 1995年第2期130-135,共6页
微型彩色滤色器已成为实现LCD彩色显示的主要手段。染色法因其色度性能好,工艺相对简单,成本低廉,而最先获得商业应用。本文介绍和分析用染色法制作滤色器的工艺过程及我们获得的结果。整个工艺的关键是一定分子量、窄分子量分布的... 微型彩色滤色器已成为实现LCD彩色显示的主要手段。染色法因其色度性能好,工艺相对简单,成本低廉,而最先获得商业应用。本文介绍和分析用染色法制作滤色器的工艺过程及我们获得的结果。整个工艺的关键是一定分子量、窄分子量分布的多肽物质的制备。滤色器的色度性能则主要由染料品种和染色介质层厚度决定。检测结果表明我们制得的滤色器有良好的分辨率、色度性能、表面平整度及热、光、化学稳定性。综合性能满足使用要求。 展开更多
关键词 滤色器 染色 液晶显示
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薄膜晶体管矩阵液晶显示器的无缺陷技术
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作者 葛长军 成建波 +1 位作者 周炜 靳在渊 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第6期54-57,共4页
分析了薄膜晶体管矩阵液晶显示器(TFT-LCD)的缺陷分类、成因,研制出了TFT-LCD短、断路缺陷检测和全板显示检测的测试板,系统介绍了各种缺陷的激光修补技术和TFT-LCD屏的冗余技术,作者在美期间开发出了利用减法激光修补仪进行加法... 分析了薄膜晶体管矩阵液晶显示器(TFT-LCD)的缺陷分类、成因,研制出了TFT-LCD短、断路缺陷检测和全板显示检测的测试板,系统介绍了各种缺陷的激光修补技术和TFT-LCD屏的冗余技术,作者在美期间开发出了利用减法激光修补仪进行加法修补的独特工艺. 展开更多
关键词 缺陷检测 激光修补 TFT-LCD 液晶显示器
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宽低温STN-LCD加热装置的研制
4
作者 郑康 《电子器件》 CAS 1998年第4期228-232,共5页
本文介绍了宽低温STN-LCD加热装置的设计和制备方法,并对低温加热的实验结果进行了讨论和分析。
关键词 STN-LCD 低温工作 加热装置 液晶显示器
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电沉积法制备彩色滤光膜
5
作者 付金美 郭金梁 高鸿锦 《微细加工技术》 1999年第2期28-34,共7页
介绍了电沉积法制备彩色滤光膜的基本原理和电沉积涂料的主要组分,着重介绍了两种不需将透明电极排列成图案的改进的电沉积法——多次曝光法和一次曝光法,这两种工艺通过采用光刻技术克服了传统电沉积法中像素排列的缺点。
关键词 彩色滤光膜 电沉积法 电深积涂料 液晶显示器
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LCDs用彩色滤光片 被引量:6
6
作者 郭淑慈 《真空电子技术》 1997年第3期31-42,共12页
本文介绍了LCDS用彩色滤光片(CF)的结构和特性,并较详细地讨论了当今几种流行的CF制造方法。
关键词 彩色滤光片 印刷法 电解淀积法 液晶显示器 LCDS
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液晶显示器专用热固型环氧密封胶的工艺特性 被引量:3
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作者 童纪雄 吕佳鹏 《现代显示》 1998年第2期38-40,12,共4页
讨论了与普通热固型环氧胶粘剂相比,液晶显示器专用热固型环氧密封胶在丝网印刷性、初始粘接力、表面张力、触变性、流变性、污染性、粘接强度、超细填料等八个方面,应具备怎样的特性才能满足专业用途的要求。
关键词 环氧密封胶 LCD 制作工艺 液晶显示器
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液晶显示屏制造设备开始标准化
8
作者 双木 《电子产品世界》 1997年第4期65-66,共2页
一、必要性及背景在日本,液晶显示屏制造设备市场一直在高速增长,1993年和1994年都比前一年增长50%以上.1995年,日本厂家的液晶显示屏制造设备销售额(在日本国内市场的销售额和出口销售额),比上一年增长17%,达至998.47亿日元(约合9.08... 一、必要性及背景在日本,液晶显示屏制造设备市场一直在高速增长,1993年和1994年都比前一年增长50%以上.1995年,日本厂家的液晶显示屏制造设备销售额(在日本国内市场的销售额和出口销售额),比上一年增长17%,达至998.47亿日元(约合9.08亿美元);而日本市场上的液晶显示屏制造设备销售额(日本产品在国内市场上的销售额和进口产品销售额),则比上一年增长18.9%,达到832.23亿日元(约合7.57亿美元). 展开更多
关键词 液晶显示屏 制造设备 标准化
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GaP/GaP红色多片液相外延
9
作者 李井春 韩书芳 +1 位作者 张丕春 蒋凤田 《应用激光联刊》 CSCD 北大核心 1989年第5期261-264,共4页
本文采用双石英反应管,硬接管路外延反应系统研究了GaP/GaP红色多片外延生产问题。通过正交试验,单项试验得到了多片外延生长最佳条件:n型外延过程中掺Te量为0.008mol%;p型外延过程中掺Ga_2O_3量为0.8mol%。用本试验得到的大量外延片,... 本文采用双石英反应管,硬接管路外延反应系统研究了GaP/GaP红色多片外延生产问题。通过正交试验,单项试验得到了多片外延生长最佳条件:n型外延过程中掺Te量为0.008mol%;p型外延过程中掺Ga_2O_3量为0.8mol%。用本试验得到的大量外延片,对每一片外延片都制成结面积为300×300μm^2台面二极管的芯片,把芯片采用压焊技术装在T018管壳上。测得芯片光强的平均位为0.55mcd/10mA,而最大值为0.8mcd/10mA。制得的φ5红色发光二极管光强平均值为2mcd/10mA。已得到批量外延片,发光效率为2—3%。 展开更多
关键词 GAP 液相外延 显示器件 发光二极管
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