D波段行波管电子光学系统设计

提出一种用于D波段行波管的电子光学系统设计方案,包括电子枪和永磁聚焦系统,并进行了验证。电子枪采用经典皮尔斯电子枪结构,阴极发射面的外层设置阴极套壳,抑制阴极边缘杂散发射;采用圆柱形控制极替代锥形控制极,同时在聚焦极加负偏压,调节电子注的压缩状态。所设计电子枪工作电压为19 kV,提供电子注电流57 mA,注腰半径为0.068 mm,射程为14.9 mm。为在半径0.15 mm的电子通道中稳定地聚焦和传输电子注,永磁聚焦系统采用周期永磁聚焦系统。峰值磁场为布里渊磁场的2.9倍,增加了电子注刚性。模拟结果显示,传输的电子注最大波动半径小于0.1 mm。按所设计的电子光学系统加工组装了试验流通短管,测试结果显示电子注电流为49.83 mA,收集极电流为49.6 mA,对应电子注流通率达到99.5%,实现了设计目标。

激光对面阵CCD器件破坏的一种新机理

用波长为1 064 nm、脉宽为5 m s的激光辐照SONY ICX055BL可见光硅CCD器件,实验中由图像采集卡采集得到相机的视频输出,同时用示波器检测ICX055BL的输出信号和垂直输出时钟信号。结果表明,在脉冲激光的辐照下,器件比较容易被破坏。研究中将器件作为一个功能整体,破坏机理分析不只局限于CCD的探测、电荷存储、电荷转移的MOS结构部分。结合实验结果和CCD器件的电路特点,初步判断该器件的破坏机理为电路破坏,脉冲激光所产生的信号电荷冲坏了复位的场效应管,使器件整体永久失效。

1.319μm连续YAG激光束对可见光面阵CCD系统的干扰研究

利用1.319μm连续钇铝石榴石激光对可见光面阵CCD系统进行干扰实验,分析了该CCD系统发生干扰饱和的原因,计算了1.319μm激光辐照面阵可见光CCD的干扰饱和阈值,利用实验数据在定量上验证了计算结果。当像面上激光功率密度达到102W/cm2量级时,CCD出现饱和串音,达到103W/cm2量级时,出现全屏饱和。

多波段高功率激光扩束系统设计

对透射式和反射式扩束系统应用于高功率激光扩束的优缺点进行了对比研究。采用次镜为凸抛物面,主镜为凹抛物面的无焦卡塞格林系统,运用ZEMAX光学设计软件,按激光扩束系统的扩束倍率和系统的波像差要求,设计出多波段高功率激光扩束系统。对用于高功率激光反射镜的基底材料进行分析,选用无氧铜作为基底材料;采用金增强的膜系设计,膜系从近红外到远红外宽光谱波段激光的反射率均在98%以上。面形精度均方根值优于λ/40(λ=0.632 8μm)的平面镜作为基准镜,采用光学干涉方法对设计的激光扩束系统进行检测实验,结果表明:该扩束系统的扩束倍率为3.53,波像差为0.206λ,满足多波段高功率激光光束发射要求。

水流挟沙力分析与探讨

水流挟沙力是悬沙输运计算中非常重要的问题之一,其计算形式常采用基于重力理论的经验和半经验公式。本文针对目前广泛采用的2种挟沙力关系式,选用4组实验水槽数据和2组天然河道实测资料分别讨论其关联性。结果表明,不论指数m在其取值范围内取何值,2个表达式皆存在一定的函数关联性。且当指数m取1和2/3时,直接表现出很强的线性关联。在挟沙力计算中采用流速的平方关系式,物理意义清晰,形式简单。在实际应用时,适当选取系数,挟沙力采用形式简单的平方关系式是完全可行的。

在烧结氧化中Se气氛对真空微电子平板摄像管CdSe靶面性能的影响

CdSe是研制高灵敏真空微电子平板摄像管光导靶材材料 ,在CdSe靶材的结晶过程中Se气氛对形成完整的晶格结构起了至关重要的作用。介绍了精确控制Se气氛的实验装置和Se气氛对CdSe光导靶性能影响的实验结果。

电磁聚焦成象系统中带不饱和磁铁聚焦磁场的约束逆设计

本文对电磁聚焦成像系统中带不饱和磁铁的聚焦磁场的逆设计进行了探讨,用约束优化方法——内罚函数法来设计能实现给定磁场分布的实际磁聚焦线圈系统。

电磁聚焦移象系统中聚焦磁场的逆设计

作者建立了数学模型,用最优化方法对系统中的聚焦磁场进行了设计,计算结果与所要求的磁感应强度的轴上分布相当一致。文中给出了实验测量和验证。

电视摄象机测量误差探讨

本文简述了用电视摄象机进行工业尺寸测量的微分法与拟合法的基本原理,同时详细的讨论了各自所能达到的精度极限。本文用实验验证了理论计算的结果,最后对二维工件测量时,如何根据工件的不同形状与位置以及光学系统的特点,提出了在测量时工件的放置应该注意的问题以及对工件拐角处如何进行处理的方法。

全静电摄像管聚焦偏转系统的正交设计

采用图案电极的静电聚焦静电偏转(SS型)摄像管具有功耗低、扫描频率可变、分辨率高、体积小和重量轻等优点。该文采用计算机辅助设计,分析、讨论了改进型单透镜式(三电极结构)全静电摄像管的结构参量、电参量对电子束的聚焦偏转特性的影响,并应用正交设计法对聚焦偏转系统进行了正交优化设计,给出了该系统的结构参数。

静电偏转型摄像管聚焦偏转系统设计Ⅰ—场的计算

磁聚焦静电偏转(MS)和静电聚焦静电偏转(SS)型摄像管具有图像失真小,分辨率高且均匀,电子束易于垂直上靶,阴影小等优点,所以受到人们的重视。但图案偏转电极的形状复杂,非对称场的计算较困难。本文对静电偏转型聚焦偏转系统的结构作了分析研究,远用分离变量法给出了圆柱坐标中静电聚焦(旋转对称)场和静电偏转(非旋转对称)场的解析解,并给出了计算实例。

高帧速摄像器

本文介绍了高帧速摄像器的设计、制造、工作和性能。该高帧速有３６０×３６０像素、摄像速度高达５×１０５帧／秒，该摄像器读出电路类似于帧转移ＣＣＤ。

静电偏转型摄像管聚焦偏转系统设计(Ⅱ)——电子轨迹的追迹计算

论述了磁聚焦静电偏转(MS)型和静电聚焦静电偏转(SS)型聚焦偏转系统设计中有关电子轨迹的计算方法,给出了复合场中的运动方程和数值求解方法,并用矩阵方法对28项电位解析函数偏导作了优化处理。史中还给出了螺线管轴上和轴外磁通量密度分量及其一阶导数的矩阵式。讨论了电子轨迹在r=0的计算式。最后给出了计算实例。

石英玻璃与金属封接工艺的研究

介绍了石英玻璃与金属封接的工艺。给出了封接方法和一些实验结果。还介绍了真空蒸镀金属的工艺。这类工艺较为简单、粘性好、封接成品率高,在微弱紫外光和低照度电视摄象系统中已经获得应用。

MS型摄像管聚焦磁场的计算

对磁聚焦静电偏转型(MS型)摄像管的聚焦磁场进行了分析,模拟计算了聚焦磁场的大小,给出了磁聚焦电子轨迹的计算方法及计算结果,并对所得结果进行分析。文中计算公式对于计算机辅助设计摄像管聚焦磁场是适用和方便的。

φ18mm全静电摄像管

该文研究了全静电摄像管的设计原理和制作工艺。研制出的φ１８ｍｍ全静电摄像管的中心分辨率４５０ＴＶＬ、４００ＴＶＬ时中心调制度２５％，光栅畸变小于１．５％，其特点是体积小，重量轻，功耗低，结构简单，便于生产。

超高灵敏度新型Super-HARP摄像管的发展

超高灵敏度新型Super -HARP摄像管是用光电倍增原理制成的新型固体光电摄像器件。文中对该器件的工作原理和结构特点进行了较全面的介绍。给出了部分器件的技术特征和技术参数 ,并对今后超高灵敏度摄像管的发展方向进行了初步探讨。

固体摄像器发展动向

本文介绍固体摄像器件在小型化，多功能化方面取得的新进展。具体介绍六种新型器件。

新型真空摄像器件及其应用

本文介绍近几年出现的真空摄像器件的结构和性能特点及其新应用。

高分辨率SS型摄像管伪信号的成因及防止

本文研究了高分辨率SS型摄像管伪信号产生的原因。认为由靶返回的电子束轰击栅极G_2产生反射电子束,再轰击靶面形成伪信号。消除伪信号可在栅极G_2上设计偏转反射束R_2的电极板,也可在栅极G_2前增加反射R_2的电极板。