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φ25/25像增强器的厚三碱光电阴极制备
1
作者
高景华
史鹏飞
《应用光学》
CAS
CSCD
1999年第5期8-11,共4页
本文讨论25/25 像增强器的厚三碱光电阴极制备工艺和改进要点。
关键词
光电阴极
像增强器
制备工艺
三碱阴极
下载PDF
职称材料
透射式GaAs光电阴极抗光反射膜的研究
2
作者
郭里辉
赛小锋
侯洵
《高速摄影与光子学》
CSCD
1991年第2期160-166,共7页
本文计算了在透射式GaAs光电阴极的窗玻璃和GaAlAs缓冲层之间引入Si_3N_4或SiO_2膜使光电阴极的入射光反射率所产生的变化,并测量了Si_3N_4膜、SiO_2膜和SiO_2/Si_3N_4复合膜对阴极反射率的影响。理论计算和测量表明,Si_3N_4膜和SiO_2/S...
本文计算了在透射式GaAs光电阴极的窗玻璃和GaAlAs缓冲层之间引入Si_3N_4或SiO_2膜使光电阴极的入射光反射率所产生的变化,并测量了Si_3N_4膜、SiO_2膜和SiO_2/Si_3N_4复合膜对阴极反射率的影响。理论计算和测量表明,Si_3N_4膜和SiO_2/Si_3N_4复合膜可有效地降低光电阴极对入射光的反射率。当Si_3N_4膜的厚度约为100nm时,可使光电阴极的反射率降低近60%。本文结果为科学地选择透射式GaAs光电阴极所需的的抗光反射膜提供了依据。
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关键词
GAAS
光电阴极
抗光
反射膜
反射率
下载PDF
职称材料
透射式GaAs(Cs,O)光电阴极稳定性的研究
被引量:
3
3
作者
闫金良
朱长纯
向世明
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第2期157-160,共4页
研究了光照强度和残余气体对阴极稳定性的影响 ,比较阴极在管壳内和激活室内的阴极稳定性 ,用俄歇谱仪分析激活的 Ga As光电阴极表面和灵敏度衰减到 0时的 Ga As光电阴极表面 .结果表明 。
关键词
负电子亲和势
残余气体
稳定性
光电阴极
微光像增强器
CaAs(Cs
O)
光照强度
俄歇谱仪
下载PDF
职称材料
GaAs/GaAlAs透射式光电阴极的分辨力特性分析
4
作者
闫金良
《应用光学》
CAS
CSCD
1998年第5期17-20,共4页
从简化的二维扩散方程出发,推导GaAs/GaAlAs透射式阴极的调制传递函数表达式,计算2μm厚GaAs阴极层的GaAs/GaAlAs透射阴极的理论分辨力特性曲线,并讨论它与若干参数的关系。
关键词
GaAs/GaAlAs透射式光电阴极
分辨力
量子效率
三代像增强器
二维扩散方程
下载PDF
职称材料
题名
φ25/25像增强器的厚三碱光电阴极制备
1
作者
高景华
史鹏飞
机构
西安应用光学研究所
出处
《应用光学》
CAS
CSCD
1999年第5期8-11,共4页
文摘
本文讨论25/25 像增强器的厚三碱光电阴极制备工艺和改进要点。
关键词
光电阴极
像增强器
制备工艺
三碱阴极
Keywords
photocathode
image intensifier
preparation process
分类号
TN144.03 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
透射式GaAs光电阴极抗光反射膜的研究
2
作者
郭里辉
赛小锋
侯洵
机构
中国科学院西安光学精密机械研究所
出处
《高速摄影与光子学》
CSCD
1991年第2期160-166,共7页
文摘
本文计算了在透射式GaAs光电阴极的窗玻璃和GaAlAs缓冲层之间引入Si_3N_4或SiO_2膜使光电阴极的入射光反射率所产生的变化,并测量了Si_3N_4膜、SiO_2膜和SiO_2/Si_3N_4复合膜对阴极反射率的影响。理论计算和测量表明,Si_3N_4膜和SiO_2/Si_3N_4复合膜可有效地降低光电阴极对入射光的反射率。当Si_3N_4膜的厚度约为100nm时,可使光电阴极的反射率降低近60%。本文结果为科学地选择透射式GaAs光电阴极所需的的抗光反射膜提供了依据。
关键词
GAAS
光电阴极
抗光
反射膜
反射率
Keywords
Transmission mode GaAs photocathode
Anti-reflection film
Reflectivity
分类号
TN144.03 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
透射式GaAs(Cs,O)光电阴极稳定性的研究
被引量:
3
3
作者
闫金良
朱长纯
向世明
机构
西安交通大学电信学院电子工程系
西安应用光学研究所
出处
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第2期157-160,共4页
基金
国防科技重点基金! ( 2 .2 .3 .1)
中国博士后科学基金! (中博基[1999] 17号 )资助项目&&
文摘
研究了光照强度和残余气体对阴极稳定性的影响 ,比较阴极在管壳内和激活室内的阴极稳定性 ,用俄歇谱仪分析激活的 Ga As光电阴极表面和灵敏度衰减到 0时的 Ga As光电阴极表面 .结果表明 。
关键词
负电子亲和势
残余气体
稳定性
光电阴极
微光像增强器
CaAs(Cs
O)
光照强度
俄歇谱仪
Keywords
photoemission
image intensifier
negative electron affinity
residual gas
stability
分类号
TN144.03 [电子电信—物理电子学]
TH838.2 [机械工程—精密仪器及机械]
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职称材料
题名
GaAs/GaAlAs透射式光电阴极的分辨力特性分析
4
作者
闫金良
机构
武警学院基础部
出处
《应用光学》
CAS
CSCD
1998年第5期17-20,共4页
文摘
从简化的二维扩散方程出发,推导GaAs/GaAlAs透射式阴极的调制传递函数表达式,计算2μm厚GaAs阴极层的GaAs/GaAlAs透射阴极的理论分辨力特性曲线,并讨论它与若干参数的关系。
关键词
GaAs/GaAlAs透射式光电阴极
分辨力
量子效率
三代像增强器
二维扩散方程
Keywords
GaAs/GaAlAs photocathode, resolution, quantum yield, third generation intensifier
分类号
TN144.03 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
φ25/25像增强器的厚三碱光电阴极制备
高景华
史鹏飞
《应用光学》
CAS
CSCD
1999
0
下载PDF
职称材料
2
透射式GaAs光电阴极抗光反射膜的研究
郭里辉
赛小锋
侯洵
《高速摄影与光子学》
CSCD
1991
0
下载PDF
职称材料
3
透射式GaAs(Cs,O)光电阴极稳定性的研究
闫金良
朱长纯
向世明
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001
3
下载PDF
职称材料
4
GaAs/GaAlAs透射式光电阴极的分辨力特性分析
闫金良
《应用光学》
CAS
CSCD
1998
0
下载PDF
职称材料
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