微通道板离子壁垒膜及其对入射离子的阻止作用

给出了三代微光像管中微通道板离子壁垒膜对入射正离子阻止作用的描述,引进了核阻止本领、电子阻止本领和平均射程的概念。结合Tomas-Fermi屏蔽势进行了分析讨论和Monte-Carlo模拟计算,给出Al2O3和SiO2薄膜对不同能量垂直入射时的核、电子阻止的定量结果。得出了Al2O3薄膜阻止本领比SiO2阻止本领高的结论。证实了选用Al2O3离子壁垒膜的科学性和可行性。

SiO_2防离子反馈膜的制备及其性能

防离子反馈膜是一种覆盖在微通道板输入端的Al2O3或SiO2连续超薄膜,该膜对延长微光像管的使用寿命具有重要的作用。首先采用射频磁控溅射方法在0.5～1μm的有机载膜上制备Si薄膜,然后在4～6Pa氧气下放电使其贴敷到微通道板上,同时使Si膜氧化和有机载膜分解,最后在微通道板输入面上形成满足设计要求的SiO2防离子反馈膜。该制膜方法工艺稳定,重复性好,成品率超过90%。给出了有、无薄膜时微通道板的电子透过特性曲线和膜层厚度与死电压间关系曲线。对相同厚度为5nm的SiO2和Al2O3防离子反馈膜的电子透过特性进行了分析和比较,得出了SiO2比Al2O3薄膜对电子透过稍好,相应的死电压分别为220V和255V的结论。结合对膜层电子透过和离子阻止特性的综合分析可以看出,SiO2也是制作微通道板防离子反馈膜较为理想的材料之一。为了定量表征微通道板防离子反馈膜的离子阻止能力,最后指出了防离子反馈膜离子透过率的测量是今后该项研究工作的当务之急。

新一代二维通道电子倍增器的薄膜连续打拿极

概述了传统还原铅硅酸盐玻璃微通道板(RLSG-MCP)及其特点以及MCP的新发展;介绍了材料的二次发射特性,给出了传统MCP薄膜连续打拿极结构特点和形成工艺。在此基础上,重点论述了用半导体工艺技术制作新一代二维电子倍增器———先进技术微通道板(AT-MCP)的薄膜连续打拿极制备新技术,给出了具体工艺和实验结果,示出了电镜照片和实验曲线,指出了新工艺的优点和发展前景。

太赫兹行波管永磁聚焦系统仿真分析与设计

利用Ansoft Maxwell 2D软件建立太赫兹行波管永磁聚焦系统仿真模型,对模型结构尺寸进行参数化分析,研究永磁聚焦系统结构尺寸对聚焦系统轴向磁场分布、均匀区磁通密度(B)、磁场不均匀性(Δ)、磁场0点到均匀区距离(S)、均匀区长度(H)和系统重量(m)等多个指标的影响。在此基础上优化设计出了新的永磁聚焦系统,确定了永磁聚焦系统结构最佳尺寸。对应聚焦系统中心轴线上轴向磁场S=16 mm,H=30 mm,B=0.94 T,Δ=1.7%,m=10 kg。

重复频率高功率微波加速器X射线屏蔽的估算（英文）

高功率微波的研究正在向高重复频率发展,目前已运行每年百万炮次或以上的水平,由此导致的电子束轫致辐射产生的X射线剂量已不可忽视,为了人员安全必须采取屏蔽措施。采用BEAMnrc程序,用蒙特卡罗方法仿真了环状束高功率微波源收集极的射线产生情况,典型输入束流参数为电压1 MV,电流10kA,脉宽100ns,重复频率100Hz。仿真结果给出了X射线的谱分布和空间分布。据此估算了屏蔽X射线所需的墙壁衰减量。同时估算了X射线的天空散射因素以及房顶所需的衰减量。

离子轰击引起的场致发射体发射电流跌落的研究(英文)

在场致发射器件中 ,发射电流通常会随着工作时间的增加而跌落 .发射电流跌落的机理较为复杂 .本文模拟分析了一次电子从场致发射发射体表面的发射情况 .根据一次电子的电流密度分布和运动轨迹 ,研究残余气体分子的电离 .然后计算正离子在电场中的运动轨迹 ,利用半经验模型分析不同能量的正离子对发射体表面的损伤情况 。

磁场引导双电子束传输模拟和实验研究

利用外加纵向磁场把单台加速器驱动双阴极二极管产生的同步双电子束引出双漂移管,是双电子束实用化的关键环节。在实心束情况下,对双电子束约束磁场进行了3维PIC模拟。在粒子模拟的基础上搭建了双电子束磁场引导系统,进行了磁场引导环形双电子束传输实验研究,在二极管电压约380 kV时,环形双束流值分别为5.10 kA和4.92 kA。实验结果表明,所设计磁场系统能够对环形双电子束进行有效约束,有效约束磁场约0.5 T。

模具型腔的电子束表面精整加工机床研究

针对模具复杂型腔常规抛光效率和质量低的特点,提出采用电子束精整加工的方法并论证其优点。详细阐述了电子束抛光的原理,包括电子束流的产生,电子束加工工艺流程以及控制关系,并提出电子束精整加工装置的结构方框图,从而从理论和方案上解决了电子束精整加工的基本技术问题。

Bi_2O_3过量对熔盐法制备Bi_4Ti_3O_(12)粉体的影响

以NaCl-KCl熔盐法制备了各向异性的Bi4Ti3O12粉体,研究了w(Bi2O3过量)对粉体的影响,优化了制备Bi4Ti3O12粉体的工艺参数。结果表明:w(Bi2O3过量)为7.5%,1100℃烧结2h所得到的Bi4Ti3O12粉体微观形貌最佳,并探讨了Bi4Ti3O12粉体在熔盐中的生长机理。

具有七个焦点的碳纳米管阴极分布式X射线源

介绍一种具有七个焦点的碳纳米管阴极分布式X射线源,具有多焦点集成和可编程脉冲发射的特点,基于该X射线源的辐射成像系统能够快速实现7个不同视角的静态层析成像。碳纳米管阴极采用电泳沉积法制备,单个阴极产生的最大电流可达14 mA,具有很好的大电流发射稳定性和一致性。设计的阳极电压为70 kV,通过模拟仿真计算对结构进行优化,实现了电子束的有效聚焦,平均焦点尺寸小至0.60 mm*0.95 mm,且展现出较好的一致性。整个腔体采用精密加工封装工艺和超高真空排气工艺,获得并保持稳定的超高真空状态。

电子束偏放输出温度漂移的自动补偿

分析了ＳＤＳ－２多功能电子束扫描系统输出温度漂移的主要因素，经过理论分析提出了一种减少温度漂移的有效方法，实验表明此方法有很好的温度漂移的自动补偿。

电子束蒸镀MCP超薄防离子反馈膜及膜层特性分析

为了进行MCP超薄防离子反馈膜的性能评价研究,并使这种膜层具有良好离子阻挡能力,利用电子束蒸发方法,在微通道板(MCP)输入面上制备一种超薄Al2O3防离子反馈膜,其膜层厚度为2nm时仍连续致密。通过对Al2O3防离子反馈膜的电子透过特性测试,给出2nm及4nm厚防离子反馈膜对应的死区电压分别约为150V及200V;利用Monte-Carlo法模拟分析了Al2O3防离子反馈膜的离子阻挡特性,2nm及4nm厚Al2O3防离子反馈膜对碳离子等的阻挡率分别高于40%及86%,另外对有无膜的MCP电特性进行测试,可以看出镀2nm及4nm厚的膜后,MCP电子增益分别降低了51%及81%。

一种全桥逆变结构高压电源研制

为满足X光安全检查领域的X射线管正常工作要求,需要设计满足其使用要求的高压电源。本文采用全桥高频逆变技术,以UC2526ADW为控制核心,结合相应高压变压器设计技术,设计了一种安全检查领域的X射线管工作用160kV输出的高压电源。通过加入X射线管、灯丝加热电源及测试油箱进行了联合实验,实验证明设计的该高压电源,可以对X射线管正常施加160kV高压及2mA管电流,且输出稳定性好、能长期稳定工作,有效的减小了高压变压器寄生参数对电路的影响,满足实际产品使用需要。

基于半桥拓扑安检用X射线源灯丝电源设计

随着社会的发展,全球安全形势愈发严峻,X光安检机作为反恐、防恐的重要手段之一应用也越来越广泛。X射线管作为X光安检机的核心部件之一,其工作性能和稳定性直接影响着安检图像清晰度及对被检物的辨识度。为了提高整机性能,解决X射线管的供电稳定性问题,本文介绍了一种用于安检领域X射线管的20W灯丝供电电源。该电源采用半桥高频逆变,采用SG3526作为控制核心。通过接入160kV的X射线源系统进行测试,在输出160kV管电压,2mA管电流时,管电流纹波为0.134%,低于系统要求的1%。测试结果表明该电源绝缘可靠、输出稳定、管电流波动小,完全满足实际应用需要。

光阴极电子枪的研究

一、光阴极的研究进展情况 1.问题的提出 在发展FEL的过程中,对电子束的品质提出了很苛刻的要求,而束流品质是用亮度来表征的,规一化峰值亮度定义为:

滑移脉冲产生器

采用高性能集成电路、运算放大器和精密的取样/保持放大器,研制了全集成化的滑移脉冲产生器.主要用于多道脉冲幅度分析器的道宽一致性的精确测量.

具有光电偏转器的CRT

在ＣＲＴ内，沿阴极与屏间的电子束路径，存在着一个偏转系统。该系统至少有一个静电光电偏转器，它有一个对入射光辐射有响应的光电探测器。该探测器对光电偏转器产生电偏转场调节的电荷。光电偏转器具有两或三个电极，以便能够使产生与电荷在或不在同一空间。光电探测器可以是一个光电阴极或光电二极管。

B1050管用长寿命阴极初探

本文为满足Ｂ１０５０飞机座舱管对氧化物阴极大电流密度，长寿命等性能的要求，对阴极制造及其寿命特性做了初步的探讨。

基于大数据聚类分析的电网信息化运维系统设计

针对决策树、SVM和神经网络3种算法下的电网信息化运维系统性能不足的问题,设计基于大数据聚类分析的电网信息化运维系统。该系统整体框架采用ExtJs+Spring+iBatis架构,硬件包括:感知集成芯片、数据传输设备、数据融合处理器、中央控制器、可视化设备。软件运行利用集成芯片将相关电网数据抽取出来,传输到数据融合处理器中,基于聚类分析算法从电网信息中发现异常信息,得到的检测结果通过可视化设备显示出来,实现电网信息化运维。实验结果表明,与传统系统相比,所设计系统由于迭代次数减少,占用系统内存减少,从而提高了系统CUP频率。由此可知本系统的整体运行性能要优越,为保证电网信息安全、稳定、完整奠定了基础。

丝束同轴冷阴极电子束熔丝特性及TC4成形组织

针对热阴极电子束轴侧熔丝与丝束同轴冷阴极电子束熔丝方法的特点进行分析,研究了丝束同轴冷阴极电子束熔丝增材制造熔滴过渡特点及获得滴状过渡和搭桥过渡方式需要满足的条件。采用直径2 mm的TC4钛合金丝材制备出丝束同轴冷阴极电子束熔丝增材制造的钛合金试样,对其微观组织进行分析,结果表明:与常规热阴极电子束轴侧熔丝成形的工艺相比,丝束同轴冷阴极电子束熔丝成形试样的组织表现为等轴晶与柱状晶层层交替叠加的状态,柱状晶与等轴晶尺寸明显减小,表明成形试样的晶粒细化,力学性能得到提高。