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题名增强硅中掺铒发光强度的途径研究
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作者
黄政
胡浩
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机构
贵州大学光电子技术及应用重点实验室
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出处
《现代电子技术》
2011年第14期128-130,134,共4页
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文摘
硅在微电子学领域有着极其广泛的应用,但它是一种间接能隙半导体,发光器件领域是它的缺项。利用在硅中掺入铒发光中心,研制出一种新的发光二极管(Si:Er LED),它的发光波长为1.54μm,恰好满足石英光纤通信的要求。对掺铒硅的电学特性、材料性能、发光机理等进行了总结,发现制约掺铒硅实用化的一些问题,在此基础上得出提高其发光效率的途径,并介绍了掺铒硅器件的行为和未来展望。
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关键词
掺铒硅
发光二极管
发光效率
石英光纤通信
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Keywords
Er-doped silicon
luminescence
luminescence efficiency
quartz fiber communication
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分类号
TN204-34
[电子电信—物理电子学]
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