红外材料硅透镜加工工艺研究

随着红外空空导弹的发展,红外光学材料单晶硅得到了广泛的应用。介绍了单晶硅材料加工透镜的工艺过程,着重研究了硅透镜的抛光技术,通过使用不同的抛光粉及抛光模层材料,找到了加工硅透镜的最佳工艺匹配条件。实验结果表明:使用SiO2胶体配制的抛光液(PH 10￣11)及用抛光布制成的抛光模,采用机械-化学方法抛光出的零件表面疵病达到III级(GB1185-74),并能够通过修改抛光模控制光圈及光圈误差,加工出的硅透镜满足导弹光学系统的要求。

CVD法制备ZnS的生长率均匀性研究

采用化学气相沉积 ( CVD)法制备 Zn S块状多晶红外窗口材料。试验通过改变炉内压力、增加 Ar气稀释量以及改变 H2 S进气位置来研究沉积速率的均匀性。试验结果表明 ,炉内压力降低和增大 Ar气稀释量 ,可提高晶体在衬底上的沉积速率均匀性 ,但沉积速率下降。改变 H2 S进气位置 ,有效地改善了 H2 S气体的均匀分布 ,可提高沉积速率的均匀性 ,同时也提高沉积速率 ,并对显微组织和红外光学性能进行了观察测试。

碲镉汞薄膜的有机金属化合物汽相外延生长

利用水平、常压有机金属化合物汽相外延（MOVP）装置，DMCd、DIPT及元素汞在约360℃，采用互扩散多层工艺，通过计算机控制，在GaAs、CdTe衬底上按不同条件生长碲化镉、碲化汞和碲镉汞的初步结果，包括组分、表面形态、薄膜厚度、红外透射比和电学特性等，其中有原生的和经过一定条件退火处理的结果。

单分散ZnS颗粒制备参数的研究

讨论了反应温度、反应时间、体系 pH值、反应物浓度和配比以及分散剂的种类对制备ZnS粒子的影响 ,总结出制备ZnS微粒的最佳条件。通过透射电镜、紫外光谱考察了ZnS微细粒子的性质。

分压控制下高纯、高x值CdZnTe晶体气相生长的研究

尝试采用布里奇曼法生长ＣｄＺｎＴｅ为原材料进行了高ｘ值（ｘ＝０．０４～０．６０）Ｃｄ１－ｘＺｎｘＴｅ晶体在压力控制下的物理气相输运（ＰＶＴ）生长研究。探讨了Ｃｄ源和ＣｄＺｎ合金温度对晶体电学性质的影响。并对ＰＶＴ晶体的纯度、位错坑密度、纵向组成分布以及红外透过率、ＰＬ光谱等进行了检测和分析。

Te溶剂垂直区熔法生长φ20MCT晶体组分控制研究

采用Ｔｅ作溶剂在特制的垂直区熔炉上开展了φ２０ＭＣＴ晶体的生长研究；详细阐述了该方法ＭＣＴ晶体的生长过程和生长机理；总结和分析了晶体生长过程中影响组分的因素；提出了生长过程中组分控制存在的问题和改善组分控制的措施。通过该研究，优化了生长条件，采取了适当的温度分布（窄的高温区、大的温度梯度）和降低液区高度等有效措施，获得了φ２０、轴向组分波动小（长波段可利用率高达７０％）、径向组分均匀（△ｘ＝±０．００１５）的ＭＣＴ晶体，并利用此材料作出了一系列性能良好的多元光导、光伏红外探测器件。

温度对碲镉汞光伏芯片I-V特性的影响

对室温工作的短波碲镉汞光伏芯片进行了步进温度烘烤实验。烘烤温度从60℃开始,步长为5℃,到120℃结束,每个温度下的烘烤时间一般为24 h。实验结果显示当烘烤温度达到95℃以上时,I-V测试结果中反偏部分的电流有明显增大。通过理论分析得到扩散电流和产生复合电流是实验芯片的主要电流机制;较高温度的烘烤在势垒区内产生大量的缺陷,从而降低芯片的少子寿命,使扩散电流增大;同时芯片表面钝化层内的缺陷数目也在温度作用下增加,引起芯片表面复合速度增加。

AgGaSe_2晶体的改进Bridgman法生长

本文报导了一种ＡｇＧａＳｅ２生长工艺，可有效地从熔体中排出非凝聚气相杂质，结合一项改进的坩埚镀碳技术，提高了生长优质ＡｇＧａＳｅ２单晶的成品率。文中还给出了晶体样品的红外观测，红外透过光谱和光电流谱，以及可调谐ＴＥＡＣＯ２激光倍频的实验结果。

红外材料Ge的刻蚀研究

采用反应离子刻蚀技术，制作二元光学元件锗透镜阵列，对红外材料锗Ge的SF6加O2刻蚀机理和刻蚀特性进行了分析．并给出了研究结果。

卤化银光纤原料的超提纯

高纯原料的制备是制造高品质光纤最重要的环节，本文采用氯气氛下水平区熔法生长单晶的提纯方法对卤化银原料进行超提纯．区域熔融提纯后的卤化银原料红外吸收光谱测量显示在800～4000cm－1范围内吸收随波长的增加而降低．经CO2激光量热计法测量提纯后的卤化银原料在10．6μm处的吸收系数为5×10－4Cm－1，较提纯前降低两个数量级，制成的光纤传输损耗03～0．

MCT晶体退火压力─温度关系及其分析

采用热重法对组分不同（x＝0．15～0．26、y＝0．50～0．54）的（Hg1-xCdx）1-yTey晶体s－g平衡体系进行了P－T关系测量（T＜560℃、P=2～76kPa）；发现x值不同的样品对P-T的影响不明显；y值偏离（y≥0．504）的样品在420±5℃有PHg降，并对此进行了分析，提出了利用此现象可以减少MCT晶体中的富Te量和改善Te组分均匀性；补充了51kPa以下的P－T数据，通过与传统相图的比较发现MCT的相存在区缩小，特别是在10kPa以下，Te饱和线逐渐向Hg饱和线靠拢，并对本征线的可能位置进行了分析。通过该研究为MCT晶体造火条件提供了精确的选择范围。

红外非线性材料ZnGeP_2的研究——(1)多晶料的合成

红外非线性材料ＺｎＧｅＰ２的研究———（１）多晶料的合成卓洪升顾庆天房昌水（山东大学晶体材料研究所，济南２５０１００）ＳｔｕｄｙｏｎＩｎｆｒａｒｅｄＮｏｎｌｉｎｅａｒＭａｔｅｒｉａｌＺｎＧｅＰ２———（１）ＳｙｎｔｈｅｓｉｓｏｆＺｎＧｅＰ２Ｐｏｌｙｃ...

红外非线性材料ZnGeP_2的研究(Ⅰ)——多晶料的合成

本文报告了红外非线性材料ＺｎＧｅＰ２多晶料的合成方法。该法是以元素态的磷、锗，锌为原料，通过直接化合的方法进行合成。合成的多晶料经比重测量和Ｘ射线粉末衍射测试证明与标准值一致。该法为ＺｎＧｅＰ２晶体生长的研究奠定了基础。

热释电晶体LLTGS研究

LLTGS是掺入L 赖氨酸的改进的TGS晶体 ,用溶液降温法生长出 6 0mm× 2 7mm× 14mm的透明单晶。热释电性能测试表明 ,晶体的自发极化、热释电系数和热释电优值大于纯态的TGS。测定X射线衍射主峰显示LLTGS晶体的晶胞参数大于纯态的TGS ;讨论了结构对热释电性能的影响。我们认为TGS的热释电性能可以通过掺入L 赖氨酸分子得到改进 ,LLTGS晶体是一种有希望的红外探测材料。

不同多晶原料对太阳能多晶硅硬质点的影响

在太阳能多晶铸锭中,如何降低硬质点占比一直是一个重要课题,硬质点的多少直接影响后续切片加工的断线率。大家普遍认为,多晶铸锭中硬质点主要为硅团簇,SiO2,SiC,Si3N4等混合物,其形成与投炉原材料有着重要的关系。本文介绍了多晶原料及低等级原料的使用。经研究分析,原生多晶和低等级料在每次投炉中的最佳使用量,以权衡生产成本与品质。

表面处理对碲镉汞测量的影响

不同表面处理对碲镐汞测量会产生一定的影响。在抛光腐蚀和仅抛光两种工艺下对碲镉汞样品作椭偏测量，发现仅抛光样品的光谱特征表现出低的反射率和大的峰展宽，且峰向较低的能量方向移动，理论计算的能量移动与实验结果相符。

多碱阴极电阻法工艺研究

多碱阴极是一种良好的光电发射材料，具有广泛的用途。本文介绍一种多碱阴极制作的电阻法新工艺。

采用丙二酸改性TGS热释电单晶体

本文报道了用结构相似的丙二酸取代ＴＧＳ晶体中的部分甘氨酸的单晶体的生长特性与组成分析，同时测定了这些新晶体的热释电系数、介电常数、居里温度。实验表明，用丙二酸部分取代甘氨酸生成的ＭＴＧＳ晶体的优值比ＴＧＳ提高近二倍。

CVD方法生长平面和曲面块状多晶硫化锌

采用化学气相沉积方法成功地生长出硫化锌多晶红外光学材料。加工后的成品多晶硫化锌尺寸为直径 150mm ,厚度为 6mm ;既有曲面的整流罩 ,又有平面窗口 ,蒸镀多层防反膜。由于采用了自制的活性硫化氢为原料 ,以及较好的工艺生长条件 ,生长的硫化锌红外光学材料长波透射比达到理论值 75%。镀多层防反膜以后 ,中、长红外波段透过率均有所提高 ,但镀膜技术还有待改进。文中对硫化锌的透过曲线进行了分析与比较 ,结果表明我们生长的硫化锌杂质较少 ,是红外透过率高的原因。文中还测试了硫化锌的其它主要性能。

ZnS光学多晶的热压工艺

较系统地叙述ＺｎＳ多晶的热压工艺特点，包括主要热压设备和工装、热压工艺准备、热压工艺要点、达到的水平和存在问题等。