半导体激光器中电场分布特性的连续波电光检测

利用连续波电光检测法首次成功地对AlGaAs/GaAs半导体激光器中的电场分布进行了测量.测量结果直接表征了器件注入电流扩展和载流子限制特性. 本文简要地描述了方法的原理和实验装置,给出了典型的测量结果并对其进行了讨论.

多量子阱VCSELs阈值特性的分析

采用光增益与载流子浓度的对数关系，从理论上推导出多量子阱垂直腔面发射半导体激光器（ＶＣＳＥＬｓ）的速率方程。讨论了阈值电流密度、最佳阱数等与器件参数（阱数、腔长和反射率等）之间的依赖关系，描述了微腔激光器中的自发辐射增强效应，比较了三维理想封闭腔与普通开腔中的特性曲线这将对于ＶＣＳＥＬｓ的理论研究和优化器件结构有所裨益。

近红外半导体激光器的切伦科夫波导倍频研究

利用质子交换ＭｇＯ∶ＬｉＮｂＯ３平板波导研究了对近红外半导体激光器的切伦科夫倍频特性，实现了对９５６ｎｍ和８０４ｎｍ半导体激光器的直接倍频，得到了４７８ｎｍ的倍频蓝光和４０２ｎｍ的倍频紫光输出。在基频导模功率小于１ｍＷ的低入射功率下，倍频光功率的估算值约在０．１μＷ和０．０１μＷ之间。

多模半导体激光器电路模型

本文从多模半导体激光器速率方程出发，在假定光谱分布具有高斯形式的前提下，得到一个简单的多模半导体激光器电路模型，该模型对于进行光电集成回路计算机辅助分析尤为适用，可加入到现有电路模拟软件中，亦可在开发新软件中采用。作为模拟实例，用该模型模拟了一种双沟槽隐埋异质结（ＴＢＨ）结构激光器，模拟结果和已报导的实验结果很接近，并分析了该种激光器阈值电流和发射光谱对腔长的依赖关系。

HfO_2/SiO_2多层高反膜脉冲YAG激光预处理机理的研究

本文研究了HfO2 /SiO2 多层高反膜脉冲YAG激光预处理提高抗激光损伤阈值的机理。通过分析和计算 ,我们提出了一种物理模型 ,即热扩散模型。由于扩散结果 ,导致HfO2 膜层的折射率增加 ,致使HfO2 、SiO2 膜层交界处光驻波波峰降低 。

GaAs/GaAlAs集成外腔激光器的模式谱分析

本文利用单 FP(Fabry—Perot)腔激光器的理论,并用有效反射率方法,通过计算机数值计算和作图,简单、清晰、明了地解决了集成外腔结构的 GaAs/GaAlAs激光器的模式谱问题,并给出了实验设计方案。与众多的理论分析方法相比,这种方法具有简明、精确、直观的优点。

直接调制半导体激光器非线性失真的计算机辅助分析

根据半导体激光器的归一化速率方程建立了大信号等效电路模型，运用ＰＳＰＩＣＥ电路分析软件分析了其非线性失真，并与实测结果作了比较。

高效减反射膜——由半导体激光器向行波式放大器转变的关键

采用常规膜厚监控方法在二极管激光器端面镀高效减反射膜有很多困难。本文从理论上研究了自发光监测控制减反射膜的可行性,并且得到了用这种方法在半导体激光器端面镀高效减反射膜的实验结果。利用 Kaminow 等人提出的间接测量法,测得在 GaAs 激光器端面镀制了单层 SiO 膜后的剩余反射率小于5×10^(-4)。

1.3μm混合应变量子阱激光器偏振特性分析

本文报道了采用混合应变量子阱作为有源区的激光器，并对其进行了测试和分析．偏振Ｐ－Ｉ曲线表明这种激光器的ＴＥ和ＴＭ激射模式分别对应于不同的阈值电流，ＴＭ模式的阈值电流在一定温度范围内随温度升高而降低，ＴＭ模式的斜率效率和总的斜率效率在一定温度范围内随温度升高而升高．测试了不同电流和温度下的偏振激射谱，两种激射谱随电流和温度改变都有很大变化，表明ＴＥ和ＴＭ激射模式之间有强烈的互作用．我们认为可能是由载流子分布与强激光辐射之间的非线性效应引起的．

V型槽衬底内条形大光腔可见光半导体激光器

采用一种新的液相外延工艺，研制出了具有大光胶结构的Ｖ型槽衬底内条形可见光发射半导体激光器。其光谱波长为７７９～７８４ｕｍ，室温连续工作阈值电流为６０ｍＡ，具有２倍阈值的基模工作时，线性输出光功率可达１８ｍＷ，４ｍＷ下工作寿命已超过３０００小时。

边界相位的不确定性对DFB激光器阈值特性的影响

应用速率方程及耦合波方程对半导体ＤＦＢ激光器的边界相位对器件的阈值特性影响进行了分析，并就各模式之间的差异讨论了其对器件的影响。

InGaAsP/Inp双区共腔激光器的内部参数

根据《双区半导体激光器的稳定性理论》,分析了 InGaAsp/Inp 掩埋异质结构双区共腔激光器的实验结果,计算了这种器件的内部参数。结果表明:内部光耦合随着温度变化是改变器件工作状态的主要因素;阈值电流偏高与器件工艺相关的界面缺陷、结构漏电关系极大;结构漏电可以提高光输出功率。

半导体激光自混合干涉理论研究

信号的不对称性是激光自混合干涉效应的重要特性之一，它提供了对物体运动方向的直接判别依据。利用双镜等效模型，对自混合干涉效应进行了理论分析，推导出干涉信号理论模型的数学表达式，阐述了信号不对称性形成的机理；

半导体激光束的准直技术

利用新颖的光纤技术,使半导体激光束发散角大(垂直方向发散角为40°、水平方向为10°)得到了很大改善;其成本低、简单可靠,可以达到发散角小于0.05°的水平。

选频滤波器负载外腔半导体激光器调谐特性的研究

本文分析选频滤波器负载外腔半导体激光器的调谐特性。从等效模型的受激条件出发,导出确定最大调谐范围的简单表达式,提出了计算在各种反馈强度下调谐曲线的方法,并解释近年来报道的有关实验结果。

单频外腔半导体激光器的主动稳频

采用鉴频反馈电路控制外腔长，对长外腔单纵模半导体激光器进行主动稳频，获得线宽小于２００ｋＨｚ的稳定单频输出。

电负反馈半导体激光器中网络截止频率的影响及改进方案

计算机模拟表明半导体激光器非理想调频响应对反馈网络低频截止频率f_c的限制,阻碍提高线宽压窄率.半经典理论分析表明,用双电极非均匀线宽展览因子半导体激光器不仅能压窄谱线而且可以取消对f_c的限制,大大提高线宽压窄率.本文提出了电负反馈半导体激光器的改进方案.

半导体激光强度起伏的抑制

1.大家知道,光学方法(其中包括以干涉法确定小相位差)的极限灵敏度受到与辐射本身和在光接收器中激发电流的分立性质有关散粒噪声的限制。通常在实践中极限灵敏度受到光辐射源强度剩余(超散粒)起伏的限制。通过对激光器泵浦参数的作用来抑制激光强度起伏的方法十分诱人。文献中使用这种方法人们已经知道。在大多数工作中,强度起伏的抑制仅在反馈回路中进行了研究(例如在文献[1,2]中)。有实际意义的是用于相应测量的'工作回路'中的强度起伏水平。在两个通道中分析的情况(例如,文献[3,4])下。

用表面发射波导进行倍频

加拿大一研究组已发现一种由二极管激光器产生优质可见光束的新方法。他们把光束反向通过多层Al0_(0.9)Ga_(0.1)As/Al_(0.7)Ga_(0.3)As波导,在垂直于波导平面方向产生二次谐波光束(见图)。据加拿大国家研究委员会光电子器件和固体光电子学联合体的R.J.Normandin说,转换效率可超过10%,'输出1mW蓝绿光全单片砷化镓激光器的前景非常美好'。Normandin和G.L.Stegeman在几年前即已证明,反向导波的非线性混频能产生与波导垂直的二次谐波光束,但在块状Ga As中的效率甚低。现在,Normandin,等人报导。