全硅集成光学──理论与工艺(V)(续四) 第五讲 介质波导耦合模理论及硅耦合器

全硅集成光学——理论与工艺（Ｖ）（续四）第五讲介质波导耦合模理论及硅耦合器赵策洲（副教授）（西安电子科技大学微电子所，西安７１００７１）１引言前两讲中，讨论了二维和三维介质波导中光波传播的特有模式。在某种意义上波导被认为是理想的，通常的模式是正交的，...

全内反射型半导体光波导开关的位相变化

理论分析了全内反射型半导体光波导开关内的位相关系.数值计算了1.3μm InGaAsP/InP全内反射型光波导开关内的反射TE模和TM模的位相变化δ_s、δ_p和它们间相对位相差△δ.结果表明,光波导开关内开关区介质折射率变化量△n、吸收系数α和传输角θ_p对δ_s、δ_p和△δ值均有很大影响,它们间都有一种非线性变化关系.结果还表明,由于反射TE模和反射TM模间存在有相对位相差,全内反射型光波导开关将是一种有偏振特征的元器件.

透镜组Fourier变换特性及集成化光学系统的进一步修正

采用系统论的方法对透镜组的Ｆｏｕｒｉｅｒ变换特性进行了理论推导，并依据理论结果对通过附加一个相位补偿透镜的方法来缩短光学４ｆ系统总长度的光学系统所采用的厚相位补偿透镜的焦距进行了修正，从而提高了超短光学系统Ｆｏｕｒｉｅｒ变换的精度。在一般情况下采用两个透镜组替代了系统中两个单片Ｆｏｕｒｉｅｒ透镜，短光学系统的总长度可缩短为原来的四分之一以上。从而为光学系统的集成化奠定了良好的基础。