Bi_2O_3和Sb_2O_3的预复合对ZnO压敏电阻性能的影响

采用固相法对Bi2O3和Sb2O3进行了预复合,并研究了不同比例的Bi2O3与Sb2O3预复合对ZnO压敏电阻致密度,晶粒结构和电学性能的影响。结果表明:当Bi2O3与Sb2O3的摩尔比为0.7:1.0时,ZnO压敏电阻的综合性能最优,其晶粒生长得最为均匀致密,电位梯度达到361V/mm,非线性系数为86,漏电流密度为7×10–8A/cm2;另外,在耐受5kA电流下的8/20μs脉冲电流波后,其残压比和压敏电压变化率分别为2.6和2.5%。

Nb掺杂Ba－Sn－W－O系半导瓷材料特性的研究

研究了Ｎｂ掺杂Ｂａ－Ｓｎ－Ｗ－Ｏ系复合陶瓷材料的显微结构及电导特性，研究表明，该系列材料是主导电相为Ｂａ（Ｓｎ，Ｎｂ）Ｏ＿３的低Ｂ值ＮＴＣ热敏电阻材料，Ｎｂ＿２Ｏ＿５的引入，在烧结过程中可能在两主晶相晶粒的表层分别产生Ｖ＿（Ｂａ）和Ｖ＿ｏ，影响烧结过程中的扩散机制。当Ｎｂ＿２Ｏ＿５的引入量约为１．０ｍｏｌ％时，可促进该系列材料烧结成致密瓷。

基于光纤光栅的三向应变计设计及性能研究

针对光纤光栅应变计无法同时准确测量结构表面多个方向应变的问题,该文设计了一种基于光纤布喇格光栅(FBG)的三向应变计。三向应变计采用圆环状基底结构,并在基底上封装了3根互成角度的FBG,适用于结构表面3个方向应变的同步测量。对封装后的应变计进行性能测试,并进行了同电阻应变片的对比实验。结果表明,应变计具有良好的线性,最大迟滞误差为6.1%,应变灵敏度在0°和90°方向分别提高约2.3倍和1.4倍。随着载荷的增加,应变计的测量误差逐渐减小,载荷大于1.5 kg后测量误差控制在±5%。

NTC半导瓷制粉法对工艺性能之影响

本文介绍一种用硝酸盐分解法制备ＮＴＣＲ粉料，并与常规球磨法、化学共沉法制粉在工艺、性能上进行比较。在对ＮＴＣＲ性能要求较高的条件下，硝酸盐分解法不失为一种简便易行的方法。