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我国开发的β硼酸钡晶体对半导体研究起着重要作用
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作者 陈民 《世界研究与发展》 CSCD 1991年第2期65-65,共1页
据《美国研究与开发》近期报道,美国佐治亚技术研究所的研究人员利用我国开发的β硼酸钡晶体大大改进了有关半导体的研究工作。半导体研究人员传统上是依靠经验方法来研究等离子增强化学蒸镀——一种通常用于喷镀硅和二氧化硅薄膜的工... 据《美国研究与开发》近期报道,美国佐治亚技术研究所的研究人员利用我国开发的β硼酸钡晶体大大改进了有关半导体的研究工作。半导体研究人员传统上是依靠经验方法来研究等离子增强化学蒸镀——一种通常用于喷镀硅和二氧化硅薄膜的工艺。为此研究人员需改变所用化学品的流率和微波场的动力水平,然后再将这些变化和最终结果联系起来。 展开更多
关键词 β硼酸钡晶体 半导体 研究 中国
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单电子晶体管 被引量:4
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作者 卢嘉 M.Tinkham 《物理》 CAS 1998年第3期137-140,共4页
由电子束纳米微刻技术制成的单电子晶体管呈现了新的物理现象:单电子隧穿效应和电荷宇称效应.这些发现为创造新型的电子器件开辟了光明前景,包括可以用比最基本电荷e还小的电荷量来调制电流,处理以单电子为单位的电脑数字信息,并... 由电子束纳米微刻技术制成的单电子晶体管呈现了新的物理现象:单电子隧穿效应和电荷宇称效应.这些发现为创造新型的电子器件开辟了光明前景,包括可以用比最基本电荷e还小的电荷量来调制电流,处理以单电子为单位的电脑数字信息,并且也可发展成高度灵敏的微波探测器. 展开更多
关键词 单电子晶体管 库仑阻塞 电荷宇称效应 纳米微刻
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