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我国开发的β硼酸钡晶体对半导体研究起着重要作用
1
作者
陈民
《世界研究与发展》
CSCD
1991年第2期65-65,共1页
据《美国研究与开发》近期报道,美国佐治亚技术研究所的研究人员利用我国开发的β硼酸钡晶体大大改进了有关半导体的研究工作。半导体研究人员传统上是依靠经验方法来研究等离子增强化学蒸镀——一种通常用于喷镀硅和二氧化硅薄膜的工...
据《美国研究与开发》近期报道,美国佐治亚技术研究所的研究人员利用我国开发的β硼酸钡晶体大大改进了有关半导体的研究工作。半导体研究人员传统上是依靠经验方法来研究等离子增强化学蒸镀——一种通常用于喷镀硅和二氧化硅薄膜的工艺。为此研究人员需改变所用化学品的流率和微波场的动力水平,然后再将这些变化和最终结果联系起来。
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关键词
β硼酸钡晶体
半导体
研究
中国
下载PDF
职称材料
单电子晶体管
被引量:
4
2
作者
卢嘉
M.Tinkham
《物理》
CAS
1998年第3期137-140,共4页
由电子束纳米微刻技术制成的单电子晶体管呈现了新的物理现象:单电子隧穿效应和电荷宇称效应.这些发现为创造新型的电子器件开辟了光明前景,包括可以用比最基本电荷e还小的电荷量来调制电流,处理以单电子为单位的电脑数字信息,并...
由电子束纳米微刻技术制成的单电子晶体管呈现了新的物理现象:单电子隧穿效应和电荷宇称效应.这些发现为创造新型的电子器件开辟了光明前景,包括可以用比最基本电荷e还小的电荷量来调制电流,处理以单电子为单位的电脑数字信息,并且也可发展成高度灵敏的微波探测器.
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关键词
单电子晶体管
库仑阻塞
电荷宇称效应
纳米微刻
原文传递
题名
我国开发的β硼酸钡晶体对半导体研究起着重要作用
1
作者
陈民
出处
《世界研究与发展》
CSCD
1991年第2期65-65,共1页
文摘
据《美国研究与开发》近期报道,美国佐治亚技术研究所的研究人员利用我国开发的β硼酸钡晶体大大改进了有关半导体的研究工作。半导体研究人员传统上是依靠经验方法来研究等离子增强化学蒸镀——一种通常用于喷镀硅和二氧化硅薄膜的工艺。为此研究人员需改变所用化学品的流率和微波场的动力水平,然后再将这些变化和最终结果联系起来。
关键词
β硼酸钡晶体
半导体
研究
中国
分类号
TN3-3 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
单电子晶体管
被引量:
4
2
作者
卢嘉
M.Tinkham
机构
哈佛大学应用科学部
出处
《物理》
CAS
1998年第3期137-140,共4页
文摘
由电子束纳米微刻技术制成的单电子晶体管呈现了新的物理现象:单电子隧穿效应和电荷宇称效应.这些发现为创造新型的电子器件开辟了光明前景,包括可以用比最基本电荷e还小的电荷量来调制电流,处理以单电子为单位的电脑数字信息,并且也可发展成高度灵敏的微波探测器.
关键词
单电子晶体管
库仑阻塞
电荷宇称效应
纳米微刻
Keywords
\ single-electron tunneling transistor,Coulomb blockade,charge parity effect
分类号
TN3-39 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
我国开发的β硼酸钡晶体对半导体研究起着重要作用
陈民
《世界研究与发展》
CSCD
1991
0
下载PDF
职称材料
2
单电子晶体管
卢嘉
M.Tinkham
《物理》
CAS
1998
4
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