演绎“微腔激光器领域”自主创新——记中科院半导体所光电子研发中心主任黄永箴研究员

黄永箴,1963年1月生。中国科学院半导体研究所研究员,于1983年、1986年和1989年在北京大学物理系分别获得学士、硕士和博士学位,1989年进入中科院半导体研究所工作。现任集成光电子学国家重点联合实验室学术委员会主任及半导体所实验区主任,中科院半导体所学术委员会副主任。2002年获得国家杰出青年科学基金,重点研究微腔的模式特性及微腔激光器,在单向输出微腔半导体激光器的研究上获得系列创新性成果。两次获得中国科学院优秀研究生指导教师奖,指导的博士获得五次中科院院长优秀奖、两次中科院优秀博士论文和2008年全国百篇优秀博士论文。

成步文:放眼未来 不懈探索

专家档案：成步文,研究员,博士生导师,中国科学院半导体研究所光电子研发中心副主任。目前主要从事Si基半导体异质结构材料的外延生长及相关光电子器件和光电集成技术的研究。在硅基异质结构材料外延设备、材料生长动力学、硅基光电子学器件等方面取得了重要研究成果。

期待1％的崛起——访无锡凤凰半导体科技有限公司总经理屈志军

2012年6月，《电器》记者初次与无锡凤凰半导体科技有限公司总经理屈志军会面．地点是在中国科学院半导体研究所。那时，他正指点着满是坐标图和公式的黑板，与半导体研究所的研究员热烈地讨论着IGBT的性能参数。虽然记者并不了解那些术语背后的奥义．却可以感受到屈志军对于电力电子半导体行业的热爱。

半导体所研制出GaN基紫外激光器

2016年12月14日,中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室研究员赵德刚团队研制出GaN基紫外激光器。GaN被称为第三代半导体,在光电子学和微电子学领域有广泛的应用,其中GaN基紫外激光器在紫外固化、紫外杀菌等领域有重要的应用价值,也是国际上的研究热点。

半导体所研制成功无源/半无源双模无线温湿度传感器

中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室研究员吴南健团队研制出一种低功耗无源/半无源双模无线温湿度传感器。相关研究成果在传感器领域学术期刊IEEE SENSORS JOURNAL上发表，该论文在2015年2月和3月连续入选为该期刊的前50热点论文。

激扬青春 光耀未来——访中国科学院半导体研究所全固态光源实验室副主任林学春

专家档案：林学春,中科院半导体研究所全固态光源实验室副主任,致力于高功率全固态激光器的研制,其研究成果多次被中科院、

四十年品百味人生

“科学是事实求是的,来不得半点虚假;科学的道路是无捷径可走的,只有那些付出比常人多得多辛勤劳动的人,才会攀上科学的高峰。”中国科学院半导体研究所王占国院士如是说。路漫漫其修远兮,在科学的道路上,他不畏艰险、敢于创新,取得了一个又一个具有突破性的科研成果。他致力于半导体材料和材料物理研究四十余年,把自己的青春和热情献给了祖国的科研事业。一路风雨一路歌,四十余年的科研生涯让王占国院士真切地体会到了人生的百味。如今,早已年过花甲的他,仍旧为祖国的科研事业贡献着自己的力量。

投稿须知

《半导体学报》是中国电子学会和中国科学院半导体研究所共同主办的国家一级刊物（月刊，国内外公开发行），被EI，CA，SA，P冰等收录．主要报道半导体物理、材料、器件、电路、工艺等领域的科研成果．

半导体所在二维GaS超薄半导体的基础研究中取得新进展

中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室博士后杨圣雪、博士生李燕，在李京波研究员、李树深院士和夏建白院士的团队中，在二维GaS超薄半导体的基础研究中取得新进展。相关成果发表在2014年2月7日英国皇家化学会主办的《纳米尺度》（Nanoscale）上，并被选为“热点论文”（HotArticle）。

半导体研究所成功制备RF MEMS振荡器

中国科学院半导体研究所半导体集成技术工程研究中心，在自然科学基金、中科院项目的支持下，经过努力探索，成功制备RFMEMS振荡器。

中国科学院微电子研究所

元大都城垣遗址之畔，奥运园区之旁，坐落着中国微电子行业的“国家队”——中国科学院微电子研究所。 中国科学院微电子研究所的前身原中国科学院109厂成立于1958年，1986年中国科学院半导体研究所微电子学部加入，合并为中国科学院微电子中心，2003年9月正式更名为中国科学院微电子研究所。

中科院半导体所与秦皇岛签署MOCVD项目合作协议

中国科学院半导体研究所在863计划项目的支持下，成功研制出具有自主知识产权的研发型MOCVD设备样机，并生产出性能优良的氮化镓材料。为了将这一成果早日实现国产设备产业化，日前，该所与秦皇岛市政府、河北鹏远集团签订了半导体照明重大装备MOCVD项目合作协议。

中科院探明新型金属硫化物二维半导体材料性质

近日．中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室博士后杨圣雪、博士生李燕，在研究员李京波、中科院院士李树深和夏建白等人的指导下，取得二维GaS超薄半导体的基础研究中新进展，探明了新型超薄金属硫化物二维半导体材料性质。科研人员表示，新型超薄金属硫化物二维半导体材料可以被用于高效的纳米传感器、光探测器、光开关、

王守觉

半导体电子学家，中国科学院半导体研究所研究员。 王守觉院士1958年在国内首次研制成功锗合金扩散高频晶体管，应用于我国研制的晶体管化高速计算机。1959—1963年负责研究成功全部硅平面工艺技术，并研制成功五种硅平面型晶体管。

世伟洛克（Swagelok）为中国半导体研发提供解决方案

位于北京的中国科学院半导体研究所致力于促进中国半导体材料科学的发展和推广。在过去的6年内，他们制造出世界上第一批立方气相氮化镓发光二极管。在成功将蓝光二极管（LED）技术转入生产应用后，他们的努力都集中在短波长激光二极管、紫外探测器、高效LED和磁性半导体。最近该研究所成功地制造出几种高灵敏度的紫外探测器，并在蓝光激光二极管研发方面取得显著进步。

半导体所研制出GaN基紫外激光器

12月14日，中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室研究员赵德刚团队研制出氮化镓（GaN）基紫外激光器。紫外激光器的研制成功也是我国在GaN基蓝光和绿光激光器突破之后取得的又一重要进展。

中科院半导体所开发出可穿戴气体传感器与实时显示系统

中国科学院半导体研究所超品格国家重点实验室沈国震课题组近日开发了一种新型的由微电容阵列驱动的可穿戴气体传感器与实时显示系统。平面微型电容器是柔性可穿戴电子设备的最佳的供能器件。但是单个的电容器电压窗口较小，能量密度较低，很难连续不间断地为可穿戴器件供能。解决这个问题最便捷的方式是将多个微型电容器串联形成阵列为可穿戴集成系统的功能单元供电。