金刚石薄膜的红外增透性

以 CH_3COCH_3/H_2为工作气体,用 HFCVD 方法,制备出适用于红外光学的金刚石薄膜。用 SEM 观察到了所制备膜的表面晶形。讨论了金刚石薄膜的红外增透性。

Si衬底上外延3C-SiC薄层结构及光学常数分析

采用热丝化学气相淀积生长法，在Ｓｉ衬底上外延生长３Ｃ－ＳｉＣ薄层获得成功．生成源为ＣＨ４＋ＳｉＨ４＋Ｈ２混合气体，热丝温度约为１８００～２０００℃，碳化和生长时衬底温度低于１０００℃．用Ｘ射线衍射，变角椭偏法等分析手段研究了外延层的晶体结构和光学常数．Ｘ射线衍射结果显示出３Ｃ－ＳｉＣ薄层的外延生长特征，变角椭偏法测量出外延层的折射率为２．６８６。