直流磁控溅射系统研究及其维护

通过介绍磁控溅射镀膜系统的原理,分析了磁控溅射系统在溅射镀膜的过程中遇到的沉积速率、沉积均匀性、常见故障等方面的问题,对沉积速率和沉积均匀性的影响因素进行了具体地研究;同时描述了设备在使用过程中经常遇到的一些故障,对这些故障发生的原因进行了详细地分析,根据原因分析给出了故障的具体解决方法;最后,对磁控溅射系统在日常使用过程中的保养和维护方面提出了一些建议。注重日常的保养和维护可大大降低设备的故障率。

靶通道选择器研究与优化设计

针对目前对多靶磁控溅射设备功率切换的高要求,设计了一套可以有效抗电磁干扰的靶通道选择器。该新型靶通道选用钨触点高压陶瓷继电器实现通道的切换,通过I/O信号控制通道的切换,规避串口通讯抗电磁干扰能力弱的问题,并成功应用于磁控溅射镀膜机上,经过用户的长期使用,证明了该设备的稳定性和可靠性,这一突破实现了靶通道选择器的自主可控。

低温扩散Mn^(2+)制备ZnS:Mn,Cu电致发光材料

研究了不同Ｍｎ的化合物掺杂在不同退火处理条件下对ＺｎＳＭｎ，ＣｕＡＣＥＬ粉末的发光亮度的影响．在低温下扩散Ｍｎ２＋掺杂的方法，有效降低了Ｍｎ盐中其它杂质对发光的影响，和直接高温法制备的ＺｎＳＭｎ，ＣｕＡＣＥＬ材料相比，提高了材料的发光亮度．

粉粒在等离子体中沉降的运动学分析

对粉粒受力情况进行了分析 ,建立了速度方程 ,并对硅 -锗合金粉料进行了计算。为了提高沉降过程中的提纯效果 ,着重对增加沉降时间进行研究 ,提出了一些措施。

纳米线、纳米管的制备、表征及其应用

在高度集成化浪潮的推动下,现代技术对纳米尺度功能器件的需求将越来越迫切。纳米线、纳米管等一维材料作为纳米器件中必不可少的功能组件,在纳米研究领域中的地位显得愈发重要。本文从一维纳米材料的研究范畴入手,介绍了纳米线、纳米管的制备方法,技术要点以及各种相关表征方法,并涉及了当前一维纳米材料的一些应用研究,为基于纳米线、纳米管功能器件的研制提供前期参考。

直流磁控溅射制备用于G aA s M E SFET钝化的AlN的工艺研究

室温下，用直流磁控反应溅射方法在 Ｎ２ ／ Ａｒ 混合气体中淀积了 Ａｌ Ｎ 薄膜，所用衬底是（１００）面的半绝缘 Ｇａ Ａｓ 单晶片．研究了反应条件，如反应气压、反应气体配比、直流功率，对薄膜的物理性质和化学性质的影响．为了得到适于 Ｇａ Ａｓ Ｍ Ｅ Ｓ Ｆ Ｅ Ｔ 钝化的薄膜，还对反应条件进行了优化．

涡轮MOCVD技术中有机源高速均匀混合

在用于发光器件制造的多层ＭＯＣＶＤ外延技术中，用高速氢气流冲洗管路、混合有机源获得晶格匹配好，而且界面过度层薄的突变异质结界面．

离子注入法制备Si基量子点

利用离子注入法在Si(001)衬底上先后注入了In+和As-,注入能量分别为210,150keV,注入剂量分别为6.2×1016,8.6×1016cm-2,然后对样品经过退火处理制备出了量子点材料(为了避免沟道效应,注入角度选择为7°).用透射电子显微镜(TEM)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)观察了退火后量子点截面像,发现量子点的平均尺寸大小随退火温度和时间增加而增大.

硅粉在直流氩等离子体中的刻蚀提纯

介绍了一种用直流氩等离子体对硅粉刻蚀提纯的方法。实验结果表明硅粉纯度可由99.6%提高到99.95%。处理后的硅粉还可进行熔化—固化—粉碎再处理,因此这是一种技术上可行的太阳级硅制备新方法。文中还应用反应室鞘层厚度、硅粉沉降平均速度、考虑高能中性粒子刻蚀作用的刻蚀速率方程等进行理论分析,结果显示,在一定的工艺参数下,刻蚀提纯是有效的,并与实验结果相近。这也为粉体表面刻蚀研究提供了一种新的手段。

采用高能12MeV电子辐照技术制造快速可控硅

报道了采用最佳能量（高能１２ＭｅＶ）电子辐照快速可控硅，解决了低能（≤４ＭｅＶ）电子辐照快速可控硅热稳定性差的难题，这对我国半导体器件的电子辐照推广应用将有一定的经济价值。

超高温退火(1400℃)对SIMOX结构性能的影响

本文着重研究了1400℃超高温退火对SIMOX结构的影响,并与常规的高温退火(1100℃)进行了对比。实验结果表明:超高温退火能显著地改善Si-SiO_2界面特性。消除顶部硅层中的氧沉淀缺陷。但同时,超高温退火也给SIMOX带来了硅片形变、滑移、顶部硅层中氧含量高等新问题。

采用12MeV电子辐照技术制造高反压大功率开关晶体管

本文研究了首次应用最佳能量（１２ＭｅＶ）电子对大功率开关晶体管辐照的结果。应用结果表明：１２ＭｅＶ电子辐照开关晶体管具有开关特性优良、热稳定性高、器件参数一致性好等特点。

石英矿物纯化的研究

研究了高温 HCl(g)法和 HCl、HF酸浸法对去除石英矿物中杂质元素的作用效果 ,以及高温 HCl(g)法反应时间同杂质含量的关系 ,结果表明 ,高温 HCl(g)法作用强度明显大于 HCl酸浸法 ,并且当反应时间达到 90分钟时 ,高温 HCl(g)法对杂质的作用趋向极限。实验还表明 ,不论是高温 HCl(g)法还是 HCl酸浸法 ,对 Al、B元素的作用均表现出低化学活性 ,说明 Al。

Si-Ge粉粒在冷等离子体中沉降的提纯效应分析

本文论述了粉粒在等离子体中的影响 ,并利用所提供的受力和加速度模型 ,进行了具体计算。最后分析了沉降时间的各种影响因素和提纯效果。

单相六温区无变压器管式熔炼炉的研制

本文介绍了生产半导体致冷材料用的单相六温区无变压器管式熔炼炉的结构,恒温控制原理及性能特点,并与单温区、三温区熔炼炉性能进行了比较。这种炉控温能力强,成本低,节约能源,重量轻。

等离子体刻蚀提纯冶金硅研究

通过自行设计的冷等离子体粉粒纯化系统,将硅粉撒进辉光放电区,以Ar气为反应气体,利用鞘层区域辉光放电的冷等离子体对硅粉料的作用,进行一系列的处理后,硅粉表面形貌平整度明显提高,纯度从98.75%提高到99.56%。在此基础上,设计射频感应放电等离子体的振动倾斜反应室,经实验,将硅粉纯度提高到99.96%,接近太阳级硅的要求,也为该研究未来的发展提供了新的思路和理论参考。

一种新型反应室的分析与实验

对振动阴极上粉体的运动分析表明粉粒在阴极表面停留的时间与阴极表面倾斜角、气体反吹速度和粉粒大小等有关，其停留时间可达10min以上。用这种等离子反应室对硅粉刻蚀，可在硅粉流经反应室一次即可刻蚀200nm的表面厚度。这意味着纯化硅粉的任务能一次完成。实验结果表明新反应室比常规反应室具有很大的优点。

冷等离子体中的粉体研究

介绍了在冷等离子体中粉体研究的几个重要成果，分析了粉体在两种反应室结构中的运动、沉降时间及刻蚀状况。理论分析和实验结果表明带振动阴极的反应室在粉体表面刻蚀方面比传统阴极结构的反应室要优越得多。研究表明冷等离子体对硅粉纯化具有应用前景。

等离子振动反应室的研究

通过对振动阴极反应室的研究，针对粉粒与金属阴极接触的问题，提出新的改进设计。采用射频电源感应线圈，振动石英管内部放电的方式进行刻蚀。既有振动阴极反应室的效果，又避免掺入杂质，是一种可行的新反应室设计。

半导体进行激光退火时预热温度的计算

以Ｐ型Ｓｉ片为例，给出了连续ＣＯ２激光吸收率β（Τ），吸收系数α（Ｔ）和反射率Ｒ（Ｔ）与温度的关系，利用这些关系给出了ＣＯ２激光通火最佳预热温度的理论计算方法．