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热壁MOCVDHg_（1－x）Cd_xTe中的Hg蒸汽压和分配比 被引量：1
1
作者 丁永庆 彭瑞伍 +5 位作者 韦光宇 陈记安 李贤春 张玉平 刘克岳 赵振香 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第4期264-267,共4页
本文改进和设计了新型可移动式加热电阻炉和反应器，避免了二乙基碲（ＤＥＴｅ）与二甲基镉（ＤＭＣｄ）的直接反应，减了预沉积，在Ｔｅ／Ｃｄ比的控制更为准确的条件下重复稳定地获得了ｘ＝０．２响应波长为１０．６μｍ的Ｈｇ１－ｘ... 本文改进和设计了新型可移动式加热电阻炉和反应器，避免了二乙基碲（ＤＥＴｅ）与二甲基镉（ＤＭＣｄ）的直接反应，减了预沉积，在Ｔｅ／Ｃｄ比的控制更为准确的条件下重复稳定地获得了ｘ＝０．２响应波长为１０．６μｍ的Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ材料．其中有关组份ｘ值的实验结果首次证明与Ｋｉｓｋｅｒ的热力学模型基本相符． 展开更多
关键词 碲镉汞材料 蒸气压 MOCVD 分配比
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ZnTe和ZnTe／ZnSe在Ⅲ—Ⅴ族基片上的外延生长
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作者 义仡 《电子材料快报》 1998年第1期15-15,共1页
关键词 碲化锌 硒化锌 Ⅲ-Ⅴ族 外延生长
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