3.3 kV 60 A H桥高压SiC二极管模块模拟与制作

介绍了一款H桥结构的3.3 kV 60 A高压SiC二极管模块,该SiC模块是由8只自主设计制作的3.3 kV30 A SiC肖特基二极管组成,每一路桥臂由两颗芯片并联实现60 A电流。采用Q3D软件建立3.3 kV 60 A H桥高压SiC二极管模块的仿真模型,对电流回路的寄生参数进行提取。采用有限元分析软件ANSYS计算稳态热传导,建立几何模型和有限元模型,形成的温度梯度分布显示温度场的分布比较合理,同时热量的横向传导增加了有效散热面积。常温静态测试条件下,模块压降在2.1 V左右,漏电流小于5μA,击穿电压高达3 700 V以上;动态测试(测试电压1 600 V,测试电流56 A)条件下,反向恢复时间为56 ns,芯片的热阻测试结果约为0.27 K/W。