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GaP∶Co^(2+)晶体顺磁g因子的共价模型 被引量:3
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作者 吴晓轩 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第3期262-266,共5页
本文提出了一个计算二元半导体中过渡金属(TM)离子顺磁g因子的共价模型,并用以计算了GaP∶Co2+晶体的g因子,计算值与实验值吻合很好,从而解决了用经典方法得到的g因子值与实验值相比偏小的问题。本文结果表明,由于G... 本文提出了一个计算二元半导体中过渡金属(TM)离子顺磁g因子的共价模型,并用以计算了GaP∶Co2+晶体的g因子,计算值与实验值吻合很好,从而解决了用经典方法得到的g因子值与实验值相比偏小的问题。本文结果表明,由于GaP∶Co2+晶体共价性很强,再忽略共价性及配体旋轨耦合的贡献是不合理的。同时,通过对GaP∶Co2+晶体晶场光谱和顺磁g因子的分析,本文建议,在GaP∶Co2+晶体中,Co2+离子的t2g电子和eg电子部分处于反键轨道部分处于成键轨道。 展开更多
关键词 晶体场 电子顺磁共振 光谱 共价模型 半导体晶体
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计算半导体合金介电常数的半经验方法
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作者 徐至中 《复旦学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 1989年第3期255-259,共5页
提出了采用紧束缚方法计算电子联合状态密度,并利用由实验测得的半导体化合物MZ,NZ及NW的介电常数,计算半导体合金M_xN_(1-x)W_yZ_(1-y)的介电常数虚部的半经验方法,进而利用此方法具体地计算了与InP晶格匹配的Ga_xIn_(1-x)P_vAs_(1-y)... 提出了采用紧束缚方法计算电子联合状态密度,并利用由实验测得的半导体化合物MZ,NZ及NW的介电常数,计算半导体合金M_xN_(1-x)W_yZ_(1-y)的介电常数虚部的半经验方法,进而利用此方法具体地计算了与InP晶格匹配的Ga_xIn_(1-x)P_vAs_(1-y)的介电常数虚部。 展开更多
关键词 半导体 合体 介电常数 紧束缚 方法
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