氮化镓薄膜中LO声子-等离子体激元耦合模拉曼光谱研究

对生长在蓝宝石衬底上不同Si掺杂浓度的一系列GaN外延膜进行了拉曼散射光谱测量 ,观察到清晰的LO声子 等离子体激元耦合模的高频支 (LPP+ )和低频支 (LPP-)及其随掺杂浓度的增加往高频方向的移动 .通过进行理论计算和拟合 ,得到GaN中的等离子体激元的频率及阻尼常数 ,并由此计算得到GaN中的载流子浓度和迁移率 .与红外反射谱测量得到的数据进行了比较 ,结果表明 ,2种光谱方法得到的载流子浓度均与霍耳测量相一致 ,但迁移率比霍耳迁移率要低 ,接近杂质散射机制下的漂移迁移率 .