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4H-SiC MOSFET静态温度特性的仿真分析
被引量:
1
1
作者
曾亮
王翠霞
+3 位作者
吴江枫
余有灵
李诚瞻
杜星
《机车电传动》
北大核心
2020年第1期45-48,共4页
SiC材料具有较大的禁带宽度、高临界电场、高载流子饱和漂移速度和高热导率等优良特性,能广泛应用在高温、高压、大功率等领域。为探究温度对4H-SiC MOSFET静态特性的影响规律,以指导高温高压环境下4H-SiC MOSFET的设计与制造,文章基于S...
SiC材料具有较大的禁带宽度、高临界电场、高载流子饱和漂移速度和高热导率等优良特性,能广泛应用在高温、高压、大功率等领域。为探究温度对4H-SiC MOSFET静态特性的影响规律,以指导高温高压环境下4H-SiC MOSFET的设计与制造,文章基于Silvaco平台对高压4H-SiC MOSFET器件进行了仿真建模,获得了其不同温度下的击穿电压、转移特性和输出特性,探究了温度对其击穿电压、阈值电压、饱和漏电流、导通电阻的影响规律。文章最终得到了300 K时击穿电压为4450 V的SiC MOSFET器件元胞结构模型,验证了其静态特性及参数受温度影响较明显,该影响规律符合SiC MOSFET的静态特性理论。
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关键词
4H-SIC
MOSFET
碳化硅
静态特性
温度特性
器件仿真
下载PDF
职称材料
题名
4H-SiC MOSFET静态温度特性的仿真分析
被引量:
1
1
作者
曾亮
王翠霞
吴江枫
余有灵
李诚瞻
杜星
机构
同济大学电子与信息工程学院
株洲中车时代半导体有限公司
出处
《机车电传动》
北大核心
2020年第1期45-48,共4页
基金
国家重点研发计划项目(2017YFB1200902)。
文摘
SiC材料具有较大的禁带宽度、高临界电场、高载流子饱和漂移速度和高热导率等优良特性,能广泛应用在高温、高压、大功率等领域。为探究温度对4H-SiC MOSFET静态特性的影响规律,以指导高温高压环境下4H-SiC MOSFET的设计与制造,文章基于Silvaco平台对高压4H-SiC MOSFET器件进行了仿真建模,获得了其不同温度下的击穿电压、转移特性和输出特性,探究了温度对其击穿电压、阈值电压、饱和漏电流、导通电阻的影响规律。文章最终得到了300 K时击穿电压为4450 V的SiC MOSFET器件元胞结构模型,验证了其静态特性及参数受温度影响较明显,该影响规律符合SiC MOSFET的静态特性理论。
关键词
4H-SIC
MOSFET
碳化硅
静态特性
温度特性
器件仿真
Keywords
4H-SiC MOSFET
silicon carbide
static characteristics
temperature characteristics
device simulation
分类号
TN304.4.24 [电子电信—物理电子学]
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
4H-SiC MOSFET静态温度特性的仿真分析
曾亮
王翠霞
吴江枫
余有灵
李诚瞻
杜星
《机车电传动》
北大核心
2020
1
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职称材料
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参考文献
引证文献
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