迁移率对单层有机发光器件中复合率分布的影响(英文)

以载流子运动的扩散-漂移理论为基础,利用数值方法研究了有机发光层中双极载流子注入时的电势、电场、载流子浓度和复合率分布.结果表明:当两种载流子的迁移率相同实现平衡注入,并且当空穴和电子的复合为Langevin型时,复合率的分布曲线相当理想,参与复合的空穴和电子总量远大于其他情况,由此器件的发光性能也得到更大的优化.

半导体纳米微粒在聚合物基体中的复合与组装

总结了有关半导体纳米微粒在聚合物基体中的制备、复合与组装及性能研究等工作，对半导体纳米微粒的尺寸大小、粒度分布、表面修饰、复合过程及组装维数等控制问题进行了讨论．

氟铍酸甘氨酸晶体生长

由甘氨酸、铍粉、氢氟酸制备了氟铍酸三甘肽多晶,在制备过程中克服了由于原料的挥发性、腐蚀性以及毒性造成的种种困难。采用柱状法培育出了 TGFB 大单晶。测试了晶体的热释电性能,并用晶体制作了热释电探测器和热释电摄像管。使用结果表明,所制得的 TGFB 单晶可以弥补 TGS 单晶的某些不足。

高亮度LED衬底材料研究

衬底材料作为半导体照明产业技术发展的基石,是半导体照明产业的核心,具有举足轻重的地位,直接决定了LED芯片的制造路线。高亮度LED的半导体材料体系对衬底材料提出的要求比传统的LED更为严格。衬底材料表面的粗糙度、热膨胀系数、热传导系数、极性的影响、表面的加工要求以及与外延材料间晶格间不匹配数,这些因素与高亮度LED的发光效率与稳定性密切相关。重点介绍几种典型材料与外延材料的晶格匹配及其加工要求,从材料制备难易程度和衬底与外延薄膜的化学稳定性对各种衬底材料进行比较分析,并对衬底材料的应用前景进行了预测。

有机化合物表面光电压谱的研究

半导体与金属接触处产生表面势垒,当光照射在样品与金属的接触界面上时,在光照面和非光照面之间建立起电位差,记录这个电位差和入射光波长的关系得到表面光电压谱。表面光电压谱反映材料的光吸收性质和电子的带-带跃迁,同时又受到光生载流子寿命的影响。应用表面光电压技术已经测量了单晶半导体的光伏效应,少数载流子的扩散长度以及表面态等。近来,王德军等用表面光电压谱的方法研究了无机半导体粉末光催化剂的活性。

PTCDA/p-Si异质结势垒的形成及电流传输机理分析

根据有机半导体材料 PTCDA与无机半导体 p型 Si能够形成同型异质结PTCDA/p- Si,分析讨论了它在正、反向偏压作用下的能带结构及其电流～电压特性。

聚乙炔/SnO_2异质结的光电流密度

用改进的Ｎａａｒｍａｎｎ法在ｎ型ＳｎＯ２基片上直接聚合成聚乙炔膜，制成ｐ－（ＣＨ）ｘ／ｎ－ＳｎＯ２异质结，用氩离子激光器作光源，测量了光电流密度与入射光强度的关系曲线．在仅考虑聚乙炔吸收光的情况下，从理论上导出聚乙炔基异质结的光电流密度公式。

有机敏感膜K^+—ISFET的研究

本文以二苯并—30—冠醚—10作为中性活性物质,研制了四种不同基体膜的K^+—ISFET,并对其响应特性等进行了测试分析,得到了较好的测试结果。

多层结构有机物薄膜制备及光致发光特性

利用有机物真空沉积技术制备了8-羟基喹啉铝（Alq）和叔丁基联苯基苯基二唑（PBD）交替生长的多层结构薄膜．低角X射线衍射测量表明，样品具有良好的层状结构；光吸收及光致发光测量结果表明，随着PBD层厚度的减薄，激发态能量发生了从PBD向Alq层中转移的现象．

化学气相沉积铜薄膜研究进展

本文综术了集成电路工艺的Cu布线中Cu薄膜化学气相沉积(CVD)的研究背景,详细介绍了CVD生长Cu金属薄膜的国内外研究进展及CVD对前趋物的要求,并对前趋物的一些物理、化学性质进行了总结,最后,对薄膜沉积的计算机摸拟作了简要介绍。

有机铟源的应用开发研究

讨论了三甲基铟在光电新材料中的应用，同时介绍了三甲基铟在应用于ＭＯＣＶＤ工艺中质量输入过程中变化的原因及克服这些问题的方法。本文还介绍了新的有机铟源的制备及应用情况。

激光化学气相沉积法制备铜膜的性能与形态分析

本文对以二（乙酸丙酮根）合铜（Ⅱ）和二（三甲基乙酰三氟代丙酮根）合铜（Ⅱ）为母体的化合物，用１０．６μｍ和２８０ｎｍ激光气相沉积法生成铜膜的形态及性能采用探针轮廓仪、扫描电子显微镜和四探针法进行了分析，观察到紫外激光生成铜膜中具有环状周期性图案的现象。

有机半导体发光二极管研究活跃

有机半导体发光二极管研究活跃由于平面显示器市场的吸引，许多国家都在致力开发发光二极管，对利用Ⅲ─Ⅴ族的氨化物和Ⅱ—Ⅵ族元素半导体如ＺｎＳｅ做蓝光与绿光管很有发展，但一般认为要做大尺寸显示屏，上述方法成本也不会便宜，因此不少国家在研究更便宜的有机半导体...

全球半导体材料市场2005年的预测

在2004年出现破纪录的增长之后，全球半导体化学和材料市场将于2005年出现“急刹车”，增长率降至7．7％。