聚乙炔/SnO_2异质结的光电流密度

用改进的Ｎａａｒｍａｎｎ法在ｎ型ＳｎＯ２基片上直接聚合成聚乙炔膜，制成ｐ－（ＣＨ）ｘ／ｎ－ＳｎＯ２异质结，用氩离子激光器作光源，测量了光电流密度与入射光强度的关系曲线．在仅考虑聚乙炔吸收光的情况下，从理论上导出聚乙炔基异质结的光电流密度公式。