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射频功率对反应溅射淀积的a－Ge：H薄膜特性的影响
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作者 王辉耀 王印月 张仿清 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1994年第2期139-143,共5页
本文通过红外透射谱（ＩＲ）、拉曼散射谱（Ｒａｍａｎ）、电子自族共振谱（ＥＳＲ）、光吸收谱、电导率和淀积速率的测量，比较全面地研究了射频功率对反应溅射法淀积的ａ－Ｇｅ：Ｈ薄膜特性的影响．发现ａ－Ｇｅ：Ｈ膜的淀积速率、氢... 本文通过红外透射谱（ＩＲ）、拉曼散射谱（Ｒａｍａｎ）、电子自族共振谱（ＥＳＲ）、光吸收谱、电导率和淀积速率的测量，比较全面地研究了射频功率对反应溅射法淀积的ａ－Ｇｅ：Ｈ薄膜特性的影响．发现ａ－Ｇｅ：Ｈ膜的淀积速率、氢量、膜结构、光电性能随功率发生规律性的变化．对实验结果作了初步讨论． 展开更多
关键词 锗 射频功率 薄膜 无定形半导体
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