铁电PbZr_(0.53)Ti_(0.47)O_3薄膜的磁增强反应离子刻蚀

采用磁增强反应离子刻蚀（ＭＥＲＩＥ）工艺获得了铁电ＰｂＺｒ０５３Ｔｉ０４７Ｏ３（ＰＺＴ）薄膜的微细图形．研究了用ＣＨＦ３ 气体在不同射频功率和气体流量下ＰＺＴ薄膜、Ｐｔ和ＡＺ１４５０Ｊ光刻胶的刻蚀速率以及刻蚀选择性的实验规律．原子力显微镜（ＡＦＭ）结果表明，获得的ＰＺＴ薄膜图形具有较高的各向异性．化学分析电子能谱（ＥＳＣＡ）结果表明，在ＣＨＦ３ 等离子体中Ｐｔ表面形成了一层碳氟聚合物薄膜，它对Ｐｔ 的刻蚀起到钝化和保护的作用，并且最后可以在３００℃热处理３０ｍ ｉｎ 被消除．

在ITO玻璃衬底上制备锆钛酸铅铁电薄膜

利用射频反应性溅射沉积技术在掺Sn的In2 O3导电透明膜(ITO)衬底上制备了钙钛矿型Pb(Zr,Ti)O3(PZT)铁电薄膜 .研究了沉积参量与热处理工艺对铁电薄膜结构和性能的影响 .运用X射线衍射、X射线光电子能谱和扫描电镜等技术 ,分析了薄膜的晶体结构、表面形貌和表面元素化学状态 .测量了不同处理条件下薄膜的铁电性能 .结果表明 :在掺Sn的In2 O3导电透明膜衬底上可以得到表面无裂纹、化学计量比符合要求的PZT薄膜 ;薄膜中晶粒均匀分布 ,平均尺寸约 2 50nm ,呈四方状和三角状 ;溅射气氛中氧含量和退火温度对薄膜结构、化学计量比和铁电性能都有明显影响 .

用质量分离的低能离子束外延法生长β-FeSi_2半导体外延膜的初步研究

采用质量分析的低能离子束外延法生长了半导体性质的β-FeSi_2外延薄膜.就我们所知,在用同类方法的研究中,国际上尚属首次.AES测量及RHEED观察肯定了外延的β-FeSi_2的存在;垂直入射的光透射谱又证实了外延膜是具有直接禁带的、禁带宽度为～0.84 eV的半导体性质的薄膜.室温下的霍耳迁移率μH达600 cm^2V^(-1)s^(-1),比文献报道高两个量级.

多离子束反应溅射室温沉积PbTiO_3薄膜的结晶性能

为了将铁电薄膜与半导体器件集成，发展了新的铁电薄膜制备技术。快速退火（ＲＴＰ）由于可以降低铁电薄膜的制备温度、改善铁电薄膜与半导体器件兼容性质，因而倍受人们的关注。用多离子束反应共溅射装置在室温下制备了ＰｂＴｉＯ３薄膜，样品经ＲＴＰ装置作退火处理，发现ＰｂＴｉＯ３薄膜可以在多晶或非晶层上生长。

外延铁电薄膜的研究进展

铁电薄膜具有优良的铁电、压电、热释电、电光、声光及非线性光学特性，在微电子学、光电子学及集成光学等领域有许多重要应用。近年来，随着铁电薄膜制备技术的发展，外延铁电薄膜的研究已受到广泛重视。文章对外延铁电薄膜的研究现状作了简要评述，并指出了目前存在的一些问题和未来的发展方向。

CdS掺杂Ge-Ga-S玻璃XPS研究

采用熔融-急冷法制备CdS掺杂Ge-Ga-S硫系玻璃,对玻璃的XPS研究表明:玻璃样品中含有Ge, Ga,Cd,S4种元素,样品的主要成分是GeS2,Ga2S3和CdS;Ge,Ga,Cd,S元素的XPS谱线的位移归因于化学位移和玻璃的结构的共同作用;Cd3d3/2和Cd3d5/2的XPS峰值随CdS含量的增加而明显增强。

水热法制备PLZT多元铁电薄膜的研究

研究了在水热条件下制备PLZT(8/ 6 5 / 35 )多元铁电薄膜的优化工艺条件。讨论了反应温度 ,反应历程 ,反应时间等不同工艺条件对PLZT多元铁电薄膜结构、结晶取向的影响。结果表明 ,采用两步法合成工艺能够在Ti基片上制备出纯钙钛矿相结构 ,粒径为 1μm ,薄膜厚度为 5 μm ,介电常数为ε =45 0的PLZT(8/ 6 5 / 35 )多元铁电薄膜。

用溶胶──凝胶法制备［（Pb，La）（Zr，Ti）O_3］铁电薄膜

利用溶胶─凝胶法制备了［（Ｐｂ，Ｌａ）（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ＿３］铁电薄膜。利用ＤＴＡ－ＴＧ，ＸＲＤ和ＳＥＭ研究了［（Ｐｂ，Ｌａ）（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ＿３］凝胶的分解、晶化过程及［（Ｐｂ，Ｌａ）（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ＿３］薄膜的显微形貌。为了获得致密无龟裂的［（Ｐｂ，Ｌａ）（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ＿３］薄膜，应使用具有适当粘度的前体溶胶，这是通过控制其浓度和水解度来获得的。在热处理过程中保持很小的变温速率对于避免薄膜龟裂十分重要。ＰＴ过渡层促进［（Ｐｂ，Ｌａ）（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ＿３］薄膜在镀铂硅片上的晶化。［（Ｐｂ，Ｌａ）（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ＿３］＋ＰＴ薄膜的介电常数为５００～６００，损耗因子低于０．１；剩余极化强度为９．３μＣ／ｃｍ￣２，矫顽杨强为５０ｋＶ／ｃｍ。

介电超晶格研究进展

随着铁电薄膜制备技术和性能研究的发展，介电超晶格已受到人们的关注。本文简要介绍了有关介电超晶格的结构、性能及制作技术，并指出了存在的问题和可能的发展方向。

激发物激光烧蚀法制备铁电和压电薄膜

本文叙述用激发物激光烧蚀法沉积几种铁电和压电薄膜的制备法和性能，并介绍了这些薄膜在微电子学器件和微波声学器件方面的应用。

(Pb,Ca)TiO_3铁电薄膜光学性质的研究

用溶胶凝胶法在Ｓｉ（１００）衬底上制备了（Ｐｂ，Ｃａ）ＴｉＯ３铁电薄膜样品，测量了其在２．３～５．０ｅＶ能量范围的椭偏光谱，并获得样品的膜厚和在该区间的光学常数谱．实验发现Ｐｂ离子被Ｃａ离子取代后，折射率峰向低能方向移动；同时随着Ｃａ含量的增加，（Ｐｂ，Ｃａ）ＴｉＯ３的吸收边向低能方向移动，表明Ｃａ离子取代Ｐｂ离子后，禁带宽度Ｅｇ减小．还讨论了引起折射率峰移动和禁带宽度Ｅｇ减小的原因．

金属有机物热分解工艺制备PLZT铁电薄膜的晶化过程及其电性能研究

采用MOD法制备了PLZT铁电薄膜.通过DTA研究了PLZT粉末和薄膜的晶化动力学.MOD法制备的PLZT材料,在420~570℃的温度范围内由非晶结构向钙钛矿结构转化,其粉体和薄膜的晶化活化能E_a分别为55kJ/mo1和70kJ/mo1,频率因子γ分别为450s^(-1)和1.4×10~4s^(-1).薄膜从非晶态向钙钦矿相的转化过程中要经过亚稳的焦绿石相的过渡,其E和γ分别为143 kJ/mo1和7.9×10~9s^(-1).经过550℃热处理得到的PlZT(8/65/35)铁电薄膜,相对介电常数为900,介电损耗为0.02(1kH2),饱和极化强度和矫顽场强分别为35.5μC/cm^2和124kV/cm.

超导／半导兼容材料的制作及性能分析

介绍了几种结构合理的超导／半导兼容材料的制作技术及其测试结果，重点讨论了超导体（ＹＢＣＯ）与半导体（Ｓｉ，ＧａＡｓ）间缓冲层的选取，并对这几种复合材料的性能作了较详细的分析。

Si片上PbTiO_3薄膜的XPS研究

用溶胶 凝胶方法在Si上成功地制备了钙钛矿型的PbTiO3薄膜。X射线衍射结果显示 ,在热处理温度为 750～ 90 0℃范围内 ,随温度升高 ,薄膜由多晶结构转变为定向结晶。X射线光电子能谱分析发现 ,薄膜表面存在SiO2 薄层 ,其厚度大约为 0 6nm ,该薄层是在制膜过程中衬底Si通过PbTiO3薄膜扩散到表面与大气中的O2 反应而形成的。在 750℃热处理的薄膜 ,膜层中不含SiO2 ,但温度升高 ,膜层中存在SiO2 成分 ,这可能是Si在向表面扩散过程中与膜中的O反应生成的。表面SiO2 可通过Ar离子的轻微溅射而消除 ,而膜内SiO2

金属有机物热分解法制备锆钛酸铅薄膜研究

采用金属有机物热分解（ＭＯＤ）法，通过对原料的提纯和合成工艺的优化，消除原料中的微量杂质，控制环境温度，从而获得了透明、稳定的锆钦酸铅先体溶液．锆铁酸铅先体溶液经过多次成膜，在Ｐｔ／ＳｉＯ２／Ｓｉ基片上制备出厚度为０．６ｕｍ，均匀、无裂纹、无针孔的薄膜．经５５０℃保温处理后，得到假立方晶系的钙钦矿结构的薄膜．借助扫描电镜形貌分析表明，其晶粒大小约为２～３μｍ．

锆钛酸铅铁电薄膜的MOD工艺制备及其性能研究

致密、纯钙钛矿结构的ＰＺＴ（５０／５０）铁电薄膜已用ＭＯＤ工艺（金属有机物热分解工艺）获得．通过优化原料的提纯和合成工艺，消除了原料中微量杂质离子，控制ＰＺＴ先体溶液合成时的环境温度，制得透明、稳定的锆钛酸铅先体溶液．采用多次甩胶成膜法，经４００～５００℃热处理，在Ｐｔ／ＳｉＯ２／Ｓｉ衬底上制得ＰＺＴ（５０／５０）薄膜，膜厚５２０ｎｍ，其介电常数为２７０，损耗角正切为０．０３５（１ｋＨｚ，０．０５Ｖ测试电压），其绝缘电阻率为１０～１００ＴΩ·ｃｍ，剩余极化强度为２０．６μＣ／ｃｍ２，饱和极化强度为２７．７μＣ／ｃｍ２。