MWECR CVD系统中磁场梯度对a-Si:H薄膜沉积速率的影响(英文)

为了定量地得到磁场梯度对a Si∶H薄膜沉积速率的影响 ,对单磁场线圈分散场MWECRCVD系统等离子体室和沉积室中用三种方法得到的磁场形貌进行了研究 .通过洛伦兹拟合的方法定量地得到了这些磁场形貌的磁场梯度 .结果表明 ,样品台下面放置钐钴永磁体并使磁场线圈电流为 137 7A时其衬底附近磁场梯度值最大 ,样品台下面无钐钴永磁时 ,磁场线圈电流分别为 137 7A和 115 2A的磁场梯度值依次为次之和最小 .制备a Si∶H薄膜时 ,在衬底附近具有高的磁场梯度值可以得到高的沉积速率 .通过红外吸收谱技术分析 ,虽然样品台下面放置钐钴永磁体并使磁场线圈电流为 137 7A下能得到最大的沉积速率 ,但是沿样品台半径方向沉积速率呈现很明显的不均匀分布 .

一种双共晶新型UVC封装结构设计

UVC的波长为200~280 nm,广泛用于给水消毒、过滤空气以及为物体表面消毒。目前UVC LED封装器件都面临两个难题,首先是如何提高封装器件出光效率,其次是确保封装器件的可靠性如何降低器件的辐射衰减及黄变等问题,这就要从LED器件的封装结构入手,尽管目前市场上UVC器件封装方式形形色色,琳琅满目,但是能实现对UVC LED进行全无机封装的方式很少,封装技术稍显落后,因此寻求一种稳定可靠的封装方式变得非常迫切。本文设计了一种双共晶的新型UVC封装结构,采用全无机进行封装,实验结果表明这种全无机封装结构可以极大地提升UVC封装器件的出光效率,同时有效降低UVC封装器件的辐射衰减。