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MWECR CVD系统中磁场梯度对a-Si:H薄膜沉积速率的影响(英文)
被引量:
2
1
作者
胡跃辉
吴越颖
+3 位作者
陈光华
王青
张文理
阴生毅
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第6期613-619,共7页
为了定量地得到磁场梯度对a Si∶H薄膜沉积速率的影响 ,对单磁场线圈分散场MWECRCVD系统等离子体室和沉积室中用三种方法得到的磁场形貌进行了研究 .通过洛伦兹拟合的方法定量地得到了这些磁场形貌的磁场梯度 .结果表明 ,样品台下面放...
为了定量地得到磁场梯度对a Si∶H薄膜沉积速率的影响 ,对单磁场线圈分散场MWECRCVD系统等离子体室和沉积室中用三种方法得到的磁场形貌进行了研究 .通过洛伦兹拟合的方法定量地得到了这些磁场形貌的磁场梯度 .结果表明 ,样品台下面放置钐钴永磁体并使磁场线圈电流为 137 7A时其衬底附近磁场梯度值最大 ,样品台下面无钐钴永磁时 ,磁场线圈电流分别为 137 7A和 115 2A的磁场梯度值依次为次之和最小 .制备a Si∶H薄膜时 ,在衬底附近具有高的磁场梯度值可以得到高的沉积速率 .通过红外吸收谱技术分析 ,虽然样品台下面放置钐钴永磁体并使磁场线圈电流为 137 7A下能得到最大的沉积速率 ,但是沿样品台半径方向沉积速率呈现很明显的不均匀分布 .
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关键词
磁场梯度
洛伦兹拟合
A-SI:H薄膜
沉积速率
MwECR
CVD沉积系统
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职称材料
一种双共晶新型UVC封装结构设计
2
作者
张日光
杜元宝
+1 位作者
张耀华
柯强
《照明工程学报》
2021年第2期54-57,共4页
UVC的波长为200~280 nm,广泛用于给水消毒、过滤空气以及为物体表面消毒。目前UVC LED封装器件都面临两个难题,首先是如何提高封装器件出光效率,其次是确保封装器件的可靠性如何降低器件的辐射衰减及黄变等问题,这就要从LED器件的封装...
UVC的波长为200~280 nm,广泛用于给水消毒、过滤空气以及为物体表面消毒。目前UVC LED封装器件都面临两个难题,首先是如何提高封装器件出光效率,其次是确保封装器件的可靠性如何降低器件的辐射衰减及黄变等问题,这就要从LED器件的封装结构入手,尽管目前市场上UVC器件封装方式形形色色,琳琅满目,但是能实现对UVC LED进行全无机封装的方式很少,封装技术稍显落后,因此寻求一种稳定可靠的封装方式变得非常迫切。本文设计了一种双共晶的新型UVC封装结构,采用全无机进行封装,实验结果表明这种全无机封装结构可以极大地提升UVC封装器件的出光效率,同时有效降低UVC封装器件的辐射衰减。
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关键词
UVC
共晶
封装
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职称材料
题名
MWECR CVD系统中磁场梯度对a-Si:H薄膜沉积速率的影响(英文)
被引量:
2
1
作者
胡跃辉
吴越颖
陈光华
王青
张文理
阴生毅
机构
北京工业大学材料学院
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第6期613-619,共7页
基金
国家重点基础研究发展规划资助项目(批准号 :G2 0 0 0 0 2 82 0 1)~~
文摘
为了定量地得到磁场梯度对a Si∶H薄膜沉积速率的影响 ,对单磁场线圈分散场MWECRCVD系统等离子体室和沉积室中用三种方法得到的磁场形貌进行了研究 .通过洛伦兹拟合的方法定量地得到了这些磁场形貌的磁场梯度 .结果表明 ,样品台下面放置钐钴永磁体并使磁场线圈电流为 137 7A时其衬底附近磁场梯度值最大 ,样品台下面无钐钴永磁时 ,磁场线圈电流分别为 137 7A和 115 2A的磁场梯度值依次为次之和最小 .制备a Si∶H薄膜时 ,在衬底附近具有高的磁场梯度值可以得到高的沉积速率 .通过红外吸收谱技术分析 ,虽然样品台下面放置钐钴永磁体并使磁场线圈电流为 137 7A下能得到最大的沉积速率 ,但是沿样品台半径方向沉积速率呈现很明显的不均匀分布 .
关键词
磁场梯度
洛伦兹拟合
A-SI:H薄膜
沉积速率
MwECR
CVD沉积系统
Keywords
magnetic field gradient
Lorentz fit
a-Si∶H film
deposition rate
MWECR CVD deposition system
分类号
TN3048 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
一种双共晶新型UVC封装结构设计
2
作者
张日光
杜元宝
张耀华
柯强
机构
宁波升谱光电股份有限公司
中国科学院宁波材料技术与工程研究所
中国科学院大学
出处
《照明工程学报》
2021年第2期54-57,共4页
文摘
UVC的波长为200~280 nm,广泛用于给水消毒、过滤空气以及为物体表面消毒。目前UVC LED封装器件都面临两个难题,首先是如何提高封装器件出光效率,其次是确保封装器件的可靠性如何降低器件的辐射衰减及黄变等问题,这就要从LED器件的封装结构入手,尽管目前市场上UVC器件封装方式形形色色,琳琅满目,但是能实现对UVC LED进行全无机封装的方式很少,封装技术稍显落后,因此寻求一种稳定可靠的封装方式变得非常迫切。本文设计了一种双共晶的新型UVC封装结构,采用全无机进行封装,实验结果表明这种全无机封装结构可以极大地提升UVC封装器件的出光效率,同时有效降低UVC封装器件的辐射衰减。
关键词
UVC
共晶
封装
Keywords
UVC
eutectic
encapsulation
分类号
TN30484.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
MWECR CVD系统中磁场梯度对a-Si:H薄膜沉积速率的影响(英文)
胡跃辉
吴越颖
陈光华
王青
张文理
阴生毅
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004
2
下载PDF
职称材料
2
一种双共晶新型UVC封装结构设计
张日光
杜元宝
张耀华
柯强
《照明工程学报》
2021
0
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职称材料
已选择
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参考文献
引证文献
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