外延生长设备EFEM系统设计

阐述了应用于外延生长设备的EFEM系统,通过采用顶升机构、机械手和校准器等部件,结合机器视觉辅助判断方法,设计了一种外延生长设备的EFEM系统,该系统有效地提高了晶圆洁净度,提升了设备的自动化水平;并在相关机型进行应用和测试,能够可靠高效地运行。

柔性SrTiO_3/Ag/SrTiO_3复合结构透明导电薄膜的制备和性能研究

为获得高性能的柔性透明导电薄膜,采用磁控溅射技术在柔性PC衬底上制备出了STO(30nm)/Ag/STO(30nm)复合结构透明导电薄膜.分别对不同中间Ag层厚度薄膜的结构、光学和电学性质进行了研究.研究发现:随着中间Ag层厚度的增加,可见光区的平均透过率先增大后减小,电阻率和方块电阻持续减小;当中间Ag层厚度为11nm时,复合结构透明导电薄膜具有最佳的品质因子为14.23×10^(-3)Ω^(-1),此时,其可见光区平均透过率为82%,方块电阻为9.2Ω/sq..

碲化物薄膜的附着牢固度与其显微结构的关系

用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）和透射电镜术（ＴＥＭ）观察Ｓｉ和Ｇｅ基板上ＰｂＴｅ、ＣｄＴｅ及ＰｂＧｅＴｅ单层薄膜及其与ＺｎＳ组合的多层薄膜的显微结构。

LPCVD制备SIPOS薄膜淀积工艺的研究

SIPOS薄膜的含氧量是一个非常重要的工艺参数 .文中研究了用LPCVD法制备SIPOS薄膜的各种特性参数与含氧量的变化关系 ,提出了SIPOS薄膜生长的最佳工艺条件 .为SIPOS薄膜钝化技术的实用化奠定了基础 .

二氧化锡覆盖层对ITO透明导电薄膜热稳定性的改良

采用射频磁控溅射法在ITO玻璃表面沉积了一层15 nm左右的SnO2薄膜。利用霍尔效应测试仪、四探针电阻测试仪、场发射电子显微镜及紫外–可见–近红外光谱仪分析了所制薄膜的电学性质、表面形貌和光学性质。结果表明，在300~600 ℃退火后镀有SnO2覆盖层的ITO（SnO2/ITO）薄膜具有相对好的热学稳定性。在600 ℃退火后，ITO薄膜的方阻和电阻率分别为88.3 Ω/□和2.5×10–3 Ω·cm，而此时，SnO2/ITO薄膜的方阻和电阻率仅为43.8 Ω/□和1.2×10–3 Ω·cm。最后，阐述了SnO2覆盖层提高ITO薄膜热稳定性的机制。

新型的陶瓷薄膜制备工艺—Sol—Gel法

近年来在陶瓷制备领域中出现了一种引人注目的工艺溶胶-凝胶法，由于这种工艺诸多的优越性，越来越多地应用于制备陶瓷薄膜方面，本文介绍了溶胶-凝胶法制备陶瓷薄膜的工艺过程，并对其研究现状及进一步发展趋势作了简要的评述。

高功率因数、低谐波、高转换效率单晶炉电源

介绍了几种常用的单晶炉整流电源的结构方式,重点介绍了不同整流电源的特点,通过实际应用及测试分析了各种电源的能耗及功率因数、谐波、转换效率;最终提出了高效节能的新型整流电源。

薄膜中晶粒正常生长过程的研究

通过建立一个理论模型研究了薄膜中正常晶粒生长过程中晶粒的变化情况。晶粒按照边长数被分成不同的组,可以通过晶粒消失与晶界转换两种方式来改变边长的数目,在不同组之间进行转换。晶粒的长大与缩小由边长数与晶粒大小决定。计算机模拟的结果表明平均晶粒尺寸随时间呈线性增长,晶粒尺寸分布与已报道的结果基本一致。