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193nm光刻胶研究现状
1
作者
洪啸吟
《国际学术动态》
1999年第2期43-46,共4页
第23届SPIE微细光刻学术会议于1998年2月22日至27日在美国加利福尼亚州Sa-ta clara市召开。与会者有1500余人,发表论文约500篇。分会场有:①新的微细刻蚀技术,②光刻技术的计量、检验和程序控制,③抗蚀剂进展,④光学光刻技术。笔者以&qu...
第23届SPIE微细光刻学术会议于1998年2月22日至27日在美国加利福尼亚州Sa-ta clara市召开。与会者有1500余人,发表论文约500篇。分会场有:①新的微细刻蚀技术,②光刻技术的计量、检验和程序控制,③抗蚀剂进展,④光学光刻技术。笔者以"无显影气相光刻在蚀剂氮化硅上的应用"一文参加了"新的微细刻蚀技术"的分会。
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关键词
光刻胶
无显影气相光刻
抗蚀剂
光敏产酸物
激光光刻
主体树脂
分辨率
微细刻蚀
美国加利福尼亚州
发表论文
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职称材料
题名
193nm光刻胶研究现状
1
作者
洪啸吟
机构
清华大学化学系
出处
《国际学术动态》
1999年第2期43-46,共4页
基金
国家自然科学基金委资助项目(59633110)
文摘
第23届SPIE微细光刻学术会议于1998年2月22日至27日在美国加利福尼亚州Sa-ta clara市召开。与会者有1500余人,发表论文约500篇。分会场有:①新的微细刻蚀技术,②光刻技术的计量、检验和程序控制,③抗蚀剂进展,④光学光刻技术。笔者以"无显影气相光刻在蚀剂氮化硅上的应用"一文参加了"新的微细刻蚀技术"的分会。
关键词
光刻胶
无显影气相光刻
抗蚀剂
光敏产酸物
激光光刻
主体树脂
分辨率
微细刻蚀
美国加利福尼亚州
发表论文
分类号
TN305.7-2 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
193nm光刻胶研究现状
洪啸吟
《国际学术动态》
1999
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