新型紫外光源研制成功

以GaN为代表的第三代半导体材料,是制造短波长高功率发光器件和高温大功率电子器件的具有代表性的半导体材料。到目前为止,国际上高功率蓝色发光二极管(LED)、绿色LED、白光LED、蓝紫色LED及激光器等已实现了批量生产,走向了商业市场。 GaN半导体材料与器件的研究已历时30多年。前20年进展缓慢,未能研制出实用化的器件。近十年来。

Ho:YVO_4晶体中Ho^(3+)光谱参数的计算

根据Ho3+在Ho :YVO4 晶体的吸收谱和 0 6～ 2 1μm波段的荧光谱 ,用J O理论计算了Ho3+的强度参数Ωλ ,并由此计算了激发能级的振子强度、自发辐射跃迁几率、荧光分支比和积分发射截面等光谱参数 ,讨论了Ho :YVO4 晶体作为红外激光材料的可能性。

GaP单晶衬底的位错密度对LED用LPE材料的影响

ＧａＰ单晶衬底的位错密度对ＬＥＤ用ＬＰＥ材料的影响李桂英杨锡震孙寅官王亚非（北京师范大学物理系，北京１００８７５）关键词：ＧａＰＬＥＤ位错ＬＰＥ１前言高效率绿色发光二极管（ＬＥＤ）的少数载流子扩散长度接近７μｍ［１］。当外延层的位错密度过高时，位错间...

AlGaInP橙光、黄光高亮度LED外延片研制

80年代末期以来,用MOCVD生长的异质结、量子阱和超晶格材料日益显示出它在技术上的重要性,用其制作的LED具有常规器件无法比拟的优异性能,并且以全新的概念改变了器件的设计思想,使得半导体器件设计由“掺杂工程”走向“能带工程”,高级器件的制作越来越倚重于材料结构生长了。 汇能公司是中国节能投资总公司与信息产业部第十三研究所合资兴办的一家高科技公司。该公司于1998年投资从德国AIXTRON公司购买了一台AIXTRON-2400型MOCVD设备,用于生长高亮度发光二极管(LED)

CRD的特性和硅外延层质量控制

本文分析了ＣＲＤ特性和外延层质量的关系，并报导了改善外延层质量的方法和措施。由于外延层晶格结构以及外延层厚和电阻率的均匀性提高，使ＣＲＤ的Ｉ＿Ｈ值精确控制和击穿电压Ｖ＿Ｂ值提高有了明显的进展。

恒流二极管的扩流及调光

恒流二极管（CRD）可以通过多个并联的方法来实现扩大输出电流,但在要求输出电流较大时（如350mA）,则需要并联的CRD数量太多,这不仅造成占PCB的面积大,而且会增加生产成本。本文介绍一种CRD扩流电器,电路较简单,有较好的恒流精度,并且有调光功能。另外,本文还介绍一种可采用PWM信号来调节CRD驱动LED电路的通断,实现调光功能。CRD扩流电路工作原理图1是一种性能良好的CRD扩流电器原理图。它是由CRD、三极管Q。

S系列恒流二极管

LED照明灯的快速发展,促使LED驱动器的相应发展。各半导体器件厂纷纷开发出各种新颖驱动器,适合驱动各种不同功率的LED,满足市场的需要。这些驱动器不仅适合低压直流电供电,同时也适用于市电(220VAC)供电;驱动器中有恒流二极管(CRD)、恒流三极管(CRT)外,还有恒流输出的集成电路及模块。本刊将陆续发表最近开发的一些特性良好的LED驱动器,着重介绍其应用电路及有关参数的计算或选择,供读者参考。

GaAlAs LED液相外延生产关键技术研究成果、专利及产业化前景预测

1 取得的成果 (1)LED早期光衰问题的解决 由于GaAlAs的铝组分含量高,器件的早期光衰严重,在室温20mA工作电流下,96h后,发光强度平均哀减20％,严重影响器件的市场开发。 通过调整铝组分和工艺条件,提高保护气体纯度等方法,解决了此问题。 (2)

恒流二极管2DHLxxx系列

本刊上期介绍过S系列恒流二极管，该系列恒流输出的种类虽多，但最大的输出仅20mA。本文介绍深圳欧恩光电技术研究所最近开发的大电流LED恒流二极管2DHLxxx系列，它的恒流输出电流范围为20～85mA，它不仅适用于0．06W小功率LED驱动用，而且更适用于近年新开发的0．2W、0．3W及O．5W贴片式LED的驱动应用（3528及5050等品种）。

玻封二极管失效模式及其分析

具有低损耗、高耐热性、高耐湿性和耐压寿命长、难燃、小型、轻量化的电视机配套用玻璃钝化封装硅二极管(以下简称玻封二极管),是国内近几年发展起来的更新换代产品,也是国内可靠度最先达到W级的半导体功率器件.随着电子技术迅速发展,玻封二极管的使用将渐趋普遍,并在一些场合起着关键作用.

接线简便的恒流二极管

大家对稳压二极管很熟悉，有读者就会问，既然有稳压二极管，那么有没有稳流二极管呢？答案是肯定的，但通常不把这种器件叫稳流二极管，而是叫恒流二极管。恒流二极管（英文缩写为CRD）简称、匣流管”．是一种能在很宽的电压变化范围内提供恒定电流的半导体两端器件。