GaN的MOVPE生长和m－i－n型蓝光LED的试制

利用自行研制的常压ＭＯＶＰＥ设备和全部国产ＭＯ源，采用低温生长缓冲层技术，在蓝宝石（α－Ａｌ２Ｏ３）衬底上获得了高质量的ＧａＮ外延层。未掺杂的ＧａＮ外延层的室温电子迁移率已达１１４ｃｍ２／Ｖ．ｓ，载流于浓度为２×１０１８。７７Ｋ光致发光谱近带边发射峰波长为３６５ｎｍ，其线宽为４ＤｍｅＶ。Ｘ射线双晶衍射回摆曲线的线宽为３６０ａｒｃｓｅｃ。用Ｚｎ掺杂生长了绝缘的ｉ－ＧａＮ层。在此基础上研制了ｍ－ｉ－ｎ型ＧａＮ的ＬＥＤ，并在室温正向偏压下发出波长为４５５ｎｍ的蓝光。

电子辐照快速恢复二极管

电子辐照快速恢复二极管莫长涛李钢黑龙江商学院基础部（哈尔滨１５００７６）本试验为ＺＫ５０Ａ快速恢复二极管。芯片厚３２０μｍ，ｎ型衬底电阻率３０～５０Ω·ｃｍ。将二极管芯片置于ＪＪ１．２型电子静电加速器扫描盒下，在大气室温环境下用电子束照射。为试验辐照...

硅尖阵列场致发射阴极及其二极管制备工艺初探

随着大规模集成电路技术的发展,采用化学腐蚀的方法制备硅尖阵列及其二极管在真空微电子学中已被广泛采纳和应用。本文简要叙述了在各向同性腐蚀和各向异性腐蚀下硅尖形成的基本理论,讨论了硅尖形成的常用方法及其相关技术,扼要地介绍了硅尖阵列及其二极管制备过程中涉及到的重要工艺(如氧化锐化、平面化技术、静电键合和自对准工艺)。

微密封真空微电子二极管阵列

本文介绍了一种微密封真空微电子二极管阵列的工艺及实验结果。

用硅片键合技术制备真空微二极管

本文简述了场发射真空微二极管的工作特点、结构参数设计考虑及制备工艺技术，对键合法制备的样品进行了测试分析：起始发射电压５～６伏，反向击穿电压大于７０伏发射在田极电压为２０Ｖ时达０．５ｍＡ。

二极管酸性镀锡工艺

二极管是电子行业中使用较普遍的元器件，其管脚的镀锡层对抗氧化性、可焊性的要求都很高。我们采用Ｄ－１新型酸性镀锡工艺，取得了比较满意的效果。１工艺流程酸蚀→二次清洗→电镀→二次清洗→温水洗→浸防变色剂→离心脱水→烘干→包装。２工艺规范２．１酸蚀２５％硫...

深槽腐蚀工艺的研究

硅器件深槽腐蚀工艺广泛应用于硅内层玻璃钝化二极管、高压整流器、硅整流桥堆、低频功率器件以及高压功率集成电路.众所周知,对于高压整流器、高压功率器件,为了提高其反向耐压性能,经常采用台面结构.台面的形成工艺,始终是影响器件性能的关键工艺,然而在已往(或者当前)众多工厂仍然得不到圆满的解决.不少工厂台面的形成工艺采用黑胶保护,然后用HF。

玻璃封装二极管芯片电镀中对Ⅰ-Ⅴ特性的筛选

本文介绍了一种在电镀前进行反向卸银、筛除特性差的管芯的方法,以部分取代管芯的初测手段,解决了超小型二极管由于芯片面积小初测困难的问题,并且提高了镀层质量.通过实践比较,可使管芯封装成品率提高10%以上.

价值工程、网络计划技术在二极管电镀生产线设计中的应用

在塑封硅整流二极管电镀生产线的设计中,我们运用价值分析技术,根据功能与成本的关系来分析价值、测定价值并提高价值,找到了总体价值大的新方案。为了加快新方案的研制进度,我们运用网络分析的方法,利用网络技术安排新方案的研制计划,使新方案的总工期大大缩短。我们在塑封硅整流二极管电镀生产线的设计中,综合应用了价值工程和网络计划技术,使我们取得了明显的经济效益和社会效益,为国家节约了大量的外汇,镀出了合格的硅整流二极管产品。

介绍一种新工艺制成的玻封二极管

本文根据玻璃成型和铅锡焊料在700℃时均处于熔融状态具有表面张力的道理,不会使器件发生断裂的大胆设想,首次在国内用铅锡电极工艺制成了玻封二极管.通过大量试验进一步论证了其可靠性及实用价值.

超晶格自生成工艺推动蓝光二极管进程

Notre Dame大学电子工程分部的研究人员一次偶然的发现有可能谱写一种新的技术标准:一种制造激光二极管和其它先进混合式半导体器件的新标准。 其中的两位研究人员已经推导出一条构造自然超点阵形态材料的捷径,完全摒弃原来那种需费九牛二虎之力的延伸式沉积法。利用这种技术Se(硒)和Te(碲)原子可在Zi衬底上周期性形成层状结构。